显示设备和用于制造该显示设备的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105374827A(43)申请公布日2016.03.02(21)申请号201510441704.7(22)申请日2015.07.24(30)优先权数据10-2014-01013252014.08.06KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人禹昌升洪淳焕(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人吕俊刚刘久亮(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图15页(54)发明名称显示设备和用于制造该显示设备的方法(57)摘要显示设备和用于制造该显示设备的方法，该显示设备具有：薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管(TFT)包括：连接到栅极线的栅极、连接到数据线的漏极、以及连接到像素电极的源极；以及钝化层，仅在像素的开口和TFT的外围区域中。像素电极与TFT的源极直接接触，并且与TFT的栅极交叠。CN105374827ACN105374827A权利要求书1/2页1.一种显示设备，所述显示设备包括：薄膜晶体管TFT，所述薄膜晶体管包括连接到栅极线的栅极、连接到数据线的漏极、以及连接到像素电极的源极；以及钝化层，所述钝化层仅在像素的开口和所述TFT的外围区域中，其中，所述像素电极与所述TFT的所述源极直接接触，并且与所述TFT的所述栅极交叠。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述TFT包括氧化物半导体，并且其中，所述TFT的所述源极和所述漏极中的每个都包括所述氧化物半导体的金属化部分。3.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：公共电极，公共电压被提供给所述公共电极；以及接触电极，所述接触电极形成在与所述TFT的所述栅极相同的层中，并且连接到所述公共电极，其中，所述公共电极包括金属化氧化物半导体，并且经由所述钝化层中的接触孔与所述接触电极接触。4.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：接触电极，公共电压被提供给所述接触电极；第一氧化物半导体，所述第一氧化物半导体在所述TFT的沟道区中，所述第一氧化物半导体与所述数据线和所述TFT的所述源极和所述漏极接触；第二氧化物半导体，所述第二氧化物半导体与所述接触电极接触；以及绝缘体，所述绝缘体覆盖所述第一氧化物半导体的一部分和所述第二氧化物半导体的一部分，其中，所述像素电极在所述绝缘体上与所述第二氧化物半导体交叠。5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一氧化物半导体不被所述绝缘体覆盖的部分比所述第一氧化物半导体被所述绝缘体覆盖的部分具有更低的电阻，以及其中，所述第二氧化物半导体不被所述绝缘体覆盖的部分比所述第二氧化物半导体被所述绝缘体覆盖的部分具有更低的电阻。6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述第一氧化物半导体不被所述绝缘体覆盖的部分与所述数据线和所述TFT的所述漏极接触，以及其中，所述第二氧化物半导体不被所述绝缘体覆盖的部分与所述接触电极接触。7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述钝化层仅在所述像素的所述开口中，使得所述TFT被暴露在像素区域内。8.一种显示设备，所述显示设备包括：第一金属，所述第一金属包括栅极线、连接到所述栅极线的薄膜晶体管TFT的栅极、以及接触电极；栅绝缘体，所述栅绝缘体覆盖所述TFT的所述栅极和所述栅极线，并且不覆盖所述接触电极；第二金属，在所述栅绝缘体上，所述第二金属包括数据线、连接到所述数据线的所述TFT的漏极、以及所述TFT的源极；2CN105374827A权利要求书2/2页钝化层，所述钝化层包括在所述第二金属的一部分和所述栅绝缘体上的第一无机钝化层、以及在所述第一无机钝化层上的有机钝化层，所述钝化层仅在像素的开口和所述TFT的外围区域中，使得所述TFT被暴露在所述像素内；第一氧化物半导体，所述第一氧化物半导体在所述TFT的沟道区中，所述第一氧化物半导体与所述数据线和所述TFT的所述源极和所述漏极接触；第二氧化物半导体，所述第二氧化物半导体与所述接触电极接触；第二无机绝缘体，所述第二无机绝缘体覆盖所述第一氧化物半导体的一部分和所述第二氧化物半导体的一部分；以及像素电极，所述像素电极在所述第二无机绝缘体上与所述第二氧化物半导体交叠，其中，所述像素电极与所述TFT的所述源极直接接触，并且与所述TFT的所述栅极交叠。9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述第一氧化物半导体不被所述第二无机绝缘体覆盖的部分比所述第一氧化物半导体被所述第二无机绝缘体覆盖的部分具有更低的电阻，并且其中，所述第二氧化物半导体不被所述第二无机绝缘体覆盖的部分比所述第二氧化物半导体被所述第二无机绝缘体覆盖的部分具有更低的电阻。10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第一氧化物半导体不被所述第