预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共18页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107017353A(43)申请公布日2017.08.04(21)申请号201610908982.3(22)申请日2016.10.19(30)优先权数据10-2015-01512862015.10.29KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人李在暎金智珉金志燕吴相训李宛洙(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人李辉刘久亮(51)Int.Cl.H01L51/52(2006.01)H01L51/56(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图5页(54)发明名称柔性有机发光显示装置及其制造方法(57)摘要柔性有机发光显示装置及其制造方法。一种柔性有机发光显示(OLED)装置包括:有机发光二极管,该有机发光二极管位于柔性基板上;包封膜,该包封膜覆盖所述有机发光二极管并且包括第一无机层和有机层。所述第一无机层由第一材料形成,并且所述第一无机层的至少一部分包含掺杂剂,与未掺杂的材料的表面能相比,该掺杂剂使经掺杂的材料的表面能增加。CN107017353ACN107017353A权利要求书1/2页1.一种柔性有机发光显示OLED装置,该柔性OLED装置包括:柔性基板;有机发光二极管,该有机发光二极管位于所述柔性基板上;以及包封膜,该包封膜覆盖所述有机发光二极管,所述包封膜包括:第一无机层,该第一无机层包含第一材料并且包封所述有机发光二极管,所述第一无机层的至少一部分还包含掺杂剂,与未掺杂的第一材料的表面能相比,该掺杂剂使经掺杂的第一材料的表面能增加;以及有机层,该有机层位于所述第一无机层上。2.根据权利要求1所述的柔性OLED装置,其中,所述第一材料是氧化硅,并且所述掺杂剂是氮。3.根据权利要求1所述的柔性OLED装置,其中,所述第一无机层的所述部分是所述第一无机层的顶表面。4.根据权利要求1所述的柔性OLED装置,其中,在所述第一无机层的所述部分内,所述第一无机层的第一部分中的所述掺杂剂的浓度高于所述第一无机层的比所述第一部分更靠近所述有机发光二极管的第二部分中的所述掺杂剂的浓度。5.根据权利要求4所述的柔性OLED装置,其中,所述第一无机层的位于所述第一部分与所述第二部分之间的第三部分中的所述掺杂剂的浓度高于所述第二部分中的所述掺杂剂的浓度,但是低于所述第一部分中的所述掺杂剂的浓度。6.根据权利要求4所述的柔性OLED装置,其中,所述第一无机层的所述第二部分包含所述未掺杂的第一材料。7.根据权利要求4所述的柔性OLED装置,其中,所述第一材料是氧化硅并且所述掺杂剂是氮,并且当所述第一部分中的经掺杂的第一材料的化学式是Six1Oy1Nz1:H时,所述第二部分中的经掺杂的第一材料的化学式是Six2Oy2Nz2:H,其中,x1≤x2,y1<y2并且z1>z2。8.根据权利要求7所述的柔性OLED装置,其中,0.8≤x1,x2≤1.2,1.4≤y1,y2≤1.9,0<z1≤0.5并且0≤z2≤0.5。9.根据权利要求1所述的柔性OLED装置,其中,所述掺杂剂在所述第一无机层的所述部分中具有浓度梯度。10.根据权利要求1所述的柔性OLED装置,其中,所述包封膜还包括第二无机层,该第二无机层覆盖所述有机层并且包含氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。11.根据权利要求10所述的柔性OLED装置,其中,所述第二无机层比所述第一无机层厚。12.根据权利要求1所述的柔性OLED装置,该柔性OLED装置还包括:薄膜晶体管,该薄膜晶体管位于所述柔性基板与所述有机发光二极管之间;以及钝化层,该钝化层位于所述薄膜晶体管与所述有机发光二极管之间,其中,所述有机发光二极管电连接到所述薄膜晶体管。13.一种制造柔性有机发光显示OLED装置的方法,该方法包括以下步骤:在柔性基板上形成有机发光二极管;在所述有机发光二极管上形成第一材料的第一层,以包封所述有机发光二极管;在所述第一层上使用包含掺杂剂的气体来执行等离子体处理工序,以形成具有包含所2CN107017353A权利要求书2/2页述掺杂剂的至少一部分的第一无机层,其中,与未掺杂的第一材料的表面能相比,所述掺杂剂使经掺杂的第一材料的表面能增加;以及在所述第一无机层上形成有机层。14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述第一材料是氧化硅,并且氧化硅的所述第一层是通过原子层沉积ALD工序形成的。15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述ALD工序使用O2反应气体、N2吹扫气体、以及从双(乙基甲基氨基)硅烷、二异丙基氨基硅烷、三甲基甲硅烷基叠氮化物和三(二甲基氨基)硅烷中选择的前体。16.根据权利要求13所述的方法,其中,所述掺杂剂是氮。17.根据权利要求16所述的方法,其中,包含所述掺杂剂的所述气体是N