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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114552171A(43)申请公布日2022.05.27(21)申请号202011338097.9H01Q5/28(2015.01)(22)申请日2020.11.25H01Q5/328(2015.01)H01Q5/364(2015.01)(71)申请人深圳富泰宏精密工业有限公司H01Q1/22(2006.01)地址518109广东省深圳市龙华新区龙华办事处东环二路二号富士康科技园K1区厂房3栋2层申请人群迈通讯股份有限公司(72)发明人许倬纲贺敏慧(74)专利代理机构深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334专利代理师李艳霞(51)Int.Cl.H01Q1/36(2006.01)H01Q1/44(2006.01)H01Q1/50(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图9页(54)发明名称天线结构及具有该天线结构的电子设备(57)摘要本发明提供一种电子设备的天线结构,包括边框、第一馈入部及第二馈入部,所述边框至少部分由金属材料制成,所述边框上至少开设有第一缝隙及第二缝隙,所述第一缝隙与所述第二缝隙共同自所述边框上划分出第一辐射部及第二辐射部,所述第一馈入部电连接至所述第一辐射部,以为所述第一辐射部馈入电流信号,所述第二馈入部电连接至所述第二辐射部,以为所述第二辐射部馈入电流信号,当所述第一馈入部及所述第二馈入部分别馈入电流时,所述第一辐射部与所述第二辐射部产生至少一个相同的辐射频段,其中,所述至少一个相同的辐射频段为LTE‑A中及高频频段。所述天线结构具宽频效果且可MIMO功能。本发明还提供一种具有该天线结构的电子设备。CN114552171ACN114552171A权利要求书1/2页1.一种电子设备的天线结构,其特征在于,所述天线结构包括边框、第一馈入部及第二馈入部,所述边框至少部分由金属材料制成,所述边框上至少开设有第一缝隙及第二缝隙,所述第一缝隙与所述第二缝隙共同自所述边框上划分出第一辐射部及第二辐射部,所述第一馈入部电连接至所述第一辐射部,且电连接至一第一馈电点,以为所述第一辐射部馈入电流信号,所述第二馈入部电连接至所述第二辐射部,且电连接至一第二馈电点,以为所述第二辐射部馈入电流信号,当所述第一馈入部及所述第二馈入部分别馈入电流时,所述第一辐射部与所述第二辐射部产生至少一个相同的辐射频段,其中,所述至少一个相同的辐射频段为LTE‑A中及高频频段。2.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于:当电流自所述第一馈入部馈入时,所述第一辐射部激发LTE‑A低、中、高频、超中频、超高频、5GN78/N79模态;当电流自所述第二馈入部馈入时,所述第二辐射部激发LTE‑A中、高频模态。3.如权利要求1或2所述的天线结构,其特征在于:所述第一缝隙与所述第二缝隙还自所述边框上划分出一第三辐射部,所述天线结构还包括第三馈入部,所述第三馈入部电连接至所述第三辐射部,且电连接至一第三馈电点,以为所述第三辐射部馈入电流信号,当所述第三馈入部馈入电流时,所述第三辐射部产生超高频、5GN78/N79模态。4.如权利要求3所述的天线结构,其特征在于:所述边框至少包括第一部分、第二部分及第三部分,所述第二部分与所述第三部分分别连接至所述第一部分的两端,所述第二部分与所述第三部分的长度均大于所述第一部分的长度,所述第一缝隙开设于所述第一部分,所述第二缝隙开设于所述第二部分或所述第三部分,所述第一缝隙与所述第二缝隙之间的所述边框构成所述第一辐射部,所述第二辐射部与所述第三辐射部间隔设置于所述第一辐射部的两侧,所述第二辐射部的一端连接至所述第一缝隙,另一端接地,所述第三辐射部的一端连接至所述第二缝隙,另一端接地。5.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于:所述天线结构还包括第一切换电路及第二切换电路,所述第一切换电路及所述第二切换电路设置于所述第一馈入部的两侧,所述第一切换电路及所述第二切换电路的一端均电连接至所述第一辐射部,另一端均接地,用以调节所述第一辐射部的辐射频率。6.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于:所述天线结构还包括接地部,所述接地部的一端电连接至所述第二辐射部远离所述第一缝隙的一端,另一端接地,通过调节所述接地部的位置,以调节所述第二辐射部的频率。7.如权利要求3所述的天线结构,其特征在于:所述天线结构还包括调节部,所述调节部为中高频调节器,所述调节部的一端电连接至所述第三辐射部,另一端接地,用以调节所述天线结构的中、高频频段。8.如权利要求1所述的天线结构,其特征在于:所述边框内侧还开设有槽孔,所述槽孔与所述第一缝隙及所述第二缝隙彼此贯通。9.一种电子设备,其特征在于:所述电子设备包括如权利要求1至8项中任一项所述的天线结构。10.如权利要求9所述的电子设备,其特