电磁屏蔽材料的制作方法、电磁屏蔽材料及电子产品.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111484640A(43)申请公布日2020.08.04(21)申请号202010522666.9C08L23/12(2006.01)(22)申请日2020.06.10C08L23/20(2006.01)C08L79/08(2006.01)(71)申请人深圳市乐工新技术有限公司C23C14/20(2006.01)地址518000广东省深圳市光明区凤凰街C23C14/34(2006.01)道塘家社区塘明公路南侧新纶科技产H05K9/00(2006.01)业园厂房二401A-2(72)发明人夏祥国李林军任诗举(74)专利代理机构深圳众邦专利代理有限公司44545代理人崔亚军(51)Int.Cl.C08J7/06(2006.01)C08J7/12(2006.01)C08L67/02(2006.01)C08L69/00(2006.01)权利要求书1页说明书10页附图3页(54)发明名称电磁屏蔽材料的制作方法、电磁屏蔽材料及电子产品(57)摘要本发明公开一种电磁屏蔽材料的制作方法、由该制作方法制得的电磁屏蔽材料、及应用该电磁屏蔽材料的电子产品，其中，电磁屏蔽材料的制作方法包括：提供一双面导通的聚合物薄膜层，该聚合物薄膜层的厚度大于或者等于0.8微米小于或者等于12微米；对聚合物薄膜层进行粗化处理，使聚合物薄膜层的达因值大于或者等于44小于或者等于70；在粗化后的两个表面上分别进行气相沉积，分别在每个表面上形成至少一金属屏蔽层，两个表面的金属屏蔽层通过聚合物薄膜层导通；本发明的技术方案提供一种厚度非常薄的双面导通的电磁屏蔽材料。CN111484640ACN111484640A权利要求书1/1页1.一种电磁屏蔽材料的制作方法，其特征在于，包括：提供一双面导通的聚合物薄膜层，该聚合物薄膜层的厚度大于或者等于0.8微米小于或者等于12微米；对聚合物薄膜层进行粗化处理，使聚合物薄膜层的达因值大于或者等于44小于或者等于70；在粗化后的两个表面上分别进行气相沉积，分别在每个表面上形成至少一金属屏蔽层，两个表面的金属屏蔽层通过聚合物薄膜层导通。2.如权利要求1所述的电磁屏蔽材料的制作方法，其特征在于，所述金属屏蔽层的厚度大于或者等于0.5微米，且小于或等于1.5微米。3.如权利要求1所述的电磁屏蔽材料的制作方法，其特征在于，双面导通的聚合物薄膜层具有供电离子通过的微孔通道，所述微孔通道的孔径为0.001微米至0.01微米，相邻微孔通道的距离范围为0.001微米至0.01微米。4.如权利要求3所述的电磁屏蔽材料的制作方法，其特征在于，双面导通的聚合物薄膜层由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚乙烯以及聚丙烯中的一种或者多种制成。5.如权利要求1所述的电磁屏蔽材料的制作方法，其特征在于，所述金属屏蔽层以真空镀膜的方式形成，所述金属屏蔽层是由铜、镍、钴、锌、铟、锡、银、金、铝、钛、铁、镁、锆中的任意一种金属形成的金属层，或者任意两种和两种以上的金属形成的合金层。6.如权利要求5所述的电磁屏蔽材料的制作方法，其特征在于，所述金属屏蔽层以溅射的方式形成，其工艺条件为真空度0.01Pa-0.5Pa，连续卷绕式镀速为0.01-300米/分钟，电流为1A-50A，电压为200V-700V。7.如权利要求1所述的电磁屏蔽材料的制作方法，其特征在于，在粗化后的表面上形成至少一可焊接金属层的具体步骤包括：对粗化后的表面进行真空电镀，真空电镀的金属层的厚度大于或者等于0.1微米，且小于或者等于1微米；对真空电镀后的材料进行水电镀，水电镀的金属层的厚度大于或者等于1微米，且小于或者等于10微米。8.一种由权利要求1-7中的任一项所述的方法制得的电磁屏蔽材料。9.如权利要求8所述的电磁屏蔽材料，其特征在于，形成于聚合物薄膜层两个表面的金属屏蔽层的层数为1-3层，不同层金属屏蔽层的厚度相同或不相同，不同层金属屏蔽层的材质相同或不相同。10.一种电子产品，包括电子产品本体，其特征在于，所述电子产品本体被安装有如权利要求8-9任意一项所述的电磁屏蔽材料。2CN111484640A说明书1/10页电磁屏蔽材料的制作方法、电磁屏蔽材料及电子产品技术领域[0001]本发明涉及电磁屏蔽技术领域，特别涉及一种电磁屏蔽材料的制作方法、由该方法制得的电磁屏蔽材料、及应用该电磁屏蔽材料的电子产品。背景技术[0002]导电布是一种电磁屏蔽材料，具有良好的导电性及电磁波屏蔽效果。电磁屏蔽导电布以其优良的垂直导通和屏蔽效能广泛应用在电子、仪表等行业，能防止由于静电所造成的电子元器件损坏、老化。然而，现有的导电布的生产工艺流程长，经几道化学镀或电镀工艺，环境污染大，金属层附着力也不甚理想。且，由于工艺的要求，导电布的厚度很难做薄，