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基于场板复合结构的GaN器件及其制备方法.pdf
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夏萍****文章
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本发明提供一基于场板复合结构的GaN器件及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，形成外延结构、钝化辅助层、垂直场板沟槽，形成源极电极、漏极电极场板复合结构，形成栅极结构。本发明可以通过一步制备漏极电极和横向/垂直场板，工艺简单，通过横向/垂直两个场板，在小型化的前提下增强了器件耐压，使器件的耐压不用受限于栅‑漏距离。通过横向场板和垂直场板两个场板的共同作用调节，在给定击穿电压要求下所需场板长度更短，缩小了器件尺寸，减小了寄生电容，提高了器件射频性能，垂直场板使空间电荷区域跨过缓冲层深入缓冲层，在固有平
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