IGBT驱动电路、IGBT过流保护电路及方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106160710A(43)申请公布日2016.11.23(21)申请号201510129228.5(22)申请日2015.03.23(71)申请人乐星产电（无锡）有限公司地址214028江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区乐星路LS产业园(72)发明人李哲(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003代理人苏捷向勇(51)Int.Cl.H03K17/08(2006.01)H03K17/567(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图6页(54)发明名称IGBT驱动电路、IGBT过流保护电路及方法(57)摘要本公开提供了一种IGBT驱动电路、IGBT过流保护电路及方法。该IGBT过流保护方法，应用于一包括驱动芯片的IGBT驱动电路；所述IGBT过流保护方法包括：响应一对应IGBT工作于放大区域的第一电学特性而将一安全电压作为采样电压传输至所述驱动芯片；以及，响应一对应IGBT工作于饱和区域的第二电学特性而将所述IGBT的管压降作为所述采样电压传输至所述驱动芯片；其中，所述安全电压位于所述预设范围。该IGBT过流保护电路中可以减少或者避免在IGBT正常的过渡过程发生过流保护的误动作。CN106160710ACN106160710A权利要求书1/2页1.一种IGBT过流保护方法，应用于一包括驱动芯片的IGBT驱动电路；所述驱动芯片用于提供一IGBT栅极电压至一IGBT的栅极而导通或关断所述IGBT，并在接收到的一采样电压超出预设范围时，通过所述IGBT栅极电压关断所述IGBT；其特征在于，所述IGBT过流保护方法包括：响应一对应IGBT工作于放大区域的第一电学特性而将一安全电压作为所述采样电压传输至所述驱动芯片；以及，响应一对应IGBT工作于饱和区域的第二电学特性而将所述IGBT的管压降作为所述采样电压传输至所述驱动芯片；其中，所述安全电压位于所述预设范围。2.根据权利要求1所述的IGBT过流保护方法，其特征在于，所述第一电学特性和第二电学特性分别为所述IGBT工作于放大区域和饱和区域时的所述IGBT栅极电压。3.一种IGBT过流保护电路，应用于一包括驱动芯片的IGBT驱动电路；所述驱动芯片用于提供一IGBT栅极电压至一IGBT的栅极而导通或关断所述IGBT，并在接收到的一采样电压超出预设范围时，通过所述IGBT栅极电压关断所述IGBT；其特征在于，所述IGBT过流保护电路包括：一过流检测模块，用于响应一对应IGBT工作于放大区域的第一电学特性而将一安全电压作为所述采样电压传输至一驱动芯片，以及用于响应一对应IGBT工作于饱和区域的第二电学特性而将所述IGBT的管压降作为所述采样电压传输至所述驱动芯片；其中，所述安全电压位于所述预设范围。4.根据权利要求3所述的IGBT过流保护电路，所述第一电学特性和第二电学特性分别为所述IGBT工作于放大区域和饱和区域时的所述IGBT栅极电压。5.根据权利要求4所述的IGBT过流保护电路，其特征在于，所述过流检测模块包括：一第一电容，其第一端与所述IGBT栅极电压连接；一第一晶体管，其第一端接地，其第二端与所述IGBT的管压降及所述驱动芯片连接，其控制端与所述第一电容第二端连接；其中，所述第一晶体管的管压降为所述安全电压。6.根据权利要求5所述的IGBT过流保护电路，其特征在于，所述第一晶体管的型号为KRC101S。7.根据权利要求5或6所述的IGBT过流保护电路，其特征在于，所述过流检测模块还包括：一第二电容，其第一端与所述第一晶体管第一端连接，第二端与所述第一晶体管第二端连接。8.根据权利要求7所述的IGBT过流保护电路，其特征在于，所述过流检测模块还包括：一第一电阻，其第一端与所述第一电容第二端连接，第二端与所述第一晶体管控制端连接；一第二电阻，其第一端与所述第一晶体管控制端连接，第二端与所述与所述第一晶体管第一端连接。9.根据权利要求3-6或8任意一项所述的IGBT过流保护电路，其特征在于，所述驱动2CN106160710A权利要求书2/2页芯片为HCPL-316J驱动芯片。10.一种IGBT驱动电路，其特征在于，包括：一如权利要求3-9任意一项所述的IGBT过流保护电路；以及一驱动芯片，用于根据一输入信号提供一IGBT栅极电压至所述IGBT的栅极从而导通或关断所述IGBT，并在接收到的所述采样电压超出预设范围时，通过所述IGBT栅极电压关断所述IGBT。3CN106160710A说明书1/6页IGBT驱动电路、IGBT过流保护电路及方法技术领域[0001]本公开涉及电力技术领域，具体涉及一种IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)过流保护电路、