显示装置及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109728033A(43)申请公布日2019.05.07(21)申请号201811181556.X(22)申请日2018.10.11(30)优先权数据10-2017-01433112017.10.31KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人崔熙东(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人刘久亮(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)H01L21/77(2017.01)权利要求书3页说明书14页附图16页(54)发明名称显示装置及其制造方法(57)摘要显示装置及其制造方法。一种显示装置包括设置在半导体层的沟道区域上的栅极绝缘层。栅极被设置在半导体层的沟道区域上方的栅极绝缘层上。源极被设置为与半导体层的源极区域直接接触并且漏极被设置为与半导体层的漏极区域直接接触。钝化层被设置在栅极、源极和漏极上。钝化层在源极与栅极之间的区域中与半导体层直接接触，并且在栅极与漏极之间的区域中与半导体层直接接触。第一栅极、第一源极和第一漏极包括相同的层和相同的材料。CN109728033ACN109728033A权利要求书1/3页1.一种显示装置，该显示装置包括：基板；设置在所述基板上的缓冲层；设置在所述缓冲层上的第一薄膜晶体管的第一半导体层；设置在所述第一半导体层的沟道区域上的栅极绝缘层；设置在所述第一半导体层的所述沟道区域上方的所述栅极绝缘层上的第一栅极；与所述第一半导体层的源极区域直接接触的第一源极；与所述第一半导体层的漏极区域直接接触的第一漏极；设置在所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极上的钝化层，其中，所述钝化层在所述第一源极与所述第一栅极之间的区域中与第一半导体层直接接触，并且其中，所述钝化层在所述第一栅极与所述第一漏极之间的区域中与所述第一半导体层直接接触，其中，所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极包括相同的层和相同的材料。2.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：设置在所述缓冲层上的第二薄膜晶体管的第二半导体层，其中，所述栅极绝缘层还被设置在所述第二半导体层的沟道区域上；设置在所述第二半导体层的所述沟道区域上方的所述栅极绝缘层上的第二栅极；与所述第二半导体层的源极区域直接接触的第二源极；与所述第二半导体层的漏极区域直接接触的第二漏极，其中，所述钝化层还被设置在所述第二栅极、所述第二源极和所述第二漏极上，其中，所述钝化层在所述第二源极与所述第二栅极之间的区域中与第二半导体层直接接触，并且其中，所述钝化层在所述第二栅极与所述第二漏极之间的区域中与所述第二半导体层直接接触，其中，所述第二栅极、所述第二漏极和所述第二源极包括与所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极相同的层和相同的材料。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述缓冲层与所述基板直接接触，其中，第一半导体层与所述缓冲层直接接触，其中，所述栅极绝缘层与所述第一半导体层直接接触，其中，所述第一栅极与所述栅极绝缘层直接接触，并且其中，所述钝化层与所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极直接接触。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅极绝缘层还被设置在所述第一半导体层的所述源极区域上和所述第一半导体层的所述漏极区域上，其中，所述第一源极被设置在所述第一半导体层的所述源极区域上方的所述栅极绝缘层上并经由穿过所述栅极绝缘层的第一沟道孔接触所述第一半导体层的所述源极区域，并且其中，所述第一漏极被设置在所述第一半导体层的所述漏极区域上方的所述栅极绝缘层上并经由穿过所述栅极绝缘层的第二沟道孔接触所述第一半导体层的所述漏极区域。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅极绝缘层仅在所述第一半导体层的所2CN109728033A权利要求书2/3页述沟道区域上被设置在所述第一半导体层上，而未被设置在所述第一半导体层的所述源极区域或所述漏极区域上。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，在所述第一漏极与所述第一半导体层的所述漏极区域的整个交叠区域中，所述第一漏极与所述第一半导体层的所述漏极区域直接接触，并且其中，在所述第一源极与所述第一半导体层的所述源极区域的整个交叠区域中，所述第一源极与所述第一半导体层的所述源极区域直接接触。7.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：设置在所述基板上的遮光层，其中，所述缓冲层还被设置在所述遮光层上；设置在所述遮光层上方的所述缓冲层上的第二半导体层，其中，所述钝化层还与所述遮光层上方的所述第二半导体层直接接触；以及设置在所述遮光层上方的所述钝化层上的像素电极。8.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：设置在所述基板上的数据线，其中，所述缓冲层还被设置在所述数据线上；设置在所述缓冲层