显示装置及制造该显示装置的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109994513A(43)申请公布日2019.07.09(21)申请号201811418169.3(22)申请日2018.11.26(30)优先权数据10-2017-01683302017.12.08KR(71)申请人乐金显示有限公司地址韩国首尔(72)发明人金弘锡(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图12页(54)发明名称显示装置及制造该显示装置的方法(57)摘要提供了一种可减少掩模的数量并且提高薄膜晶体管的特性的显示装置及制造该显示装置的方法。该显示装置包括：基板；和基板上的晶体管，晶体管包括：半导体层，半导体层设置在基板上；栅极绝缘图案，栅极绝缘图案设置在半导体层上；多个栅电极，多个栅电极设置在栅极绝缘图案上；以及与栅极绝缘图案间隔开的源电极、源-漏电极和漏电极，其中源电极与半导体层的顶表面接触，源-漏电极与源电极相邻，多个栅电极中的一个栅电极在源电极与源-漏电极之间，并且漏电极与源-漏电极相邻，多个栅电极中的另一个栅电极在漏电极与源-漏电极之间。CN109994513ACN109994513A权利要求书1/2页1.一种显示装置，包括：基板；和所述基板上的晶体管，所述晶体管包括：半导体层，所述半导体层设置在所述基板上；栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案设置在所述半导体层上；多个栅电极，所述多个栅电极设置在所述栅极绝缘图案上；以及与所述栅极绝缘图案间隔开的源电极、源-漏电极和漏电极，其中所述源电极与所述半导体层的顶表面接触，所述源-漏电极与所述源电极相邻，所述多个栅电极中的一个栅电极在所述源电极与所述源-漏电极之间，并且所述漏电极与所述源-漏电极相邻，所述多个栅电极中的另一个栅电极在所述漏电极与所述源-漏电极之间。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述栅极绝缘图案仅设置在所述多个栅电极的每一个下方。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述半导体层包括第一区域和比所述第一区域薄的第二区域。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述半导体层的所述第一区域与所述栅电极、所述源电极、所述源-漏电极、以及所述漏电极重叠。5.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述半导体层的所述第二区域位于所述源电极与所述栅电极之间、所述栅电极与所述源-漏电极之间、以及所述栅电极与所述漏电极之间。6.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第二区域的厚度是所述第一区域的厚度的30％至70％。7.根据权利要求3所述的显示装置，其中与所述栅极绝缘图案重叠的所述半导体层的所述第一区域在尺寸上大于所述栅极绝缘图案。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述薄膜晶体管放置在所述显示装置的面板内栅极驱动器中。9.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述栅电极、所述源电极、所述源-漏电极、以及所述漏电极由栅电极材料制成。10.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：在基板上形成半导体层；在所述半导体层上形成栅极绝缘膜；在形成有栅极绝缘膜的所述基板上沉积栅电极材料；和利用单个掩模形成多个栅电极、与所述半导体层的一侧接触的源电极、与所述半导体层的另一侧接触的漏电极、以及位于所述多个栅电极的每一个之间的源-漏电极。11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括在所述栅极绝缘膜中形成暴露所述半导体层的一部分的接触孔，其中所述源电极、所述漏电极、以及所述源-漏电极经由所述接触孔与所述半导体层接触。12.根据权利要求11所述的方法，其中进一步包括：通过利用所述栅电极作为掩模刻蚀2CN109994513A权利要求书2/2页所述栅极绝缘膜形成与所述栅电极重叠的栅极绝缘图案、和去除所述栅极绝缘图案之外的栅极绝缘膜。13.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述栅极绝缘图案的形成中，所述半导体层的其中刻蚀所述栅极绝缘膜的区域是第一区域，并且所述半导体层的其中所述接触孔所在的区域是第二区域，其中所述第二区域比所述第一区域薄。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二区域的厚度是所述第一区域的厚度的30％至70％。3CN109994513A说明书1/11页显示装置及制造该显示装置的方法技术领域[0001]本发明涉及一种显示装置及制造该显示装置的方法，尤其涉及一种能够减少掩模的数量并且提高薄膜晶体管的特性的显示装置及制造该显示装置的方法。背景技术[0002]随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的各种需求不断增加。在显示装置领域中，轻薄并且可覆盖较大面积的平板显示装置(FPD)已经迅速取代体积庞大的阴极射线管(CRT)。平板显示装置包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)