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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106782259A(43)申请公布日2017.05.31(21)申请号201610847685.2(22)申请日2016.09.23(30)优先权数据10-2015-01371282015.09.25KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人柳成彬李瑛长(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人李辉刘久亮(51)Int.Cl.G09G3/20(2006.01)权利要求书2页说明书28页附图18页(54)发明名称显示装置以及驱动该显示装置的方法(57)摘要提供了一种显示装置以及驱动该显示装置的方法,该显示装置显示装置以及驱动该显示装置的方法通过使得像素能够以在低速驱动模式下比在正常驱动模式下低的刷新率被驱动并且将水平消隐时间控制为在低速驱动模式下比在正常驱动模式下长,来防止低速驱动期间图像质量的劣化。CN106782259ACN106782259A权利要求书1/2页1.一种显示装置,该显示装置包括:显示面板,该显示面板具有彼此交叉的数据线和选通线以及以矩阵形式布置的像素;显示面板驱动电路,该显示面板驱动电路用于将数据写入到所述显示面板;以及定时控制器,该定时控制器使得所述像素能够以在低速驱动模式下比在正常驱动模式下低的刷新率被驱动,并且将水平消隐时间控制为在所述低速驱动模式下比在所述正常驱动模式下长,其中,所述水平消隐时间是在通过所述数据线连续提供的第n数据电压与第(n+1)数据电压之间不存在数据电压的时间段,n是正整数,并且所述显示面板驱动电路在所述正常驱动模式下在一帧周期期间将一帧的图像数据写入到所述像素,并且在所述低速驱动模式下在i帧周期期间按照分布式的方式将一帧的图像数据写入到所述像素,i是2至4的正整数。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在低速驱动模式下,每个像素在所述i帧周期中利用数据电压对所述每个像素自身充电一次,并且除了所述i帧周期以外,每个像素在针对所述低速驱动模式设置的单位时间期间保持所述数据电压。3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素在所述正常驱动模式和所述低速驱动模式下通过顺序扫描或者隔行扫描来驱动。4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素在所述正常驱动模式下通过顺序扫描来驱动,并且在所述低速驱动模式下通过隔行扫描来驱动。5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素在所述正常驱动模式下通过隔行扫描来驱动,并且在所述低速驱动模式下通过顺序扫描来驱动。6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述定时控制器将所述低速驱动模式下的水平消隐时间控制为比所述正常驱动模式下的水平消隐时间长两倍或者更多。7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素包括氧化物晶体管。8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素包括氧化物晶体管和多晶硅晶体管。9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述氧化物晶体管是开关晶体管,并且所述多晶硅晶体管是驱动晶体管。10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述氧化物晶体管具有底栅结构并且所述多晶硅晶体管具有顶栅结构,并且在所述多晶硅晶体管的第一栅极和所述氧化物晶体管的第二栅极上面形成有层间介电层。11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述层间介电层包括氮化物层和第一氧化物层。12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一氧化物层被形成在所述氮化物层上,并且所述层间介电层还包括形成在所述氮化物层下面的第二氧化物层。13.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述氮化物层选择性地覆盖设置有所述多晶硅晶体管的第一区域,但是不覆盖设置有所述氧化物晶体管的第二区域。14.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述氮化物层选择性地覆盖设置有所述多晶硅晶体管的第一区域,但是不覆盖设置有所述氧化物晶体管的第二区域。15.一种驱动显示装置的方法,该显示装置包括:显示面板,该显示面板具有彼此交叉2CN106782259A权利要求书2/2页的数据线和选通线以及以矩阵形式布置的像素;以及显示面板驱动电路,该显示面板驱动电路用于将数据写入到所述显示面板,该方法包括以下步骤:与正常驱动模式相比在低速驱动模式下减小所述显示面板驱动电路的驱动频率和功耗,并且将水平消隐时间控制为在所述低速驱动模式下比在所述正常驱动模式下长,其中,所述水平消隐时间是在通过所述数据线连续提供的第n数据电压与第(n+1)数据电压之间不存在数据电压的时间段,n是正整数,并且所述显示面板驱动电路在所述正常驱动模式下在一帧周期期间将一帧的图像数据写入到所述像素,并且在所述低速驱动模式下在i帧周期期间按照分布式的方式将一帧的图像数据写入到所述像素,i是2至4的正整数。16.根据权利要求15所