TFT-LCD制造工艺.ppt

液晶盒外侧有两片偏振片；上基板处的偏振片称为起偏器下基板处的偏振片称为检偏器。CellofaTNAMLCD(2)观察角度不同获得的亮度不同在饱和电压作用下液晶分子为混合取向要得到充分补偿补偿膜中的光轴取向最好满足相应的分布。一、IPS模式的结构IPS是“InPlaneSwitching”（共面开关）的缩写IPS模式是又一种获得广泛应用的广视角模式。IPS模式把这一对电极都制作在下基板上（上基板无电极）通过控制加在这一对电极之间的横向电场来控制液晶分子的排列。所以IPS模式也称为横向电场模式。․In-planeswitching(IPS):l>dwHyundaiandSamsung具有介电各向异性为负的向列相液晶分子在基板间均匀平行沿面排列；梳状内信号电极和公共电极用来产生横向电场以改变液晶分子的光轴在平行于基板平面内的方位角控制透光率。两偏振片正交设置起偏器的偏振化方向与下基板表面处液晶分子指向矢平行；这种结构对在无电场时获得纯黑态有重要意义。二、IPS模式的工作原理非选择态起偏器的偏光轴平行于液晶分子指向矢；当入射光经起偏器得到的线性偏振光；偏振光射入基板处液晶层时其偏振状态不会发生变化。液晶分子均匀平行沿面排列入射线偏光在经过液晶层时也不会发生旋转。上下偏振片的正交设置使得该线偏光完全被检偏器阻隔这样就可以得到几乎接近纯黑的暗态显示。选择态：在梳形内数字电极和公共电极之间施加横向电场作用；具有Δε的液晶分子将转向与该电场的方向排列；通电后产生扭曲角(分子指向矢与入射侧偏振片偏光轴的夹角)这样一部分光就可以从检偏器射出得到亮态显示；液晶分子在盒厚方向倾角始终为0º所以IPS模式中液晶分子表观长度的视角相依性极小。三、IPS模式特性分析IPS模式暗态时液晶分子没有扰动入射光完全被检偏器阻断与视角无关因此无论是垂直还是水平方向±80º内均没有阶调反转现象；IPS模式的对比度可达500：1以上。IPS模式显示的电压保持率很高。其电压保持率几乎不随液晶材料电阻率的变化而变化只需采用价格较低的液晶材料如氰基化合物等就可以获得和TN模式相当的电压保持率；所用液晶材料设计的自由度也大可全面提高显示性能。IPS模式视角特性的方位对称性不佳在某些方位角视角范围不够宽；为了解决这个问题可将电极形状设计成下图所示的形状：在一个像素范围内使梳形电极折成齿状形成液晶分子可左、右旋转的两个区域因而获得分割取向使视角特性得到补偿这种改进型的IPS模式为Super-IPS模式。Super-IPS模式的视角特性IPS模式上下电极（材料一般为Cr或Al）都做在下基板上使得开口率下降相同条件下透射光强度下降从而导致对比度下降（要获得与TN模式相当的对比度就得加大背光源的亮度）。Figure-on-plane(FOP)IPSmode(ERSO)FringingFieldSwitching(FFS)IPS模式下控制液晶分子排列状态的电场是通过下基板上相应电极施加的；由于相邻电极之间的距离比普通TN模式液晶盒的上下玻璃基板更大这就导致在相同驱动电压下两电极之间的电场强度相对较弱（与普通TN模式相比）其结果就是响应速度变慢。若要提高响应速度就必须加大驱动电压从而使功耗增大。3MVA模式多畴垂直取向模式一、VA模式VA模式在不加电压时液晶分子垂直于基板表面排列；使用负性液晶；非选择态经起偏器得到的线偏光就可以不受任何影响的穿过液晶层到达检偏器。上下偏振器正交设置线偏光将完全被检偏器阻挡得到的“纯黑显示”状态与视角无关。这种“纯黑状态”使得VA模式的对比度大大提高。选择态在电极和公共电极之间施加电场作用；具有-Δε的液晶分子将转向与该电场垂直的方向排列；通电后产生液晶分子旋转一部分光从检偏器射出得到亮态显示。与TN模式相比由于VA模式去掉了液晶分子的扭曲结构工作时液晶分子的排列状态只在水平和垂直两种状态之间变换所以VA模式的响应速度大大高于普通TN模式。阈值特性非常陡峭；可用于大容量直接矩阵显示器。VA模式的电光特性曲线在靠近阈值部分基本没有色分离。在垂直入射光情况下可在屏法线方向获得极好的黑白显示。与普通TN模式一样在产生灰阶图像显示时VA模式同样存在着视角范围窄及视角方位不对称的缺陷。二、MVA模式普通的单畴VA模式为获得中间灰阶显示液晶分子需均匀倾斜排列正是液晶分子的这种均匀倾斜排列使得液晶分子的表观长度出现了视角相依性从而导致了视角问题的出现。观察角度不同获得的亮度不同为了解决这个问题采用分割像素法。分割像素法的最主要特点是控制每个像素中的液晶分子沿多个方向倾斜排列这样液晶分子具有对称取向在光学上得到互补从而解决了液晶分子表观长度的视角相依性。双畴垂直取向模式采用双畴取向的液晶