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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106920507A(43)申请公布日2017.07.04(21)申请号201611193226.3(22)申请日2016.12.21(30)优先权数据10-2015-01875372015.12.28KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人朴春镐金相寿金度亨罗世焕金劭贤郑京准朴振佑李宰泳全仁荣金美廷(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国(51)Int.Cl.G09G3/3208(2016.01)G02B27/01(2006.01)权利要求书3页说明书12页附图9页(54)发明名称用于个人沉浸装置的显示装置(57)摘要一种虚拟现实显示装置,可包括第一像素阵列和第二像素阵列。所述像素阵列的像素可具有小于2msec的响应时间,其中像素的所述响应时间是像素的亮度从白色亮度的10%上升至白色亮度的90%的第一时间量与像素的亮度从白色亮度的90%下降至白色亮度的10%的第二时间量之和。此外,所述第一像素阵列可与所述第二像素阵列分开一间隙,并且从所述第一像素阵列的中心到所述第二像素阵列的中心的距离在58mm到72mm之间。CN106920507ACN106920507A权利要求书1/3页1.一种虚拟现实显示装置,包括:所述虚拟现实显示装置的第一像素阵列,其中所述第一像素阵列的像素具有小于2msec的响应时间,像素的所述响应时间是像素的亮度从白色亮度的10%上升至白色亮度的90%的第一时间量与像素的亮度从白色亮度的90%下降至白色亮度的10%的第二时间量之和。2.根据权利要求1所述的虚拟现实显示装置,其中所述第一像素阵列的像素包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。3.根据权利要求1所述的虚拟现实显示装置,其中所述第一像素阵列具有等于或大于1440×1280的分辨率、等于或大于500ppi的像素密度、以及等于或大于14%的像素开口率。4.根据权利要求1所述的虚拟现实显示装置,进一步包括:与所述第一像素阵列分开一间隙的第二像素阵列,其中从所述第一像素阵列的中心到所述第二像素阵列的中心的距离在58mm到72mm之间。5.根据权利要求1所述的虚拟现实显示装置,进一步包括:与所述第一像素阵列分开一间隙的第二像素阵列,其中所述第一像素阵列沿第一方向与所述第二像素阵列相邻,其中所述第一像素阵列具有横屏型宽高比,使得所述第一像素阵列在所述第一方向上的长度比所述第一像素阵列在垂直于所述第一方向的第二方向上的长度长,并且其中所述第二像素阵列具有横屏型宽高比,使得所述第二像素阵列在所述第一方向上的长度比所述第二像素阵列在所述第二方向上的长度长。6.根据权利要求1所述的虚拟现实显示装置,进一步包括:与所述第一像素阵列分开一间隙的第二像素阵列;第一数据驱动器IC,所述第一数据驱动器IC给耦接至所述第一像素阵列的第一数据线提供数据电压;第二数据驱动器IC,所述第二数据驱动器IC给耦接至所述第二像素阵列的第二数据线提供数据电压。7.根据权利要求6所述的虚拟现实显示装置,进一步包括:第一栅极驱动器,所述第一栅极驱动器给耦接至所述第一像素阵列的第一栅极线提供扫描信号;和第二栅极驱动器,所述第二栅极驱动器给耦接至所述第二像素阵列的第二栅极线提供扫描信号,所述第一栅极驱动器和所述第二栅极驱动器位于所述第一像素阵列与所述第二像素阵列之间。8.根据权利要求1所述的虚拟现实显示装置,其中所述第一像素阵列包括耦接至第一发光线和第一扫描线的第一像素,并且进一步包括驱动器电路,所述驱动器电路:在帧时段期间以第一电压电平给所述第一扫描线提供第一扫描信号,以将第一数据电压扫描到所述第一像素中;并且在所述帧时段期间并且在所述第一扫描信号具有第二电压电平时,给所述第一发光线提供具有小于或等于50%的占空比的第一发光信号,所述第一像素的发光基于所述第一发2CN106920507A权利要求书2/3页光信号的状态开启和关断。9.根据权利要求8所述的虚拟现实显示装置,其中所述第一像素包括:发光元件,所述发光元件根据流过所述发光元件的电流而发光;存储电容器;扫描晶体管,所述扫描晶体管给所述存储电容器提供所述第一数据电压,所述扫描晶体管具有连接至所述第一扫描线的栅极;驱动晶体管,所述驱动晶体管根据所述第一数据电压控制流过所述发光元件的电流的电平;和开关晶体管,所述开关晶体管响应于所述第一发光信号的状态导通和关断所述电流。10.根据权利要求8所述的虚拟现实显示装置,其中所述第一像素阵列进一步包括耦接至第二发光线和第二扫描线的第二像素;并且其中所述驱动器电路:在所述帧时段期间以所述第一电压电平给所述第二扫描线提供第二扫描信号,以将第二数据电压扫描到所述第二像素中;并且在