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内置式触摸LCD设备及其制造方法及阵列基板制造方法.pdf
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内置式触摸LCD设备及其制造方法及阵列基板制造方法.pdf
本发明提供内置式触摸LCD设备及其制造方法及阵列基板制造方法。TFT阵列基板包括布置于由交叉的栅极线和数据线限定的像素区域中的TFT、布置在TFT上的导线、以及与导线电性接触的透明导电层。滤色器阵列基板包括遮光层、滤色器、覆盖遮光层和滤色器的涂覆层、布置于涂覆层上的柱状衬垫料、以及布置于涂覆层和柱状衬垫料上的公共电极，其中导线向公共电极提供公共电压或触摸驱动信号。
2023-12-07
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用于触摸显示装置的阵列基板及其制造方法.pdf
公开一种用于触摸显示装置的阵列基板及其制造方法。所述阵列基板包括：具有像素区域的基板；在所述像素区域中的基板上的薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上的平坦化层；在所述平坦化层上的触摸公共线；在所述触摸公共线上的第一钝化层，所述第一钝化层具有暴露所述触摸公共线的触摸公共接触孔；在所述像素区域中的第一钝化层上的触摸公共电极，所述触摸公共电极通过所述触摸公共接触孔与所述触摸公共线接触；在所述触摸公共电极上的第二钝化层；以及在所述第二钝化层上的像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管相连。
2023-12-05
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阵列基板及其制造方法.pdf
一种阵列基板包括：基板；位于基板上的氧化物半导体层，氧化物半导体层包括有源区域以及位于有源区域两侧的源极区域和漏极区域；按顺序地位于氧化物半导体层的有源区域上的栅极绝缘层和栅极；中间绝缘层，位于栅极上并且具有分别暴露源极区域和漏极区域的第一半导体接触孔和第二半导体接触孔；和源极和漏极，位于中间绝缘层上并且分别通过第一半导体接触孔和第二半导体接触孔与源极区域和漏极区域接触，其中第一半导体接触孔和第二半导体接触孔设置在两个区域中。
2023-12-07
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阵列基板及其制造方法.pdf
阵列基板及其制造方法。一种阵列基板包括：氧化物半导体层；蚀刻阻止件，其包括将氧化物半导体层的两个侧面中的每一个侧面露出的第一接触孔；彼此隔开的源极和漏极，氧化物半导体层位于源极与漏极之间；包括接触孔的第一钝化层，接触孔将氧化物半导体层的两个端部中的每一个端部以及源极和漏极的分别与氧化物半导体层的两个端部相对的每一个端部露出；以及连接图案，其在所述第二接触孔处与源极和漏极中的每一个以及氧化物半导体层相接触。
2023-12-07
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阵列基板及其制造方法.pdf
本发明提供了一种阵列基板及其制造方法。阵列基板包括基底以及依次设置在基底上的平坦化层和像素定义层，所述平坦化层上设置有凸台，所述像素定义层设置有开口，所述凸台位于所述开口限定的区域内。制备方法包括：形成具有凸台的平坦化层；形成像素定义层，所述像素定义层具有开口，所述凸台位于所述开口限定的区域内。本发明通过在平坦化层上设置凸台，阳极设置在凸台上，有效减小了像素定义层与阳极之间的段差，避免了制备隔离柱构图工艺中造成像素限定区域的有机膜残留，提高了阵列基板的发光特性和良品率。
2023-11-19
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