清洁装置、收集构件、定影装置和图像形成设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106200321A(43)申请公布日2016.12.07(21)申请号201510323869.4(22)申请日2015.06.12(30)优先权数据2014-2365102014.11.21JP(71)申请人富士施乐株式会社地址日本东京都(72)发明人中尾仁亮(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人王小东(51)Int.Cl.G03G15/20(2006.01)权利要求书2页说明书17页附图11页(54)发明名称清洁装置、收集构件、定影装置和图像形成设备(57)摘要本发明涉及一种清洁装置、收集构件、定影装置和图像形成设备。所述清洁装置包括清洁构件和收集构件。所述清洁构件在与进行旋转或循环的待清洁构件接触的同时进行旋转，以将附着于所述待清洁构件的附着物转移至所述清洁构件。所述收集构件由具有彼此相连的多个孔的多孔材料制成，所述收集构件在与所述清洁构件的表面接触的同时进行旋转，从而将已转移至所述清洁构件的所述附着物收集在所述孔中。CN106200321ACN106200321A权利要求书1/2页1.一种清洁装置，该清洁装置包括：清洁构件，该清洁构件在与进行旋转或循环的待清洁构件接触的同时进行旋转，以将附着于所述待清洁构件的附着物转移至所述清洁构件；以及收集构件，该收集构件由具有彼此相连的多个孔的多孔材料制成，所述收集构件在与所述清洁构件的表面接触的同时进行旋转，从而将已转移至所述清洁构件的所述附着物收集在所述孔中。2.根据权利要求1所述的清洁装置，其中，所述孔沿所述收集构件的旋转轴线方向彼此相连。3.根据权利要求1或2所述的清洁装置，其中，所述收集构件由多孔金属制成。4.根据权利要求1或2所述的清洁装置，其中，所述收集构件在与所述清洁构件的所述表面接触的外周面处的表面开口率在约50％至97％的范围内。5.根据权利要求3所述的清洁装置，其中，所述收集构件在与所述清洁构件的所述表面接触的外周面处的表面开口率在约50％至97％的范围内。6.根据权利要求1或2所述的清洁装置，其中，被转移至所述清洁构件的所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下在约1至3的范围内。7.根据权利要求3所述的清洁装置，其中，被转移至所述清洁构件的所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下在约1至3的范围内。8.根据权利要求4所述的清洁装置，其中，被转移至所述清洁构件的所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下在约1至3的范围内。9.根据权利要求5所述的清洁装置，其中，被转移至所述清洁构件的所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下在约1至3的范围内。10.一种收集构件，该收集构件包括：支撑构件；以及多孔层，该多孔层设置在所述支撑构件的外周处并包括彼此相连的多个孔，所述多孔层与如下构件接触：该构件进行旋转或循环并且将要从该构件收集附着物，从而将附着于所述构件的所述附着物收集在所述孔中。11.根据权利要求10所述的收集构件，其中，所述多孔层中的所述孔的平均直径在约5μm至1000μm的范围内。12.根据权利要求10或11所述的收集构件，其中，所述多孔层的体积孔隙率在约50％至97％的范围内。13.根据权利要求10或11所述的收集构件，其中，所述多孔层进一步包括多个小孔，所述多个小孔的直径小于所述孔的直径且所述多个小孔彼此相连。14.根据权利要求12所述的收集构件，其中，所述多孔层进一步包括多个小孔，所述多个小孔的直径小于所述孔的直径且所述多个小孔彼此相连。15.根据权利要求10或11所述的收集构件，其中，被收集在所述孔中的所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下在约1至3的范围内。16.根据权利要求12所述的收集构件，其中，被收集在所述孔中的所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下在约1至3的范围内。17.根据权利要求13所述的收集构件，其中，被收集在所述孔中的所述附着物的损耗2CN106200321A权利要求书2/2页角正切值(tanδ)在约110℃下在约1至3的范围内。18.根据权利要求14所述的收集构件，其中，被收集在所述孔中的所述附着物的损耗角正切值(tanδ)在约110℃下在约1至3的范围内。19.一种定影装置，该定影装置包括：一对定影构件，所述一对定影构件在彼此接触的同时进行旋转或循环，并且所述一对定影构件在夹持形成有色调剂图像的记录介质的同时向所述记录介质施加热和压力，从而将所述色调剂图像定影在所述记录介质上；清洁构件，该清洁构件在与所述定影构件中的至少一个定影构件接触的同时进行旋转，从而将附着于所述定影构件中的所述至少一个定影构件的附着物转移至所述清洁构件；以及收集构件，该收集构件由具有彼此相连