发光二极管以及包括其的发光装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109585623A(43)申请公布日2019.04.05(21)申请号201811122934.7(22)申请日2018.09.26(30)优先权数据10-2017-01245532017.09.26KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人李昇宰宾钟官李娜沇(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人蔡胜有冷永华(51)Int.Cl.H01L33/20(2010.01)H01L33/38(2010.01)H01L51/50(2006.01)H01L51/52(2006.01)权利要求书2页说明书21页附图6页(54)发明名称发光二极管以及包括其的发光装置(57)摘要公开了发光二极管以及包括其的发光装置。所述发光二极管包括第一电极和面对第一电极的第二电极。发光二极管还包括：设置在第一电极与第二电极之间的发光材料层(EML)；以及与EML相邻的电子传输层(ETL)。ETL包括：多个具有第一平均颗粒尺寸的第一无机颗粒；以及多个具有大于第一平均颗粒尺寸的第二平均颗粒尺寸的第二无机颗粒。所述多个第一无机颗粒还可以具有第一能带隙，多个第二无机颗粒还可以具有小于第一能带隙的第二能带隙。CN109585623ACN109585623A权利要求书1/2页1.一种发光二极管，包括：第一电极和面对所述第一电极的第二电极；设置在所述第一电极与所述第二电极之间的发光材料层(EML)；以及与所述发光材料层(EML)相邻的电子传输层(ETL)，所述电子传输层(ETL)包括：多个第一无机颗粒，所述第一无机颗粒具有第一平均颗粒尺寸；以及多个第二无机颗粒，所述第二无机颗粒具有大于所述第一平均颗粒尺寸的第二平均颗粒尺寸。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述多个第一无机颗粒和所述多个第二无机颗粒是金属和/或非金属氧化物颗粒。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中所述多个第一无机颗粒和所述多个第二无机颗粒各自包括二氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)、锌镁氧化物(ZnMgO2)、锆氧化物(ZrO2)、锡氧化物(SnO2)、钨氧化物(WO3)、钽氧化物(Ta2O3)、铪氧化物(HfO3)、铝氧化物(Al2O3)、锆硅氧化物(ZrSiO4)、钡钛氧化物(BaTiO3)和钡锆氧化物(BaZrO3)中的至少一者。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述多个第一无机颗粒具有第一能带隙，所述多个第二无机颗粒具有小于所述第一能带隙的第二能带隙。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一平均颗粒尺寸在所述第二平均颗粒尺寸的50％至85％的范围内。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一平均颗粒尺寸在3.0nm至5.5nm的范围内，所述第二平均颗粒尺寸在6.0nm至7.0nm的范围内。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述多个第一无机颗粒相对于所述多个第二无机颗粒的重量比在1：4至4：1的范围内。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述发光材料层(EML)设置在所述第一电极上，所述电子传输层(ETL)设置在所述发光材料层(EML)上，并且所述第二电极设置在所述电子传输层(ETL)上。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述电子传输层(ETL)设置在所述第一电极上，所述发光材料层(EML)设置在所述电子传输层(ETL)上，并且所述第二电极设置在所述发光材料层(EML)上。10.一种发光装置，包括：基板；和在所述基板上的根据权利要求1所述的发光二极管。11.根据权利要求10所述的发光装置，其中所述发光装置包括发光显示装置。12.一种发光二极管，包括：第一电极和面对所述第一电极的第二电极；设置在所述第一电极与所述第二电极之间的发光材料层(EML)；以及与所述发光材料层(EML)相邻的电子传输层(ETL)，所述电子传输层(ETL)包括：多个第一无机颗粒，所述第一无机颗粒具有第一能带隙；以及多个第二无机颗粒，所述第二无机颗粒具有小于所述第一能带隙的第二能带隙。13.根据权利要求12所述的发光二极管，其中所述多个第一无机颗粒具有第一最低未占分子轨道(LUMO)能级，所述多个第二无机颗粒具有低于所述第一最低未占分子轨道2CN109585623A权利要求书2/2页(LUMO)能级的第二最低未占分子轨道(LUMO)能级。14.根据权利要求12所述的发光二极管，其中所述多个第一无机颗粒具有第一最高占据分子轨道(HOMO)能级，所述多个第二无机颗粒具有第二最高占据分子轨道(HOMO)能级，并且其中所述第一最高占据分子轨道(HOMO)能级和所述第二最高占据分子轨道(HOMO)能级低于所述发光材料层(EML)的最高占据分子轨道(HOMO)能级。15.