显示装置和补偿该显示装置的劣化的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108091303A(43)申请公布日2018.05.29(21)申请号201711121601.8(22)申请日2017.11.14(30)优先权数据10-2016-01568682016.11.23KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人孔南容崔召熙(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人李辉刘久亮(51)Int.Cl.G09G3/3233(2016.01)G09G3/3258(2016.01)权利要求书4页说明书14页附图14页(54)发明名称显示装置和补偿该显示装置的劣化的方法(57)摘要显示装置和补偿该显示装置的劣化的方法。一种显示装置包括显示装置，在该显示装置中，每个子像素包括驱动TFT、有机发光二极管和用于驱动所述子像素的至少一个开关TFT。所述驱动TFT和所述开关TFT中的至少一个被形成为具有第一栅极节点和第二栅极节点的双栅极TFT，并且每个子像素包括补偿电路，该补偿电路感测所述双栅极TFT的阈值电压并且将所述阈值电压施加到所述双栅极TFT的第一栅极节点或第二栅极节点。CN108091303ACN108091303A权利要求书1/4页1.一种显示装置，在该显示装置中，每个子像素包括驱动TFT、有机发光二极管和用于驱动所述子像素的至少一个开关TFT，其中，所述驱动TFT和所述开关TFT中的至少一个被形成为具有第一栅极节点和第二栅极节点的双栅极TFT，并且每个子像素包括补偿电路，该补偿电路感测所述双栅极TFT的阈值电压并且将所述阈值电压施加到所述双栅极TFT的所述第一栅极节点或所述第二栅极节点。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述补偿电路包括：第一电容器，该第一电容器存储所述双栅极TFT的所述阈值电压；第二电容器，该第二电容器与所述双栅极TFT的所述第一栅极节点或所述第二栅极节点连接，并且存储所述双栅极TFT的所述阈值电压，以将存储在所述第一电容器中的所述阈值电压施加到所述第一栅极节点或所述第二栅极节点；以及第二开关TFT，该第二开关TFT根据外部输入信号而导通/截止，并且当补偿所述双栅极TFT的阈值电压时，所述第二开关TFT将所述第一电容器和所述第二电容器互连，以将存储在所述第一电容器中的所述阈值电压提供到所述第二电容器。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二开关TFT根据所述外部输入信号而导通/截止，并且当所述双栅极TFT的所述阈值电压被存储在所述第一电容器中时，所述第二开关TFT断开所述第一电容器和所述第二电容器。4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在用于驱动所述子像素的所述至少一个开关TFT当中，第一开关TFT被形成为N型氧化物双栅极TFT，并且所述第一开关TFT在通过所述第一栅极节点接收到第一扫描信号时将通过数据线输入的数据信号施加到所述驱动TFT的栅极，并且通过所述第二栅极节点与所述第二电容器连接，以接收所述阈值电压。5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述驱动TFT被形成为N型氧化物双栅极TFT，并且所述驱动TFT在通过所述第一栅极节点接收到数据信号时调整施加到所述有机发光二极管的电流的量，并且通过所述第二栅极节点与所述第二电容器连接，以接收所述阈值电压。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述双栅极TFT被形成为氧化物TFT。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述双栅极TFT包括两个或更多个有源区，其中，所述两个或更多个有源区由氧化物和LTPS中的至少一种形成。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动TFT和所述开关TFT中的至少一个被实现为N型氧化物TFT，并且用于驱动所述子像素的所述至少一个开关TFT被实现为N型LTPSTFT、N型LTPSTFT或P型LTPSTFT。9.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述补偿电路还包括：第三TFT，该第三TFT响应于第二扫描信号而连接被施加有重置电压的初始线和所述有机发光二极管的阳极。10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述双栅极TFT具有蚀刻阻挡件结构、倒共面结构和共面结构中的一种。11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述双栅极TFT包括：底栅极，该底栅极在基板上；绝缘膜，该绝缘膜在所述底栅极和所述基板上，所述绝缘膜将所述基板和所述底栅极2CN108091303A权利要求书2/4页绝缘；漏极和源极，该漏极和该源极在所述绝缘膜上；有源层，该有源层在所述绝缘膜以及所述漏极和所述源极上；保护层，该保护层在所述有源层上；另一绝缘层，该另一绝缘层在所述保护层以及所述漏极和所述源极上；以及顶栅极，该顶栅极在所述绝缘膜上。12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述双栅极TFT包括：缓冲层，