电子行业化合物半导体：5G推动射频行业飞速增长-20190918-国盛证券-20页.pdf

证券研究报告|行业专题研究2019年09月18日电子化合物半导体：5G推动射频行业飞速增长化合物半导体性能优异发展前景广阔。化合物半导体主要指砷化镓增持（维持）（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等第二、第三代半导体相比第一代单质半导体在高频性能、高温性能方面优异很多。砷化镓：具有高行业走势频、抗辐射、耐高温的特性大规模应用于无线通讯领域目前已经成为PA和Switch的主流材料；氮化镓：主要被应用于通讯基站、功率器件等领电子沪深30048%域功放效率高、功率密度大因而能节省大量电能同时减少基站体积和32%质量；碳化硅：主要用于大功率高频功率器件IHS预测到2025年SiC功16%率半导体的市场规模有望达到30亿美元在未来的10年内SiC器件将开0%始大范围地应用于工业及电动汽车领域近期碳化硅产业化进度开始加速-16%意法、英飞凌等中游厂商开始锁定上游晶圆货源。-32%2018-092019-012019-052019-095G提速射频市场有望高速成长。4月初美、韩率先宣布5G商用日本向四大运营商分配5G频段预计明年春正式商用。在海外5G积极推进作者商用的节奏下全球5G推进提速预期强烈从基站端到终端射频需求都有望加速增长。在射频器件领域目前LDMOS、GaAs、GaN三者占比相差不分析师郑震湘执业证书编号：S0680518120002大预计到2025年在砷化镓市场份额基本维持不变的情况下氮化镓有邮箱：[e-mail]望替代大部分LDMOS份额占据射频器件市场半壁江山。研究助理佘凌星邮箱：化合物芯片国产替代踏上征程持续加码化合物半导体。我们认为III-V族