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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107146820A(43)申请公布日2017.09.08(21)申请号201710140464.6(22)申请日2017.03.10(71)申请人泰州隆基乐叶光伏科技有限公司地址225300江苏省泰州市海陵区兴泰南路268号(72)发明人李华鲁伟明李中兰(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243代理人王素琴(51)Int.Cl.H01L31/0224(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称全背电极太阳电池结构及其制备方法(57)摘要本发明提供一种全背电极太阳电池结构及其制备方法,包括N型单晶衬底,N型单晶衬底的正面形成金字塔绒面,金字塔绒面上设置有前表面场掺杂层,前表面场掺杂层上设置有正面钝化减反膜;N型单晶衬底的背面形成抛光面,抛光面上设有掺杂图形层,掺杂图形层包括P型掺杂区和N型掺杂区,且P型掺杂区与N型掺杂区之间由非掺杂区域隔开,掺杂图形层上设置背面钝化膜,背面钝化膜设置多个接触孔,金属电极通过接触孔分别与P型掺杂区、N型掺杂区形成金属接触;本发明电池效率较高,P、N接触区处不存在漏电问题,减少了电池制备过程中的热过程,简化了背面图形化工艺实现方式,缩短了工艺流程。CN107146820ACN107146820A权利要求书1/2页1.一种全背电极太阳电池结构,其特征在于:包括N型单晶衬底,N型单晶衬底的正面形成金字塔绒面,金字塔绒面上设置有前表面场掺杂层,前表面场掺杂层上设置有正面钝化减反膜;N型单晶衬底的背面形成抛光面,背面抛光面上设有掺杂图形层,掺杂图形层包括P型掺杂区和N型掺杂区,且P型掺杂区与N型掺杂区之间由非掺杂区域隔开,掺杂图形层上设置背面钝化膜,背面钝化膜上设置多个接触孔,金属电极通过接触孔分别与P型掺杂区、N型掺杂区形成金属接触。2.如权利要求1所述的全背电极太阳电池结构,其特征在于:N型单晶衬底的背面设有交替排列的线状P型掺杂区和线状N型掺杂区,或,N型单晶衬底的背面设有被P型掺杂区环绕的点状或块状N型掺杂区,或,N型单晶衬底的背面设有被N型掺杂区环绕的点状或块状P型掺杂区。3.如权利要求2所述的全背电极太阳电池结构,其特征在于:N型单晶衬底的背面设有交替排列的重复间距为0.5-3mm的P型掺杂区和N型掺杂区。4.如权利要求1所述的全背电极太阳电池结构,其特征在于:背面P型掺杂区的面积占比为50%-80%,背面N型掺杂区面积占比为10%-50%,非掺杂区域的面积比例为0%-20%,P型掺杂区方阻为50-200Ω/□,N型掺杂区方阻为20-100Ω/□,前表面场掺杂层的方阻为100-1000Ω/□。5.如权利要求1-4任一项所述的全背电极太阳电池结构,其特征在于:正面钝化减反膜采用SiNx薄膜、SiO2薄膜、SiOxNy薄膜中的一种或者多种叠层构成;如单层SiNx,或叠层SiNx,或SiO2/SiNx,SiO2/SiNx/SiO2,SiNx/SiNxOy等叠层膜结构;背面钝化膜采用AlOx薄膜、SiNx薄膜、SiO2薄膜、SiOxNy薄膜、非晶硅薄膜、多晶硅薄膜中的一种或者多种叠层构成;如AlOx/SiNx钝化膜,或者SiO2/AlOx/SiNx钝化膜、SiO2/AlOx/SiNx/SiNxOy叠层膜结构,或者非晶硅/多晶硅薄膜与AlOx/SiO2/SiNx/SiNxOy的组合结构。6.如权利要求1-4任一项所述的全背电极太阳电池结构,其特征在于:金属电极包括细栅线和主栅线,主栅线垂直于细栅线,细栅线包括正极细栅线和负极细栅线,主栅线包括正极主栅线和负极主栅线,细栅线为分段式,相反极性的主栅线与细栅线通过间隔设置,即主栅线设于相反极性的细栅线的分段处。7.如权利要求6所述的全背电极太阳电池结构,其特征在于:细栅线的分段处的断开距离为0.05-0.3mm,主栅线对数为2对-20对。8.如权利要求1-4任一项所述的全背电极太阳电池结构,其特征在于:金属电极包括细栅线和主栅线,主栅线垂直于细栅线,细栅线包括正极细栅线和负极细栅线,主栅线包括正极主栅线和负极主栅线,细栅线为连线直线形,相反极性的主栅线与细栅线通过绝缘层相互绝缘。9.如权利要求8所述的全背电极太阳电池结构,其特征在于:主栅线对数为2对-10对。10.一种权利要求1-9任一项所述全背电极太阳电池结构的制备方法,其特征在于:包括以下步骤,S1、对N型单晶硅片进行前处理,形成正面为金字塔绒面,背面为抛光面的单面抛光制绒结构;S2、通过背面两次定域离子注入来实现复杂的图形化过程,具体为,通过在硅片上方设置具有掺杂图形的掩模版实现硅片背面的局部定域硼注入,形成P型掺杂区域;通过在硅片2CN1071468