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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107391407A(43)申请公布日2017.11.24(21)申请号201710617775.7(22)申请日2017.07.26(71)申请人天翼爱音乐文化科技有限公司地址510000广东省广州市中山二路18号电信广场38楼(72)发明人朱映波曾荣郭伶燕韩勖(74)专利代理机构广州知顺知识产权代理事务所(普通合伙)44401代理人彭志坚(51)Int.Cl.G06F13/38(2006.01)G06F13/40(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种双向通讯电平差转换和电压隔离方法、装置(57)摘要本发明提出了一种双向通讯电平差转换和电压隔离装置,包括:N沟道MOS和2种电平的上拉电阻,所述N沟道MOS串接于2个有电平差的互相通讯的第一信号源和第二信号源之间;其中,第一上拉电阻连接在所述N沟道MOS的G极和S极之间,所述N沟道MOS的S极与第一信号源连接,且所述第一上拉电阻由第一电压供电;第二上拉电阻与所述N沟道MOS的D极连接,所述N沟道MOS的D极连接与第二信号源连接,且所述第二上拉电阻由第二电压供电;其中,所述第一电压小于所述第二电压。利用本发明可以防止双向通讯电平转换时出现电流倒灌的问题,保护芯片。CN107391407ACN107391407A权利要求书1/1页1.一种双向通讯电平差转换和电压隔离装置,其特征在于,包括:N沟道MOS和2种电平的上拉电阻,所述N沟道MOS串接于2个有电平差的互相通讯的第一信号源和第二信号源之间;其中,第一上拉电阻连接在所述N沟道MOS的G极和S极之间,所述N沟道MOS的S极与第一信号源连接,且所述第一上拉电阻由第一电压供电;第二上拉电阻与所述N沟道MOS的D极连接,所述N沟道MOS的D极连接与第二信号源连接,且所述第二上拉电阻由第二电压供电;其中,所述第一电压小于所述第二电压。2.如权利要求1所述的双向通讯电平差转换和电压隔离装置,其特征在于,所述N沟道MOS的D极通过第三电阻连接所述第二信号源。3.如权利要求1所述的双向通讯电平差转换和电压隔离装置,其特征在于,所述第一上拉电阻与所述第二上拉电阻阻值相同。4.如权利要求1所述的双向通讯电平差转换和电压隔离装置,其特征在于,所述第一电压为1.2V;所述第二电压为3.3V。5.如权利要求1所述的双向通讯电平差转换和电压隔离装置,其特征在于,第三电阻的阻值为100R。6.如权利要求1至5任一项所述的双向通讯电平差转换和电压隔离装置,其特征在于,所述第一上拉电阻阻值在47K到4.7K之间;所述第二上拉电阻阻值在47K到4.7K之间。7.双向通讯电平差转换和电压隔离方法,其特征在于,包括步骤:在有电平差的互相通讯的第一信号源和第二信号源之间设置N沟道MOS;将第一上拉电阻连接在所述N沟道MOS的G极和S极之间,将所述N沟道MOS的S极与第一信号源连接,由第一电压向所述第一上拉电阻供电;将第二上拉电阻与所述N沟道MOS的D极连接,将所述N沟道MOS的D极连接与第二信号源连接,且由第二电压向所述第二上拉电阻供电;其中,所述第一电压小于所述第二电压。2CN107391407A说明书1/3页一种双向通讯电平差转换和电压隔离方法、装置技术领域[0001]本发明涉及电路技术领域,具体涉及一种双向通讯电平差转换和电压隔离装置。背景技术[0002]在现代低电压(1.2V至5.0V)芯片与芯片间不同电压的串口(UART)和I2C等中低速(0Hz--1MHz)双向通讯系统中,各种芯片通讯端口连接之前,需要对其电平差进行转换,电平误差合格的电路才允许使用,因此在使用电平差进行转换电路时,需要对电平差进行转换功能进行测试。[0003]但是电平差进行转换功能测过程中,不允许出现高电压端向低电压端电流倒灌,因为电流倒灌的时候可能会导致低电压端芯片损坏,因此在电平转换时信号源往往因为电流倒灌使测试不能正常进行。发明内容[0004]基于以上原因,本发明提出了一种双向通讯电平差转换和电压隔离方法和装置,可以防止双向通讯电平转换时出现电流倒灌的问题,保护芯片。[0005]为达到上述目的,本发明提出的技术方案是这样实现的:[0006]一种双向通讯电平差转换和电压隔离装置,包括:N沟道MOS和2种电平的上拉电阻,所述N沟道MOS串接于2个有电平差的互相通讯的第一信号源和第二信号源之间;其中,第一上拉电阻连接在所述N沟道MOS的G极和S极之间,所述N沟道MOS的S极与第一信号源连接,且所述第一上拉电阻由第一电压供电;第二上拉电阻与所述N沟道MOS的D极连接,所述N沟道MOS的D极连接与第二信号源连接,且所述第二上拉电阻由第二电压供电;其中,所述第一电压小于所述第二电压。[0