一种加热芯片电路以及芯片加热方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115116984A(43)申请公布日2022.09.27(21)申请号202210821969.X(22)申请日2022.07.12(71)申请人杭州雄迈集成电路技术股份有限公司地址311400浙江省杭州市富阳区银湖街道富闲路9号银湖创新中心9号楼四层(72)发明人刘辉(74)专利代理机构杭州裕阳联合专利代理有限公司33289专利代理师王榧(51)Int.Cl.H01L23/34(2006.01)H05B3/00(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种加热芯片电路以及芯片加热方法(57)摘要本发明公开了一种加热芯片电路和芯片加热方法，用于低温环境下的芯片自加热，其中加热芯片电路包括逻辑电路和加热场效应管，所述加热场效应管的漏极和栅极短接，所述加热场效应管的漏极连接所述逻辑电路的输入端，所述加热场效应管的源极连接所述逻辑电路的输出端；或者，所述加热场效应管的源极连接所述逻辑电路的输入端，所述加热场效应管的漏极连接所述逻辑电路的输出端。在不影响逻辑电路本身的工作效果下，增加加热场效应管形成加热电路，根据输入端信号的高电平和低电平的变换周期，周期性地导通加热场效应管，使加热场效应管形成等效电阻，产生能耗释放热能，释放的热能为芯片提供热量，使在低温环境下的芯片保持适宜的温度。CN115116984ACN115116984A权利要求书1/1页1.一种加热芯片电路，其特征在于，用于低温环境下的芯片自加热，包括逻辑电路和加热场效应管，所述加热场效应管的漏极和栅极短接，所述加热场效应管的漏极连接所述逻辑电路的输入端，所述加热场效应管的源极连接所述逻辑电路的输出端；或者，所述加热场效应管的源极连接所述逻辑电路的输入端，所述加热场效应管的漏极连接所述逻辑电路的输出端；所述加热场效应管根据输入端高低电平的变化，周期性地导通或关断。2.根据权利要求1所述的加热芯片电路，其特征在于，所述逻辑电路为倒相器电路，所述加热场效应管为PMOS管，所述PMOS管的漏极连接所述倒相器电路的输入端，所述PMOS管的源极连接所述倒相器电路的输出端，当输入端信号为低电平时，所述PMOS管导通。3.根据权利要求1所述的加热芯片电路，其特征在于，所述逻辑电路为倒相器电路，所述加热场效应管为PMOS管，所述PMOS管的源极连接所述倒相器电路的输入端，所述PMOS管的漏极连接所述倒相器电路的输出端，当输入端信号为高电平时，所述PMOS管导通。4.根据权利要求1所述的加热芯片电路，其特征在于，所述逻辑电路为倒相器电路，所述加热场效应管为NMOS管，所述NMOS管的漏极连接所述倒相器电路的输入端，所述NMOS管的源极连接所述倒相器电路的输出端，当输入端信号为高电平时，所述NMOS管导通。5.根据权利要求1所述的加热芯片电路，其特征在于，所述逻辑电路为与非逻辑电路，所述加热场效应管为PMOS管，所述PMOS管的漏极连接所述与非逻辑电路的输入端，所述PMOS管的源极连接所述与非逻辑电路的输出端，当输入端信号为低电平时，所述PMOS管导通。6.根据权利要求1所述的加热芯片电路，其特征在于，所述逻辑电路为与非逻辑电路，所述加热场效应管为NMOS管，所述NMOS管的漏极连接所述与非逻辑电路的输入端，所述NMOS管的源极连接所述与非逻辑电路的输出端，当输入端信号为高电平时，所述NMOS管导通。7.根据权利要求5或6所述的加热芯片电路，其特征在于，所述加热场效应管为一个或多个，所述加热场效应管接入所述与非逻辑电路的其中一个输入端或多个输入端。8.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1‑7任意一项所述的加热芯片电路。9.一种芯片加热方法，其特征在于，加热如权利要求8的芯片，包括：接收输入端输入的低电平信号或高电平信号，导通或关断所述加热场效应管，根据低电平信号或高电平信号的输入周期，对所述加热场效应管进行周期性地导通。10.根据权利要求9所述的芯片加热方法，其特征在于，还包括测量芯片的当前温度，比较所述当前温度与预设温度，当所述当前温度低于所述预设温度，则连接所述加热芯片电路。2CN115116984A说明书1/4页一种加热芯片电路以及芯片加热方法技术领域[0001]本发明涉及集成电路逻辑电路，具体涉及一种可加热的逻辑电路。背景技术[0002]芯片为半导体元件产品的统称，是一种将集成电路(integratedcircuit，缩写作IC)小型化的方式。集成电路有很多分类，依照电路属模拟或数字，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路。[0003]数字集成电路包括许多逻辑门、触发器、多任务器和其他电路。这些数字IC，以微处理器、数字信号处理器和微控制器为代表，工作中使用二进制，处理1和0信号。模