薄膜晶体管和显示装置的包括该薄膜晶体管的背板基板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106158977A(43)申请公布日2016.11.23(21)申请号201610323725.3(22)申请日2016.05.16(30)优先权数据10-2015-00673212015.05.14KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人吴锦美严惠先杨仙英李正仁(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人王萍陈炜(51)Int.Cl.H01L29/786(2006.01)H01L27/12(2006.01)H01L29/423(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图9页(54)发明名称薄膜晶体管和显示装置的包括该薄膜晶体管的背板基板(57)摘要本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括在基板上的栅电极。栅电极包括平坦部和在平坦部侧面的倾斜部。倾斜部的高度与宽度的比率(高度/宽度)为1.192或更小。该薄膜晶体管还包括栅极绝缘层，其设置在基板上以覆盖栅电极；以及多晶硅有源层，其位于栅极绝缘层上并且在栅电极上方。该薄膜晶体管进一步包括分别连接至多晶硅有源层的两个相对的端部的源电极和漏电极。CN106158977ACN106158977A权利要求书1/2页1.一种薄膜晶体管，包括：基板；在所述基板上的栅电极，所述栅电极包括平坦部和所述平坦部的侧面处的倾斜部，所述倾斜部的高度与宽度的比率，即高度/宽度，为1.192或更小；栅极绝缘层，其设置在所述基板上以覆盖所述栅电极；多晶硅有源层，其位于所述栅极绝缘层上并且在所述栅电极上方；以及分别连接至所述多晶硅有源层的两个相对的端部的源电极和漏电极。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述倾斜部的锥形表面相对于所述基板的顶表面的角度在2°和50°之间的范围内。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述平坦部的厚度基本上等于所述倾斜部的高度，并且所述厚度至少为4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅极绝缘层和所述多晶硅有源层均覆盖所述栅电极的平坦部和倾斜部。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述倾斜部包括：设置成靠近所述基板的第一倾斜部，所述第一倾斜部的锥形表面具有相对于所述基板的表面的第一角度；以及在所述第一倾斜部上的第二倾斜部，所述第二倾斜部的锥形表面具有相对于所述基板的表面的第二角度。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述第一角度大于所述第二角度。7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述第一倾斜部的厚度等于或小于所述平坦部的厚度的一半。8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述第二角度在2°和50°之间的范围内。9.一种显示装置的背板基板，包括：具有布置成矩阵的多个像素的基板，其中所述像素中的至少一个包括：在所述基板上的栅电极，所述栅电极包括平坦部和所述平坦部的侧面处的倾斜部，所述倾斜部的高度与宽度的比率，即高度/宽度，是1.192或更小；栅极绝缘层，其设置在所述基板上以覆盖所述栅电极；多晶硅有源层，其设置在所述栅极绝缘层上并且在所述栅电极上方；以及分别连接至所述多晶硅有源层的两个相对的端部的源电极和漏电极。10.根据权利要求9所述的背板基板，其中所述倾斜部的锥形表面相对于所述基板的顶表面的角度在2°和50°之间的范围内。11.根据权利要求9所述的背板基板，其中，所述平坦部的厚度基本上等于所述倾斜部的高度，并且所述厚度至少为12.根据权利要求9所述的背板基板，其中，所述栅极绝缘层和所述多晶硅有源层均覆盖所述栅电极的平坦部和倾斜部。13.根据权利要求9所述的背板基板，其中，所述倾斜部包括：设置成靠近所述基板的第一倾斜部，所述第一倾斜部的锥形表面具有相对于所述基板的表面的第一角度；以及2CN106158977A权利要求书2/2页在所述第一倾斜部上的第二倾斜部，所述第二倾斜部的锥形表面具有相对于所述基板的表面的第二角度。14.根据权利要求13所述的背板基板，其中，所述第一角度大于所述第二角度。15.根据权利要求13所述的背板基板，其中，所述第一倾斜部的厚度等于或小于所述平坦部的厚度的一半。16.根据权利要求13所述的背板基板，其中，所述第二角度在2°和50°之间的范围内。17.一种显示装置，包括根据权利要求9所述的背板基板，其中所述显示装置是液晶显示装置或者有机发光显示装置。18.根据权利要求17所述的显示装置，其中：所述显示装置是液晶显示装置，以及所述像素进一步包括连接到所述漏电极的像素电极。19.根据权利要求17所述的显示装置，其中：所述显示装置是有机发光显示装置，所述像素进一步包括有机发光二极管，以及所述漏电极构成所述有机发光二极管的第一电极。3CN106158977A说明书1/9页薄膜晶体管和显示装置的包括该薄膜晶体管的背板基板