将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109585615A(43)申请公布日2019.04.05(21)申请号201811473218.3(22)申请日2018.12.04(71)申请人西安赛富乐斯半导体科技有限公司地址710003陕西省西安市长安区上林苑一路15号4栋4102室(72)发明人陈辰宋杰崔周源(74)专利代理机构北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11554代理人黄剑飞(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L21/78(2006.01)H01L21/683(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法(57)摘要本公开涉及一种用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，所述方法包括：通过MOCVD或MBE沉积方式在图案化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层；将面积等于或大于所述氮化镓外延层的面积的支撑片通粘合剂粘附在所述氮化镓外延层的上表面并进行固化处理；通过向所述氮化镓外延层与图案化蓝宝石衬底之间的界面施加应力而使得所述氮化镓外延层和支撑片整体从图案化蓝宝石衬底上剥离；以及通过对所述氮化镓外延层和所述支撑片之间的界面的所述粘合剂加热，使得粘合剂融化而使得所述氮化镓外延层与所述支撑片分离。CN109585615ACN109585615A权利要求书1/1页1.一种用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，所述方法包括：通过MOCVD或MBE沉积方式在图案化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层；将面积等于或大于所述氮化镓外延层的面积的支撑片通粘合剂粘附在所述氮化镓外延层的上表面并进行固化处理；通过向所述氮化镓外延层与图案化蓝宝石衬底之间的界面施加应力而使得所述氮化镓外延层和支撑片整体从图案化蓝宝石衬底上剥离；以及通过对所述氮化镓外延层和所述支撑片之间的界面的所述粘合剂加热，使得粘合剂融化而使得所述氮化镓外延层与所述支撑片分离。2.根据权利要求1所述的用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，其还包括：在将支撑片通过粘合剂粘附在所述氮化镓外延层的上表面之前，通过化学-机械抛光法(CMP)对所述氮化镓外延层磨薄处理，以获得预定厚度氮化镓外延层。3.根据权利要求1所述的用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，其还包括：通过向所述氮化镓外延层与图案化蓝宝石衬底之间的界面的侧面施加水平横向物理应力使得两者分离。4.根据权利要求1所述的用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，其还包括：通过从图案化蓝宝石衬底一侧对所述氮化镓外延层与图案化蓝宝石衬底之间的界面进行激光照射使得两者分离。5.根据权利要求1所述的用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，其中所述将面积等于或大于所述氮化镓外延层的面积的支撑片通粘合剂粘附在所述氮化镓外延层的上表面步骤包括：在所述氮化镓外延层的上表面涂覆一层熔融状态下的蜡或低熔点金属；将支撑片贴合在所述蜡层或低熔点金属层；将所述氮化镓外延层、支撑片以及蜡层或低熔点金属层置于惰性气体环境中并将其保持在使得蜡层或低熔点金属层处于熔融状态的温度下3-10分钟；以及降低环境温度，使得蜡层或低熔点金属层固化。6.根据权利要求1所述的用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，其中所述对所述氮化镓外延层和所述支撑片之间的界面的所述粘合剂加热通过直接将所述氮化镓外延层和所述支撑片放置在热盘上进行加热。7.根据权利要求1-6所述的用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，还包括：在使得所述氮化镓外延层和支撑片整体从图案化蓝宝石衬底上剥离之前，对所述氮化镓外延层背对所述粘合剂的表面通过化学-机械抛光法(CMP对第一氮化镓外延层的表面进行平坦化处理。8.根据权利要求1-6所述的用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，所述固化处理过程在氮气环境中进行。9.根据权利要求8所述的用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，所述粘合剂的熔点在60℃-90℃。10.根据权利要求1-6所述的用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，所述粘合剂层的厚度在1-2微米。2CN109585615A说明书1/6页将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法技术领域[0001]本公开涉及一种半导体构件及其制造方法，尤其涉及一种氮化镓的外延层剥离方法。背景技术[0002]随着GaN材料在LED器件的广泛应用，人么期望在一次磊晶过程中获得更大面积的GaN晶片。但是，将在衬底上的大面积晶片分离下来过程中会造成晶片的局部损坏，这会导致晶片后续切割过程中产生比较高的不良率。因此，如何提供一种尽可能不损害器件晶片的情况下顺利分离器件晶片和衬底的方法是人们所需要的。发明内容[0003]本公开旨在解决上述和/或其他技术问题并提供一种用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，所述方法包括：通过MOCVD或MBE沉积方式在