预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共29页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112701765A(43)申请公布日2021.04.23(21)申请号202110187589.0(22)申请日2021.02.18(66)本国优先权数据202010281116.22020.04.10CN(71)申请人珠海迈巨微电子有限责任公司地址519000广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层147室(72)发明人周号(74)专利代理机构北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11807代理人李伟波韩德凯(51)Int.Cl.H02J7/00(2006.01)权利要求书4页说明书17页附图7页(54)发明名称电池管理芯片及电池管理系统(57)摘要本公开提供了一种电池管理芯片,包括:开关驱动单元,开关驱动单元用于提供驱动充电开关与放电开关的开关控制信号,其中充电开关和放电开关串联至电池组的高压侧或低压侧,并且根据开关控制信号进行导通与断开以便控制电池组的充电与放电;以及数字控制单元,数字控制单元用于向开关驱动单元提供充放电控制信号,以便开关驱动单元根据充放电控制信号生成开关控制信号,其中,开关驱动单元通过开关控制信号控制充电开关和/或放电开关的导通与关断,以便调节电池组的充电电流或放电电流。本公开还提供了一种电池管理系统。CN112701765ACN112701765A权利要求书1/4页1.一种电池管理芯片,其特征在于,包括:开关驱动单元,所述开关驱动单元用于提供驱动充电开关与放电开关的开关控制信号,其中所述充电开关和放电开关串联至电池组的高压侧或低压侧,并且根据所述开关控制信号进行导通与断开以便控制所述电池组的充电与放电;以及数字控制单元,所述数字控制单元用于向所述开关驱动单元提供充放电控制信号,以便所述开关驱动单元根据充放电控制信号生成所述开关控制信号,其中,所述开关驱动单元通过所述开关控制信号控制充电开关和/或放电开关的导通与关断,以便调节所述电池组的充电电流或放电电流。2.如权利要求1所述的电池管理芯片,其特征在于,所述开关控制信号控制所述充电开关和放电开关的导通与关断,来调节所述电池组的充电电流或放电电流。3.如权利要求2所述的电池管理芯片,其特征在于,所述开关控制信号为电流控制信号和/或电压控制信号。4.如权利要求3所述的电池管理芯片,其特征在于,提供至所述充电开关的所述开关控制信号为电流控制信号,并且提供至所述放电开关的所述开关控制信号为电压控制信号。5.如权利要求4所述的电池管理芯片,其特征在于,基于提供至所述充电开关的电流控制信号生成相应的栅源电压来控制所述充电开关的导通与关断,并且基于提供至所述放电开关的电压控制信号来控制所述放电开关的导通与关断。6.如权利要求3所述的电池管理芯片,其特征在于,提供至所述充电开关的所述开关控制信号为电压控制信号,并且提供至所述放电开关的所述开关控制信号为电流控制信号。7.如权利要求6所述的电池管理芯片,其特征在于,基于提供至所述充电开关的电压控制信号来控制所述放电开关的导通与关断,基于提供至所述放电开关的电流控制信号生成相应的栅源电压来控制所述放电开关的导通与关断。8.如权利要求1所述的电池管理芯片,其特征在于,还包括电流检测端,以检测电流值,并且所述数字控制单元基于所检测的电流值来生成所述充放电控制信号的充电控制信号或者生成所述充放电控制信号的放电控制信号,并且所述开关驱动单元根据所述充放电控制信号生成所述开关控制信号,以控制所述充电开关和/或放电开关。9.如权利要求1或2所述的电池管理芯片,其特征在于,所述开关控制信号为电流控制信号,并且所述充电开关和放电开关分别为场效应晶体管,充电开关的场效应晶体管的栅极与源极之间连接有第一电阻和/或放电开关的场效应晶体管的栅极与源极之间连接第二电阻,通过改变提供至场效应晶体管的栅极的电流控制信号,来改变充电开关和/或放电开关的场效应晶体管的栅源电压,从而增大/减小充电开关和/或放电开关的场效应晶体管的导通电阻,进而减小/增大所述电池组的充电电流或放电电流;或者;在所述开关驱动单元中,通过控制具有不同沟道长宽比的多个MOS晶体管来提供不同的电流控制信号至充电开关和/或放电开关;或者;所述多个MOS晶体管为多个NMOS晶体管,并且所述多个NMOS晶体管的栅极分别通过开关与第一NMOS晶体管的栅极连接,当所述多个NMOS晶体管所对应的开关导通时,所述第一NMOS晶体管为相应的NMOS晶体管提供偏置电压以使其导通,从而提供不同的电流控制信2CN112701765A权利要求书2/4页号;或者;所述多个MOS晶体管包括n个MOS晶体管,其中n≥1,所述n个MOS晶体管的沟道长宽比分别为第一NMOS晶体管的2n倍,这样当第n个MOS晶体