薄膜太阳电池的膜系、薄膜太阳电池及其制造方法.pdf
玉军****la
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薄膜太阳电池的膜系、薄膜太阳电池及其制造方法.pdf
本发明公开了一种薄膜太阳电池的膜系,并公开了采用该膜系的薄膜太阳电池及其制造方法。本发明膜系包括一个p-i-n光电单元,所述p-i-n光电单元的p层上设置有重掺杂的P+层,所述p-i-n光电单元的n层上设置有重掺杂的N+层,该膜系结构为P+/p-i-n/N+。重掺杂的P+层和N+层有减低带电体复合性和滞留性的作用,同时因减低i层中电场的扭曲度而增加了电洞与电子在半导体中的漂移速度。本发明薄膜太阳电池的膜系光电转换率高,成本低,本发明薄膜太阳电池的膜系的光电转换率达7.5%。
一种非晶硅薄膜太阳电池膜系和薄膜太阳电池以及薄膜太阳电池的制造方法.pdf
本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳电池膜系,该膜系包括一个由第一非晶硅p-i-n结和第二非晶硅p-i-n结重叠设置的双结层p-i-n/p-i-n,所述第二非晶硅p-i-n结的p型非晶硅层设置于所述第一非晶硅p-i-n结的n型非晶硅层上,所述第一非晶硅p-i-n结的p型非晶硅层上设置有重掺杂的P+层,所述第二非晶硅p-i-n结的n型非晶硅层上设置有重掺杂的N+层,该膜系结构为P+/p-i-n/p-i-n/N+。重掺杂的P+层和N+层有减低带电体复合性和滞留性的作用,同时因减低i层中电场的扭曲度而增加了电洞与电子
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取向诱导生长的硒化锑薄膜及其制备方法与薄膜太阳电池.pdf
本发明公开了一种取向诱导生长的硒化锑薄膜及其制备方法与薄膜太阳电池,包括:将硒化锑和衬底放置于空间升华炉内,通过近空间升华法在所述衬底上沉积硒化锑,得到硒化锑前驱膜;将硒源和所述硒化锑前驱膜放置于双温区管式炉中,通过硒源对所述硒化锑前驱膜进行硒化退火,得到沉积于所述衬底上的硒化锑薄膜。本发明通过具有择优取向的硒化锑前驱膜取向诱导生长制备硒化锑薄膜,制备出的硒化锑薄膜为具有择优取向大晶粒生长的薄膜,将该硒化锑薄膜应用于硒化锑薄膜太阳电池,可以克服现有强各异性硒化锑薄膜导致的载流子产生及传输受限问题,减少硒化
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