双电源自动切换电路.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114285154A(43)申请公布日2022.04.05(21)申请号202111677294.8(22)申请日2021.12.31(71)申请人杭州雄迈集成电路技术股份有限公司地址311400浙江省杭州市富阳区银湖街道富闲路9号银湖创新中心9号楼四层(72)发明人张智印谢冉任梓豪(74)专利代理机构杭州裕阳联合专利代理有限公司33289代理人高明翠(51)Int.Cl.H02J9/06(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称双电源自动切换电路(57)摘要本申请涉及一种双电源自动切换电路，使用少量的逻辑门器件就搭建出一个双电源自动切换电路，可以实现第一电源和第二电源的自动转换，不但实现了超低功耗，而且能实现防反向充电和防漏电的功能，且采用的都是逻辑门器件，工艺移植性强，布设面积非常小。CN114285154ACN114285154A权利要求书1/2页1.一种双电源自动切换电路，其特征在于，包括：第一电源；第一反相器电路，与所述第一电源电连接；第二反相器电路，与所述第一反相器电路连接；第二电源，与所述第一反相器电路连接；所述第二电源还与所述第二反相器电路连接；levelshift电路，连接于所述第一反相器电路与所述第二反相器电路之间的连接链路上；所述levelshift电路还与所述第一电源连接；所述levelshift电路还与所述第二电源连接；功率管电路，与所述第一反相器电路连接；所述功率管电路还与所述第二反相器电路连接，所述功率管电路还与所述levelshift电路连接；所述功率管电路还与所述第一电源连接；所述功率管电路还与所述第二电源连接；输出端，与所述功率管电路连接。2.根据权利要求1所述的双电源自动切换电路，其特征在于，所述第一反相器电路包括：第一MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述第一电源电连接；所述第一MOS管的源极与所述第二电源电连接；第二MOS管，所述第二MOS管的栅极与所述第一电源电连接，所述第二MOS管的栅极还与所述第一MOS管的栅极电连接；所述第二MOS管的源极接地；所述第二MOS管的漏极与所述第一MOS管的漏极电连接。3.根据权利要求2所述的双电源自动切换电路，其特征在于，所述第二反相器电路包括：第三MOS管，所述第三MOS管的源极与所述第二电源电连接；第四MOS管，所述第四MOS管的栅极与所述第三MOS管的栅极电连接；所述第四MOS管的源极接地；所述第四MOS管的漏极与所述第三MOS管的漏极电连接；所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极之间的连接链路，与所述第三MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极之间的连接链路通过第一导线电连接，所述第一导线作为所述第一反相器电路与所述第二反相器电路之间的连接链路。4.根据权利要求3所述的双电源自动切换电路，其特征在于，所述levelshift电路包括：第五MOS管，所述第五MOS管的源极与所述第一电源电连接；第六MOS管，所述第六MOS管的栅极连接于所述第一导线；所述第六MOS管的源极接地；所述第六MOS管的漏极与所述第五MOS管的漏极电连接。5.根据权利要求4所述的双电源自动切换电路，其特征在于，所述levelshift电路还包括：第七MOS管，所述第七MOS管的栅极与所述第五MOS管的漏极电连接；所述第七MOS管的源极与所述第一电源电连接；所述第七MOS管的漏极与所述第五MOS管的栅极电连接；第八MOS管，所述第八MOS管的栅极与所第一电源电连接；所述第八MOS管的源极接地；所述第八MOS管的漏极与所述第七MOS管的漏极电连接。6.根据权利要求5所述的双电源自动切换电路，其特征在于，所述功率管电路包括：2CN114285154A权利要求书2/2页第一功率管，所述第一功率管的栅极电连接于所述第七MOS管与所述第八MOS管之间的连接链路上；所述第一功率管的源极与所述第一电源电连接；第二功率管，所述第二功率管的栅极与所述第一导线电连接；所述第二功率管的源极接地；所述第二功率管的漏极与所述第一功率管的漏极电连接；所述第二功率管与所述输出端通过第二导线电连接。7.根据权利要求6所述的双电源自动切换电路，其特征在于，所述功率管电路还包括：第三功率管，所述第三功率管的栅极电连接于所述第三MOS管与所述第四MOS管之间的连接链路上；所述第三功率管的源极与所述第二电源电连接；第四功率管，所述第四功率管的栅极电连接于所述第五MOS管与所述第六MOS管之间的连接链路上；所述第四功率管的源极与所述第二导线电连接；所述第四功率管的漏极与所述第三功率管的漏极电连接。8.根据权利要求7所述的双电源自动切换电路，其特征在于，还包括：电容，包括上极板和下极板，所述上极板与所述第二功