一种太赫兹偏振转换单元及太赫兹偏振转换器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115390176A(43)申请公布日2022.11.25(21)申请号202211078670.6(22)申请日2022.09.05(71)申请人深圳迈塔兰斯科技有限公司地址518101广东省深圳市宝安区新安街道上合社区33区大宝路83号美生慧谷科技园秋谷8栋6楼(72)发明人陈建发郝成龙谭凤泽朱健(74)专利代理机构深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙)44285专利代理师秦超逸(51)Int.Cl.G02B5/30(2006.01)H01P7/06(2006.01)H01P7/08(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图10页(54)发明名称一种太赫兹偏振转换单元及太赫兹偏振转换器(57)摘要本发明提供了一种太赫兹偏振转换单元及太赫兹偏振转换器，其中，该太赫兹偏振转换单元包括：金属膜底层、第一介质层、相变材料层、第二介质层以及谐振条带层；谐振条带层包括相互平行或垂直的相变材料条带和组合材料条带；组合材料条带包括：金属条带和相变材料端点；金属条带的长度大于相变材料条带的长度，组合材料条带在第二介质层上的正投影贯穿第二介质层。通过本发明实施例提供的太赫兹偏振转换单元及太赫兹偏振转换器，通过令相变材料层、相变材料条带和相变材料端点产生相变，改变谐振腔厚度及产生谐振的条带长度，利用不同状态下不同的谐振腔，对入射光进行高频段或低频段调制，实现将宽带的太赫兹线偏光转为圆偏光的调制效果。CN115390176ACN115390176A权利要求书1/1页1.一种太赫兹偏振转换单元，其特征在于，包括：依次层叠排列的金属膜底层(1)、第一介质层(2)、相变材料层(3)、第二介质层(4)以及谐振条带层(5)；所述第一介质层(2)和所述第二介质层(4)在工作波段透明；所述谐振条带层(5)包括位于同一平面且相互平行或相互垂直设置的相变材料条带(51)和组合材料条带(52)；所述组合材料条带(52)包括：金属条带(521)和连接在所述金属条带(521)端部的相变材料端点(522)；所述金属条带(521)的长度大于所述相变材料条带(51)的长度，所述组合材料条带(52)在所述第二介质层(4)上的正投影贯穿所述第二介质层(4)；所述相变材料层(3)、所述相变材料条带(51)与所述相变材料端点(522)在不同温度下呈现导体态或者半导体态。2.根据权利要求1所述的太赫兹偏振转换单元，其特征在于，所述相变材料条带(51)的个数为多个。3.根据权利要求1所述的太赫兹偏振转换单元，其特征在于，所述组合材料条带(52)与所述第二介质层(4)的对角线重合设置。4.根据权利要求3所述的太赫兹偏振转换单元，其特征在于，所述相变材料条带(51)的个数为非零偶数个，所述组合材料条带(52)的两侧对称设置有所述相变材料条带(51)。5.根据权利要求1‑4任一所述的太赫兹偏振转换单元，其特征在于，所述相变材料层(3)的材料包括：二氧化钒或者锗锑碲；所述相变材料条带(51)的材料包括：二氧化钒或者锗锑碲；所述相变材料端点(522)的材料包括：二氧化钒或者锗锑碲。6.根据权利要求1‑4任一所述的太赫兹偏振转换单元，其特征在于，所述金属膜底层(1)的材料包括：金、银、铜、铝、铂或铬；所述金属条带(521)的材料包括：金、银、铜、铝、铂或铬。7.根据权利要求1‑4任一所述的太赫兹偏振转换单元，其特征在于，所述金属膜底层(1)的厚度大于或等于0.1μm。8.根据权利要求1‑4任一所述的太赫兹偏振转换单元，其特征在于，所述相变材料层(3)的厚度为0.1μm～5μm；所述谐振条带层(5)的厚度为0.1μm～5μm。9.根据权利要求1‑4任一所述的太赫兹偏振转换单元，其特征在于，所述第一介质层(2)的厚度为25μm～45μm；所述第二介质层(4)的厚度为20μm～30μm。10.根据权利要求1‑4任一所述的太赫兹偏振转换单元，其特征在于，所述金属条带(521)的长度为230μm～270μm；所述金属条带(521)的宽度为2μm～30μm。11.根据权利要求1‑4任一所述的太赫兹偏振转换单元，其特征在于，所述相变材料条带(51)的长度为100μm～140μm；所述相变材料条带(51)的宽度为5μm～35μm。12.根据权利要求1‑4任一所述的太赫兹偏振转换单元，其特征在于，所述相变材料条带(51)与所述组合材料条带(52)之间的间距为50μm～90μm。13.根据权利要求1‑4任一所述的太赫兹偏振转换单元，其特征在于，所述太赫兹偏振转换单元沿x方向的周期为180μm～220μm；所述太赫兹偏振转换单元沿y方向的周期为180μm～220μm；且所述x方向与所述y方向为相互垂直的两个方向。14.一种太赫兹偏振转换器，其特征在于，