固相基底、其处理方法和确定处理条件的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111100785A(43)申请公布日2020.05.05(21)申请号201811250804.1(22)申请日2018.10.25(71)申请人深圳市真迈生物科技有限公司地址518000广东省深圳市罗湖区清水河街道清水河一路116号深业进元大厦2座5楼、6楼(72)发明人赵智高锦鸿颜钦赵陆洋(74)专利代理机构深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281代理人孙银行彭愿洁(51)Int.Cl.C12M1/34(2006.01)C12M1/00(2006.01)C40B50/18(2006.01)C40B40/06(2006.01)权利要求书6页说明书25页附图1页(54)发明名称固相基底、其处理方法和确定处理条件的方法(57)摘要一种固相基底、其处理方法和确定处理条件的方法，该固相基底具有至少一个硅烷化的表面，所述表面为暴露于特定环境中一定时长的表面，该表面能够实现固定到其上的核酸分子的量达到期望值，所述特定环境为惰性气体环境，所述特定环境的温度选自37℃至60℃，所述一定时长满足预设关系，所述预设关系为所述表面暴露于所述特定环境的时长和该表面能够固定上的核酸分子的量之间的关系。本发明提高了芯片老化实验的准确性，能够准确地用于指导芯片的生产或研发，尤其能够适用对芯片高要求的应用情景。CN111100785ACN111100785A权利要求书1/6页1.一种固相基底，其特征在于，所述固相基底具有至少一个硅烷化的表面，所述表面为暴露于特定环境中一定时长的表面，该表面能够实现固定到其上的核酸分子的量达到期望值，所述特定环境为惰性气体环境，所述特定环境的温度选自37℃至60℃，所述一定时长满足预设关系，所述预设关系为所述表面暴露于所述特定环境的时长和该表面能够固定上的核酸分子的量之间的关系。2.根据权利要求1所述的固相基底，其特征在于，所述特定环境的温度选自37℃至57℃；任选地，所述特定环境的温度为37℃、47℃或57℃；任选地，所述特定环境的相对湿度为30-70％；任选地，所述特定环境的相对湿度为45-55％；任选地，所述特定环境的相对湿度为55％；任选地，所述固相基底为玻璃和/或石英；任选地，所述预设关系为线性关系；任选地，所述预设关系的确定包括：连接核酸分子于第一表面并检测固定到该第一表面的核酸分子的量Q1，所述第一表面为暴露于恒定温度的特定环境达时长P1的固相基底的表面，所述第一表面为硅烷化的表面；连接核酸分子于第二表面并检测固定到该第二表面的核酸分子的量Q2，所述第二表面为暴露于所述恒定温度的特定环境达时长P2的固相基底的表面，所述第二表面为硅烷化的表面，其中P1不等于P2；以及利用P1、Q1、P2、Q2确定对应于所述温度的预设关系；任选地，所述固相基底通过化合物修饰获得所述硅烷化的表面，所述化合物包含能够与氨基化核酸分子中的氨基或者巯基化核酸分子中的巯基发生共价连接的基团；任选地，所述基团选自环氧基、醛基、羧基、马来酸酐、N-羟基琥珀酰亚胺和马来酰亚胺基团中的一种或多种；任选地，所述化合物选自3-(2,3-环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷、5,6-环氧己基三乙氧基硅烷、5,6-环氧己基三甲氧基硅烷、3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷(GOPTS)、环氧丙基三甲氧基硅烷、环氧丙基三乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己烷基)乙基三乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己烷基)乙基三甲氧基硅烷中的一种或多种。3.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括权利要求1至2任一项所述的固相基底；任选地，所述芯片还包括固定在所述固相基底的表面上的核酸分子。4.权利要求1至2任一项所述的固相基底和/或权利要求3所述的芯片在核酸捕获和/或核酸检测分析中的用途。5.一种处理固相基底的方法，其特征在于，所述固相基底具有至少一个硅烷化的表面，所述方法包括将所述表面暴露于特定环境中一定时长，所述特定环境为惰性气体环境，所述特定环境的温度选自37℃至60℃，2CN111100785A权利要求书2/6页所述一定时长满足预设关系，所述预设关系为所述表面暴露于所述特定环境的时长和该表面能够固定上的核酸分子的量之间的关系；任选地，所述特定环境的温度选自37℃至57℃；任选地，所述特定环境的温度为37℃、47℃或57℃；任选地，所述特定环境的相对湿度为30-70％；任选地，所述特定环境的相对湿度为45-55％；任选地，所述特定环境的相对湿度为55％；任选地，所述固相基底为玻璃和/或石英；任选地，所述预设关系为线性关系；任选地，所述预设关系的确定包括：连接核酸分子于第一表面并检测固定到该第一表面的核酸分子的量Q1，所述第一表面为暴露于恒定温度的特定环境达时长P1的固相基底的表面，所述第一表面为硅烷化