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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112467376A(43)申请公布日2021.03.09(21)申请号202011249140.4(22)申请日2018.08.29(66)本国优先权数据201810595979.X2018.06.11CN(62)分案原申请数据201880001185.42018.08.29(71)申请人深圳迈睿智能科技有限公司地址518127广东省深圳市宝安区燕罗街道罗田社区象山大道380号3栋2、3楼(72)发明人邹高迪邹新(74)专利代理机构宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙)33244代理人李高峰孟湘明(51)Int.Cl.H01Q1/52(2006.01)权利要求书4页说明书15页附图8页(54)发明名称具有抗干扰设置的天线及其制造方法(57)摘要本发明提供一种天线,包括一参考地和至少一辐射源,其中所述辐射源被相邻地设置于所述参考地,以在所述辐射源和所述参考地之间形成一辐射缝隙,其中所述辐射源被电气连接于所述参考地以使所述辐射源接地,从而使所述天线的频宽变窄。当一电磁激励信号自所述辐射源的一馈电点被接入时,所述天线的频宽变窄可以防止所述天线接收或产生的电磁波信号受到附近的相邻频段的电磁辐射频率或杂散辐射频率干扰。CN112467376ACN112467376A权利要求书1/4页1.一抗干扰电路,应用于一天线,其特征在于,包括一振荡电路单元和被电气连接于所述振荡电路单元的一混频检波电路单元,其中所述振荡电路单元包括一三极电路处理器、一电感、一第一电阻、一第二电阻、一第一电容、一第二电容、一第三电容、一第四电容、和一第五电容,其中所述三极电路处理器具有一第一连接端、一第二连接端和一第三连接端,其中所述电感的一端部被电气连接于一电源,而所述电感的另一端部被被电气连接于所述三极电路处理器的所述第一连接端,其中所述第一电阻的一端部被电气连接于所述三极电路处理器的所述第一连接端,而所述第一电阻的另一端部被电气连接于所述三极电路处理器的所述第二连接端,其中所述第一电容的一端部被电气连接于所述三极电路处理器的所述第二连接端,而所述第一电容的另一端部被电气连接于所述第二电容的一端部,其中所述第二电容的另一端部被电气连接于所述抗干扰电路的接地点,其中所述第三电容的一端部被电气连接于所述三极电路处理器的所述第一连接端,而所述第三电容的另一端部被电气连接于所述三极电路处理器的所述第三连接端,其中所述第二电阻的一端部被电气连接于所述三极电路处理器的所述第三连接端,而所述第二电阻的另一端部被电气连接于所述接地点,其中所述第四电容的一端部被电气连接于所述三极电路处理器的所述第三连接端,而所述第四电容的另一端部被电气连接于所述第五电容的一端部,其中所述第五电容的另一端部被电气连接于所述天线的一辐射源的馈电点。2.根据权利要求1所述的抗干扰电路,其中所述混频检波电路单元包括一第一二极管和一第二二极管,其中所述第一二极管的一端部和所述第二二极管的一端部被连接于一输出端,所述第一二极管的另一端部和所述第二二极管的另一端部被连接于所述接地点。3.根据权利要求1所述的抗干扰电路,其中所述振荡电路单元和所述混频检波电路单元之间的连接方式是电容耦合连接,所述混频检波电路单元和所述辐射源的所述馈电点之间的连接方式是电容耦合连接。4.根据权利要求1所述的抗干扰电路,其中所述三极电路处理器是MOS管或三极管。5.根据权利要求1至4中任一所述的抗干扰电路,其中所述天线包括一参考地,所述天线的所述辐射源和所述参考地以于所述辐射源和所述参考地之间形成一辐射缝隙的方式被邻近地设置,其中所述辐射源被接地。6.根据权利要求5所述的抗干扰电路,其中所述抗干扰电路被设置于所述参考地。7.根据权利要求6所述的抗干扰电路,其中所述抗干扰电路被设置于所述参考地的方式选自:所述抗干扰电路被印刷于所述参考地、所述抗干扰电路被覆于所述参考地、所述抗干扰电路被蚀刻于所述参考地。8.根据权利要求5所述的抗干扰电路,其中所述参考地具有一第一侧面和相对的一第二侧面,所述辐射源被相邻地设置于所述参考地的第一侧面,所述辐射源和所述参考地之间预留一间距,作为两者之间的所述辐射缝隙,所述辐射缝隙是指所述参考地的所述第一侧面与所述辐射源的外表面之间的一高度差,所述辐射源的延伸方向和所述参考地的延伸方向一致,即所述辐射源与所述参考地平行,从而形成一平板天线;所述辐射源具有一辐射源连接点和一馈电点,所述辐射源连接点为所述辐射源的物理中点,所述馈电点偏离其物理中点,所述辐射源连接点与所述馈电点之间的距离大于或者等于1/64λ,其中λ是所述天线接收或产生的电磁波信号的波长,所述辐射源为正方形;所述参考地进一步具有一参考地连接点,所述参考地连接点正对所述