单路隔离型MOSFET驱动电路.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103199677A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103199677103199677A(43)申请公布日2013.07.10(21)申请号201310119686.1(22)申请日2013.04.08(71)申请人乐金电子研发中心（上海）有限公司地址201206上海市浦东新区云桥路600号研发中心楼(72)发明人王议锋王成山车延博张轶强(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人任默闻(51)Int.Cl.H02M1/08(2006.01)权权利要求书1页利要求书1页说明书6页说明书6页附图3页附图3页(54)发明名称单路隔离型MOSFET驱动电路(57)摘要本发明实施例公开了一种单路隔离型MOSFET驱动电路，包括电平变换及脉冲驱动电路、脉冲变压器、磁复位电路以及加速关断电路；电平变换及脉冲驱动电路用于对输入的脉冲信号进行电平变换和功率放大，以驱动所述脉冲变压器工作；磁复位电路用于使得脉冲变压器可靠磁复位；加速关断电路用于加快所述MOSFET管的开通和关断，其包括一电容、第二电阻、第三电阻与一PNP型三极管；电容的一端与脉冲变压器的副边同名端相连接，另一端连接第二电阻，第二电阻的另一端连接MOSFET管的栅极；第三电阻与所述电容并联；PNP型三极管的集电极与脉冲变压器的副边非同名端相连，基极与电容连接所述第二电阻的一端相连，发射极与MOSFET管的栅极相连。CN103199677ACN103967ACN103199677A权利要求书1/1页1.一种单路隔离型MOSFET驱动电路，其特征在于，包括电平变换及脉冲驱动电路、脉冲变压器、磁复位电路以及加速关断电路；其中，所述电平变换及脉冲驱动电路用于对输入的脉冲信号进行电平变换和功率放大，以驱动所述脉冲变压器工作；所述磁复位电路用于使得所述脉冲变压器可靠磁复位，其包括一二极管与第一电阻组成的串联回路，所述二极管的阴极连接所述脉冲变压器的副边同名端，阳极连接所述第一电阻；所述第一电阻另一端连接所述脉冲变压器的副边非同名端；所述加速关断电路用于加快所述MOSFET管的开通和关断，其包括一电容、第二电阻、第三电阻与一PNP型三极管；所述电容的一端与所述脉冲变压器的副边同名端相连接，另一端连接所述第二电阻，所述第二电阻的另一端连接所述MOSFET管的栅极；所述第三电阻与所述电容并联；所述PNP型三极管的集电极与所述脉冲变压器的副边非同名端相连，基极与所述电容连接所述第二电阻的一端相连，发射极与所述MOSFET管的栅极相连。2.根据权利要求1所述的单路隔离型MOSFET驱动电路，其特征在于，所述电平变换及脉冲驱动电路包括两级共射极放大电路与推挽脉冲放大电路；其中，所述两级共射极放大电路中的第一级放大电路将输入的脉冲信号电压提升至驱动电压且反相，第二级放大电路将所述驱动电压反相，得到与所述输入的脉冲电压相位一致且幅值为VCC的驱动信号；所述推挽脉冲放大电路，由NPN和PNP三极管组成，将所述驱动信号进一步放大，以驱动所述脉冲变压器工作。3.根据权利要求1所述的单路隔离型MOSFET驱动电路，其特征在于，所述电平变换及脉冲驱动电路包括电平变换电路与推挽脉冲放大电路；其中，所述电平变换电路由比较器或高速运算放大器组成，其正端连接所述输入的脉冲信号，负端为门限电压，输出为与所述输入的脉冲信号相位一致且幅值为VCC的驱动信号；所述推挽脉冲放大电路，由NPN和PNP三极管组成，将所述驱动信号进一步放大，以驱动所述脉冲变压器工作。4.根据权利要求1所述的单路隔离型MOSFET驱动电路，其特征在于，所述MOSFET管的栅极和源极之间并联一稳压管，用于稳压。5.根据权利要求1-4任一项所述的单路隔离型MOSFET驱动电路，其特征在于，所述输入的脉冲信号包括PWM信号和PFM信号。2CN103199677A说明书1/6页单路隔离型MOSFET驱动电路技术领域[0001]本发明涉及电力电子驱动应用技术领域，尤其涉及电源管理电路中的MOSFET驱动电路，具体的讲是一种单路隔离型MOSFET驱动电路。背景技术[0002]MOSFET属于电压控制型器件，其输入阻抗高，所需静态驱动功率很小。然而，由于各极之间存在着寄生电容，在开通和关断过程中，特别是在高频率应用中，驱动电路必须能够对其寄生电容进行快速充/放电。因此驱动脉冲应具有足够陡的上升和下降速度且延迟要小。开通时能提供足够大的瞬时峰值电流，使得开通延迟和密勒平台时间足够短，在要求的时间内完成对功率管输入电容Ciss的充放电；关断时能为栅极电荷提供低阻放电回路，提高关断速度。[0003]图1为现有的一种用于占空比变化范围较大场合的不对称半桥磁耦合驱动电路。如图所示，由N