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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109216420A(43)申请公布日2019.01.15(21)申请号201810722275.4(22)申请日2018.06.29(30)优先权数据10-2017-00838572017.06.30KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人方炯锡尹锺根林亨俊(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人蔡胜有苏虹(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)H01L51/52(2006.01)H01L51/56(2006.01)权利要求书3页说明书9页附图10页(54)发明名称有机发光显示面板及其制造方法(57)摘要提供了一种有机发光显示面板及其制造方法。该有机发光显示面板包括晶体管层、第一绝缘膜图案和第二绝缘膜图案、阳极电极、发光单元以及阴极电极。晶体管层设置在基板上。第一绝缘膜图案设置在每个像素处并设置在覆盖晶体管层的层间绝缘膜上。第二绝缘膜图案的面积大于第一绝缘膜图案的面积并覆盖第一绝缘膜图案。阳极电极覆盖第二绝缘膜图案并且设置有具有圆化形状截面的边缘。发光单元覆盖阳极电极并且阴极电极设置在发光单元上。CN109216420ACN109216420A权利要求书1/3页1.一种有机发光显示面板,包括:设置在基板上的晶体管层;覆盖所述晶体管层的层间绝缘膜;第一绝缘膜图案,其设置在所述层间绝缘膜上对应于复数个像素中的每个的区域处;覆盖所述第一绝缘膜图案的第二绝缘膜图案,所述第二绝缘膜图案的面积大于所述第一绝缘膜图案的面积;覆盖所述第二绝缘膜图案的阳极电极,所述阳极电极的边缘表面具有圆化形状的截面;覆盖所述阳极电极的一个或更多个发光结构;以及设置在所述一个或更多个发光单元上的阴极电极。2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中所述一个或更多个发光结构包括:围绕所述阳极电极的侧表面和上表面的第一发光结构;围绕所述第一发光结构的侧表面和上表面的电荷产生层;以及围绕所述电荷产生层的侧表面和上表面的第二发光结构,其中所述电荷产生层在相邻像素之间的边界区域处不连续。3.根据权利要求2所述的有机发光显示面板,其中:所述第一发光结构包括依次沉积在所述阳极电极上的p型半导体层和n型半导体层,所述第二发光结构包括依次沉积在所述电荷产生层上的p型半导体层和n型半导体层,以及所述相邻像素中的每一个的各自的第一发光结构被所述电荷产生层分开。4.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其中所述第二发光结构的所述p型半导体层插入在所述相邻像素之间彼此相对的相应的电荷产生层之间。5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中所述阳极电极包括:设置在所述第二绝缘膜图案上的反射金属层;设置在所述反射金属层上的绝缘膜;以及设置在所述绝缘膜上的透明电极,其中所述绝缘膜的位于对应于显示第一颜色的第一像素的区域处的第一部分具有第一厚度,所述绝缘膜的位于对应于显示第二颜色的第二像素的区域处的第二部分具有不同于所述第一厚度的第二厚度。6.一种有机发光显示面板的制造方法,包括:在基板上形成晶体管层;在所述晶体管层上形成绝缘膜;在所述绝缘膜上对应于复数个像素中的每一个的区域处依次形成第一绝缘膜图案和第二绝缘膜图案,所述第二绝缘膜图案在所述像素中的相邻像素之间的边界区域处向外延伸超出所述第一绝缘膜图案的边缘表面;形成覆盖所述第二绝缘膜图案的阳极电极;以及形成覆盖所述阳极电极的一个或更多个发光结构,其中形成所述阳极电极包括沉积金属材料。7.根据权利要求6所述的制造方法,其中形成所述一个或更多个发光结构包括:2CN109216420A权利要求书2/3页形成围绕所述阳极电极的侧表面和上表面的第一发光结构;形成围绕所述第一发光结构的侧表面和上表面的电荷产生层;以及形成围绕所述电荷产生层的侧表面和上表面的第二发光结构,其中所述电荷产生层在相邻像素之间的边界上不连续。8.根据权利要求7所述的制造方法,其中,在形成所述阳极电极时,相邻阳极电极之间的间隙的宽度在从等于所述第一发光结构的垂直宽度的两倍,和小于所述第一发光结构的垂直宽度的两倍与所述第二发光结构的垂直宽度的两倍的总和,以及其中,在形成所述第二发光结构时,所述第二发光结构的部分区域插入在相邻的阳极电极之间。9.一种有机发光显示面板,包括:设置在基板上的晶体管层;设置在所述晶体管层上的绝缘膜图案,所述绝缘膜图案在相邻像素之间具有沟槽或底切部,以将每个像素的边界处的所述绝缘膜图案从上部分开预定距离,并且所述绝缘膜图案的所述上部从侧表面突出到所述沟槽或底切部中;所述绝缘膜图案上的下电极,其中像素的下电极不电连接至相邻像素的下电极;设置在所述下电极上的一个或更多个发光单元;以及设置在所述发光单元上的上电极。10.根