电子照相感光体、处理盒和图像形成装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107765516A(43)申请公布日2018.03.06(21)申请号201710307499.4(22)申请日2017.05.04(30)优先权数据2016-1601902016.08.17JP(71)申请人富士施乐株式会社地址日本东京都(72)发明人山田义晃齐藤阳平(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人庞东成龚泽亮(51)Int.Cl.G03G5/10(2006.01)权利要求书2页说明书25页附图2页(54)发明名称电子照相感光体、处理盒和图像形成装置(57)摘要本发明公开了一种电子照相感光体、处理盒和图像形成装置，所述电子照相感光体包括导电性基体和单层型感光层。导电性基体的功函数Ip与电荷产生材料的电子亲和力Ea之间的差值ΔEa-Ip在约-0.1至约+0.1eV的范围内。当在感光层上设置形成为膜厚度为2nm且电极面积为9.3×10-1cm2的金电极时，电流Ia[A/cm2]与电流Ib[A/cm2]之间的差值ΔIab在约5.5×10-8至约9.2×10-8[A/cm2]的范围内，电流Ia和Ib分别是当通过施加使得金电极和导电性基体成为正极的电压，在温度为33℃且湿度为80％的环境下，在感光层和导电性基体之间施加27V/μm的电场时每单位面积流动的电流。CN107765516ACN107765516A权利要求书1/2页1.一种电子照相感光体，其特征在于，包括：导电性基体；以及单层型感光层，所述单层型感光层直接设置在所述导电性基体上且包含粘合剂树脂、电荷产生材料、空穴输送材料和电子输送材料，其中，所述导电性基体的功函数Ip与所述电荷产生材料的电子亲和力Ea之间的差值ΔEa-Ip在约-0.1至约+0.1eV的范围内，并且当在所述感光层上设置形成为膜厚度为2nm且电极面积为9.3×10-1cm2的金电极时，电流Ia[A/cm2]与电流Ib[A/cm2]之间的差值ΔIab在约5.5×10-8至约9.2×10-8[A/cm2]的范围内，其中，电流Ia是当通过施加使得所述金电极成为正极的电压，在温度为33℃且湿度为80％的环境下，在所述感光层和所述导电性基体之间施加27V/μm的电场时每单位面积流动的电流；电流Ib是当通过施加使得所述导电性基体成为正极的电压，在所述环境下，在所述感光层和所述导电性基体之间施加27V/μm的电场时每单位面积流动的电流。2.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述差值ΔIab在约5.5×10-8至约8.0×10-8[A/cm2]的范围内。3.根据权利要求1所述的电子照相感光体，其中，所述感光层含有作为所述电荷产生材料选自羟基镓酞菁颜料和氯镓酞菁颜料的至少一种电荷产生材料、作为所述空穴输送材料由通式(1)表示的空穴输送材料、以及作为所述电子输送材料由通式(2)表示的电子输送材料：其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、苯氧基、卤原子、或任选地被烷基、烷氧基或卤原子取代的苯基；m和n各自独立地表示0或1，其中，R11、R12、R13、R14、R15、R16和R17各自独立地表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基；R18表示烷基、-L19-O-R20、芳基或芳烷基，其中L19表示亚烷基，R20表示烷基。2CN107765516A权利要求书2/2页4.根据权利要求3所述的电子照相感光体，其中，所述电荷产生材料含有羟基镓酞菁颜料。5.根据权利要求3所述的电子照相感光体，其中，所述电荷产生材料含有羟基镓酞菁颜料和氯镓酞菁颜料。6.根据权利要求5所述的电子照相感光体，其中，所述电荷产生材料含有羟基镓酞菁颜料和氯镓酞菁颜料，并且所述羟基镓酞菁颜料与所述氯镓酞菁颜料的重量比为约3:7至约7:3。7.根据权利要求3所述的电子照相感光体，其中，由通式(2)表示的所述电子输送材料中的R18是烷基。8.根据权利要求7所述的电子照相感光体，其中，由通式(2)表示的所述电子输送材料中的R18是具有1至12个碳原子的烷基。9.一种可拆卸地附接到图像形成装置的处理盒，其特征在于，包括根据权利要求1至8中任一项所述的电子照相感光体。10.一种图像形成装置，其特征在于，包括：根据权利要求1至8中任一项所述的电子照相感光体；充电单元，其对所述电子照相感光体的表面充电；静电潜像形成单元，其在已充电的所述电子照相感光体的表面上形成静电潜像；显影单元，其使用包含色调剂的显影剂使在所述电子照相感光体的表面上形成的所述静电潜像显影以形成色调剂图像；以及转印单元，其将所述色调剂图像转印至记录介质的表面。3CN107765516A说明书1/25页电子照相感光体、处理盒和图像形成装置技术领域[0001]本发