一种ZnO纳米晶合成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105621476A(43)申请公布日2016.06.01(21)申请号201510993090.3(22)申请日2015.12.25(71)申请人重庆乐乎科技有限公司地址401320重庆市巴南区鱼洞石子坪252号4幢3-15(72)发明人黄宗波(51)Int.Cl.C01G9/03(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种ZnO纳米晶合成方法(57)摘要本发明涉及一种ZnO纳米晶合成方法，包括如下步骤：称取Zn(NO3)2·6H2O和A12(SO4)3·18H2O，加入500mL水中，得到溶液A，称取无水碳酸钠加入到500mL水中，得到溶液B；将盛有去离子水和模板剂的反应器置于超声器的室温水浴槽中，在超声器工作的状态下，同时滴加A、B两种溶液至反应器皿中，并不断搅拌，滴加结束后，体系静置一定时间，以使反应完全，然后抽滤；用去离子水清洗沉淀数次后，将其放人烘箱中干燥，得到白色前驱物Zn5(CO3)2·(OH)6；研细后置于马弗炉中，焙烧、冷却至室温，即得到白色产物ZAO粉体。本发明方法简单、成本低廉、易实现，合成的ZAO纳米晶导电性和分散性得到明显提高。CN105621476ACN105621476A权利要求书1/1页1.一种ZnO纳米晶合成方法，其特征在于，包括如下步骤：称取Zn(NO3)2·6H2O和A12(SO4)3·18H2O，加入500mL水中，得到溶液A，称取无水碳酸钠加入到500mL水中，得到溶液B；将盛有去离子水和模板剂的反应器置于超声器的室温水浴槽中，在超声器工作的状态下，同时滴加A、B两种溶液至反应器皿中，并不断搅拌；滴加结束后，体系静置一定时间，以使反应完全，然后抽滤；用去离子水清洗沉淀数次后，将其放人烘箱中干燥，得到白色前驱物Zn5(CO3)2·(0H)6；研细后置于马弗炉中，焙烧、冷却至室温，即得到白色产物ZAO粉体。2.根据权利要求1所述一种ZnO纳米晶合成方法，其特征在于，所述称取Zn(NO3)2·6H2O和A12(SO4)3·18H2O，加入500mL水中，得到溶液A，称取无水碳酸钠加入到500mL水中，得到溶液B步骤的具体实现如下：按照Al2O3:ZnO为1:50～1:100，称取Zn(NO3)2·6H2O和A12(SO4)3·18H2O，加入500mL水中，得到溶液A，称取0.47～0.5mol无水碳酸钠加入到500mL水中，得到溶液B。3.根据权利要求1所述一种ZnO纳米晶合成方法，其特征在于，所述将盛有去离子水和模板剂的反应器置于超声器的室温水浴槽中，在超声器工作的状态下，同时滴加A、B两种溶液至反应器皿中，并不断搅拌步骤的具体实现如下：将盛有200～250mL去离子水和0.001～0.003mol模板剂的反应器置于超声器的室温水浴槽中，在超声器工作的状态下，同时滴加A、B两种溶液20～25mL至反应器皿中，并不断搅拌，并通过调整两种溶液的滴加速率来保持体系的pH为7左右，滴加溶液所用时间为20～30min。4.根据权利要求1所述一种ZnO纳米晶合成方法，其特征在于，所述滴加结束后，体系静置一定时间，以使反应完全，然后抽滤步骤的具体实现如下：滴加结束后，体系静置5～10min，以使反应完全，然后抽滤。5.根据权利要求1所述一种ZnO纳米晶合成方法，其特征在于，所述用去离子水清洗沉淀数次后，将其放人烘箱中干燥，得到白色前驱物Zn5(CO3)2·(0H)6步骤的具体实现如下：用去离子水清洗沉淀数次后，将其放人烘箱中80～100℃条件下，干燥2～4h，得到白色前驱物Zn5(CO3)2·(0H)6。6.根据权利要求1所述一种ZnO纳米晶合成方法，其特征在于，所述研细后置于马弗炉中，焙烧、冷却至室温，即得到白色产物ZAO粉体步骤的具体实现如下：研细后置于马弗炉中，在550～600℃条件下焙烧1～2h、冷却至室温，即得到白色产物ZAO粉体。2CN105621476A说明书1/3页一种ZnO纳米晶合成方法技术领域[0001]本发明涉及一种半导体光电材料合成技术，尤其涉及一种ZnO纳米晶合成方法。背景技术[0002]氧化锌是一种应用范围极广的半导体光电材料，其直接带隙为3.37eV，激子束缚能高达60meV。掺铝氧化锌(zincaluminiumoxide，简称ZAO)是氧化锌与氧化铝形成的置换型固溶体，不仅紫外线吸收性能好、化学稳定性高，而且具有颜色浅、可见光透过率高、导电性好等特性，可以广泛应用在抗静电涂料、橡胶和塑料等领域，有取代导电性好但价格昂贵的ITO材料的趋势。[0003]目前，有关纳米ZAO的研究主要集中在薄膜的制备及相关性能的研究上，关于粉体材料的制备研究报道却很少，其合成方法也仅局限于共沉