TFTLCD阵列工艺介绍.ppt

TFT-LCD阵列工艺介绍主要内容一、TFT-LCD的基本构造图2液晶盒的构造二、ARRAY工艺介绍2.1阵列基板的构造和功能2.1阵列基板的构造和功能图6TFT器件的基本构造当Vg≤Vth时
Ids=0

当Vg>Vth且Vds<Vg-Vth时
Ids=(W/L)•μC0{(Vg-Vth)Vds-Vds2/2}

当Vg>Vth且Vds>Vg-Vth时
Ids=(W/L)•μC0(Vg-Vth)2/2

式中，Vth:阈值电压
μ：电子迁移率
C0:单位面积栅绝缘层电容2.2阵列基板的制造原理工艺名称图8初始放电和自续放电示意图PCVD原理PR•曝光原理曝光原理湿刻原理反应气体在高频电场作用下发生等离子体（PLASMA）放电。

等离子体与基板发生作用将没有被光刻胶掩蔽的薄膜刻蚀掉。4mask三、阵列检查介绍工程・装置原理Macro検査
移动Array基板、改变照明方式、从不同的角度目視検査基板。3.2尺寸测定3.3PR形状测定3.4自动外观D检Flow①画像取得3.5ELP测定检测原理：
光线经过透明薄膜表面进行反射时，由于光线在薄膜上下表面均产生反射，因此反射光产生光程差Δ（图1所示）。当入射光为线偏光时，反射光为椭偏光。根据光线反射前后偏振状态的改变，可以测量薄膜的光学参数和膜厚，这种方法叫做Ellipsometry法（椭圆偏光解析法）。工程GateEtching
剥离完了目的：测量ＴＦＴ像素特性的測定装置演讲完毕，谢谢听讲!