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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107219739A(43)申请公布日2017.09.29(21)申请号201610806276.8(22)申请日2016.09.06(30)优先权数据2016-0573702016.03.22JP2016-0573712016.03.22JP2016-0573722016.03.22JP(71)申请人富士施乐株式会社地址日本东京都(72)发明人林义之三浦宏之成田幸介(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人庞东成解延雷(51)Int.Cl.G03G15/02(2006.01)G03G21/18(2006.01)权利要求书2页说明书15页附图5页(54)发明名称充电部件、处理盒和图像形成装置(57)摘要本发明涉及充电部件、处理盒和图像形成装置。所述充电部件包含支持部件、设置在所述支持部件上的导电性弹性层和设置在所述导电性弹性层上的正表面层。周期短于0.1mm的凹凸部和周期为0.1mm以上的凹凸部分布在所述充电部件的整个外周面上,并满足以下条件(1)和(2):(1)所述周期短于0.1mm的凹凸部的平均高度为5μm~8μm;并且(2)所述周期为0.1mm以上的凹凸部的平均高度为6μm~30μm。所述外周面上的高度分布的最大频度值的半值宽度为1μm~3μm。CN107219739ACN107219739A权利要求书1/2页1.一种充电部件,其包含:支持部件;设置在所述支持部件上的导电性弹性层;和设置在所述导电性弹性层上的正表面层,其中,周期短于0.1mm的凹凸部和周期为0.1mm以上的凹凸部分布在所述充电部件的整个外周面上,并满足以下条件(1)和(2):(1)所述周期短于0.1mm的凹凸部的平均高度为5μm~8μm;并且(2)所述周期为0.1mm以上的凹凸部的平均高度为6μm~30μm,并且其中,所述外周面上的高度分布的最大频度值的半值宽度为1μm~3μm。2.如权利要求1所述的充电部件,其中,所述周期短于0.1mm的凹凸部的平均高度为5.5μm~7.5μm。3.如权利要求1所述的充电部件,其中,所述周期短于0.1mm的凹凸部的平均高度为6μm~7μm。4.如权利要求1所述的充电部件,其中,所述周期为0.1mm以上的凹凸部的平均高度为8μm~25μm。5.如权利要求1所述的充电部件,其中,所述周期为0.1mm以上的凹凸部的平均高度为10μm~20μm。6.如权利要求1所述的充电部件,其中,所述周期短于0.1mm的凹凸部的平均周期为5μm以上。7.如权利要求1所述的充电部件,其中,所述周期短于0.1mm的凹凸部的平均周期为15μm以下。8.如权利要求1所述的充电部件,其中,所述周期为0.1mm以上的凹凸部的平均周期为0.25mm以上。9.如权利要求1所述的充电部件,其中,所述周期为0.1mm以上的凹凸部的平均周期为0.45mm以下。10.如权利要求1所述的充电部件,其中,所述正表面层含有电子导电剂。11.如权利要求10所述的充电部件,其中,所述电子导电剂为金属氧化物。12.如权利要求1所述的充电部件,其中,所述正表面层含有氧化锡颗粒。13.一种处理盒,其安装在图像形成装置上或从图像形成装置拆卸下来,其包含:电子照相感光体;和权利要求1~12中任一项所述的充电部件,所述充电部件将所述电子照相感光体的正表面充电。14.一种图像形成装置,其包含:电子照相感光体;权利要求1~12中任一项所述的充电部件,所述充电部件将所述电子照相感光体的正表面充电;2CN107219739A权利要求书2/2页潜像形成设备,所述潜像形成设备在经充电的所述电子照相感光体的正表面上形成潜像;显影设备,所述显影设备使用含有色调剂的显影剂将形成在所述电子照相感光体的正表面上的所述潜像显影,并在所述电子照相感光体的正表面上形成色调剂图像;和转印设备,所述转印设备将形成在所述电子照相感光体的正表面上的色调剂图像转印到记录介质。3CN107219739A说明书1/15页充电部件、处理盒和图像形成装置技术领域[0001]本发明涉及充电部件、处理盒和图像形成装置。背景技术[0002]专利文献1公开了一种充电部件,其包含轴、弹性橡胶层和表面层,其中,弹性橡胶层具有最大高度为12.4μm~28.3μm的凹凸部,表面层具有最大高度为1.5μm~7.9μm的凹凸部。[0003]专利文献2公开了一种充电部件,其包含导电性基体、导电性弹性层和表面层,其中,表面层具有源自细颗粒的凹凸部,表面层的十点表面粗糙度Rz为10μm~20μm,轮廓凹凸部的平均间隔Sm为10μm~20μm。[0004]专利文献3公开了一种充电辊,其包含芯条、导电性弹性体层和正表面层,其中,正表面层的外周面粗糙度以扫描白光干