背板基板及使用该背板基板的有机发光二极管显示器.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107452766A(43)申请公布日2017.12.08(21)申请号201710301108.8(22)申请日2017.05.02(30)优先权数据10-2016-00534762016.04.29KR10-2016-01270852016.09.30KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人吴锦美严惠先(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人李辉刘久亮(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)权利要求书4页说明书13页附图14页(54)发明名称背板基板及使用该背板基板的有机发光二极管显示器(57)摘要背板基板及使用该背板基板的有机发光二极管显示器。公开了一种即使在具有甚高分辨率的结构中使用小子像素时也可确保足够的存储电容的背板基板以及使用该背板基板的有机发光二极管显示器。该背板基板在各个子像素中通过扫描线、第一电压线和数据线交叉而限定的存储电容器区域中包括存储电容器，该存储电容器包括第一存储电极、与第一存储电极部分地交叠的第二存储电极、与第一存储电极和第二存储电极交叠并在第一节点处连接至第二存储电极的第二存储连接电极以及与第二存储连接电极交叠并在第二节点处连接至第一存储电极的第一存储连接电极，在所述第二节点处第一存储电极和第二存储电极彼此不交叠。CN107452766ACN107452766A权利要求书1/4页1.一种背板基板，该背板基板包括：基板，该基板包括多个子像素；扫描线，该扫描线在各个子像素中沿着第一方向设置；第一电压线和数据线，该第一电压线和该数据线在各个子像素中沿着与所述第一方向交叉的方向设置；以及存储电容器，该存储电容器位于各个子像素中的通过所述扫描线、所述第一电压线和所述数据线交叉而限定的存储电容器区域中，所述存储电容器包括第一存储电极、与所述第一存储电极部分地交叠的第二存储电极、与所述第一存储电极和所述第二存储电极交叠并在第一节点处连接至所述第二存储电极的第二存储连接电极以及与所述第二存储连接电极交叠并在第二节点处连接至所述第一存储电极的第一存储连接电极，其中，所述第一存储电极和所述第二存储电极在所述第二节点处彼此不交叠。2.根据权利要求1所述的背板基板，该背板基板还包括：第一半导体层，该第一半导体层被配置为使得所述第一节点处的所述第二存储连接电极穿过所述第一半导体层并且连接至所述第一半导体层的侧表面；以及第二半导体层，该第二半导体层被配置为使得所述第二节点处的所述第一存储连接电极穿过所述第二半导体层并且连接至所述第二半导体层的侧表面。3.根据权利要求2所述的背板基板，该背板基板还包括：开关薄膜晶体管，该开关薄膜晶体管包括开关栅极，并且在所述第一半导体层的两端连接至所述数据线和所述第一节点，该开关栅极被限定为所述扫描线的与所述第一半导体层的上表面交叠的区域；以及驱动薄膜晶体管，该驱动薄膜晶体管包括驱动栅极，并且在所述第二存储电极的外侧分别连接至所述第二节点和所述第一电压线，该驱动栅极被限定为与所述第二半导体层的下表面交叠的所述第二存储电极。4.根据权利要求3所述的背板基板，该背板基板还包括在各个子像素中平行于所述扫描线设置的感测线以及平行于所述数据线设置的第二电压线，其中，所述第二半导体层从所述第二节点延伸并且连接至所述第二电压线。5.根据权利要求4所述的背板基板，该背板基板还包括感测薄膜晶体管，该感测薄膜晶体管包括感测栅极，并且在所述感测线的外侧连接至所述第二节点和所述第二电压线，所述感测栅极被限定为所述感测线的与所述第二半导体层的上表面交叠的区域。6.根据权利要求4所述的背板基板，其中，所述第一存储电极占据所述存储电容器区域的面积的50％至100％。7.根据权利要求6所述的背板基板，其中，在平面中，所述第一存储电极的上部和下部与所述扫描线和所述感测线相邻，并且所述第一存储电极的左部和右部与所述数据线和所述第一电压线相邻。8.根据权利要求5所述的背板基板，其中，所述第一存储电极、所述第二存储电极、所述第一半导体层和所述第二半导体层、所述扫描线和所述感测线、所述数据线、所述第一电压线和所述第二电压线、所述第二存储连接电极和所述第一存储连接电极按照顺序依次设置在所述基板上。9.根据权利要求8所述的背板基板，该背板基板还包括：2CN107452766A权利要求书2/4页第一绝缘膜，该第一绝缘膜被设置在所述第一存储电极与所述第二存储电极之间；第一栅极绝缘膜，该第一栅极绝缘膜被设置在所述第二存储电极与所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；第二栅极绝缘膜，该第二栅极绝缘膜被设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层与所述扫描线和所述感测线之间；第二绝缘膜，该第二绝缘膜被设置在所述