一种光源模组.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109216333A(43)申请公布日2019.01.15(21)申请号201710516047.7(22)申请日2017.06.29(71)申请人深圳市斯迈得半导体有限公司地址518000广东省深圳市宝安区石岩街道松白路中运泰科技工业厂区厂房6栋8、9楼、四1楼(72)发明人李俊东陈健平张仲元王鹏辉张建敏刘庆(51)Int.Cl.H01L25/075(2006.01)H01L33/50(2010.01)权利要求书2页说明书4页附图3页(54)发明名称一种光源模组(57)摘要一种光源模组，本发明涉及发光装置技术领域；第一发光二极管封装结构、第二发光二极管封装结构以及第三发光二极管封装结构均设置于基板上；所述的第一发光二极管封装结构包含位于封装结构内部的至少一颗第一发光二极管芯片以及由至少一种发射波长的第一荧光粉；所述的第二发光二极管封装结构包含位于封装结构内部的至少一颗第二发光二极管芯片以及由至少一种发射波长组成的第二荧光粉；所述第三发光二极管封装结构包含位于封装结构内部的至少一颗第三发光二极管芯片以及由至少两种发射波长荧光粉组成的第三混合型荧光粉。可有效解决高光效、高显色指数不可同时兼得的技术难题，能够达到更高的颜色还原效果，适用范围更广，实用性更强。CN109216333ACN109216333A权利要求书1/2页1.一种光源模组，其特征在于：它包含基板、至少一个第一发光二极管封装结构、至少一个第二发光二极管封装结构以及第三发光二极管封装结构；所述的第一发光二极管封装结构、第二发光二极管封装结构以及第三发光二极管封装结构均设置于基板上；所述的第一发光二极管封装结构包含位于封装结构内部的至少一颗第一发光二极管芯片以及由至少一种发射波长的第一荧光粉；所述的第一荧光粉发射波长介于470-570纳米范围之间；所述的第二发光二极管封装结构包含位于封装结构内部的至少一颗第二发光二极管芯片以及由至少一种发射波长组成的第二荧光粉；所述的第二荧光粉的波长介于590-670纳米范围的之间；所述第三发光二极管封装结构包含位于封装结构内部的至少一颗第三发光二极管芯片以及由至少两种发射波长荧光粉组成的第三混合型荧光粉；所述的第三混合型荧光粉的各种荧光粉的波长介于470-670纳米范围之间。2.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述的第一发光二极管封装结构与第二发光二极管封装结构混合贴装在所述基板后发出光线的色度坐标点落在ANSI_NEMA_ANSLGC78.377-2008所提供的色度坐标图的框内。3.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的波长范围介于265-470纳米之间。4.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述的第一发光二极管封装结构的光通量大于所述第二发光二极管封装结构的光通量。5.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述第一发光二极管芯片的波长与所述的第二发光二极管芯片的波长不完全相同或者完全相同。6.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述的第一发光二极管封装结构和第二发光二极管封装结构的数量完全相等时，所述的第一发光二极管封装结构和所述的第二发光二极管封装结构在封装成型过程中合为一体，所述的第一荧光粉和所述的第二荧光粉不互相混合。7.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述的第一发光二极管封装结构发出绿色或黄绿色的光线，所述的第一荧光粉因比例不同而产生多个不同的第一色度坐标点，该第一色度坐标点落在ANSI_NEMA_ANSLGC78.377-2008所提供的色度坐标图范围外的上方，所述的第一色度坐标点连成一条第一线段，该第一线段大致为直线，直线斜率大于0.95；所述的第二发光二极管封装结构发出红色或橙色或粉红色的光线，所述的第二荧光粉因比例不同而产生多个不同的第二色度坐标点，该第二色度坐标点落在ANSI_NEMA_ANSLGC78.377-2008所提供的色度坐标图范围外的下方，所述的第二色度坐标点连成一条第二线段，该第二线段大致为直线；所述的第三发光二极管封装结构发出白色或暖白色的光效，所述的第三混合型荧光粉因比例不同而产生多个不同的第三色度坐标点，该第三色度坐标点落在ANSI_NEMA_ANSLGC78.377-2008所提供的色度坐标图范围内；所述的第一线段的斜率大于第二线段的斜率。8.根据权利要求1所述的一种光源模组，其特征在于：所述第一荧光粉至少由一种第一发射波长荧光粉组成，第一发射波长荧光粉的波长介于470-570纳米范围之间；所述第二荧光粉由至少一种第二发射波长荧光粉组成，所述的第二发射波长荧光粉的波长介于590-670纳米范围之间；所述