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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102453440A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102453440A(43)申请公布日2012.05.16(21)申请号201010517514.6(22)申请日2010.10.22(71)申请人安集微电子(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室(72)发明人宋伟红姚颖(74)专利代理机构上海翰鸿律师事务所31246代理人李佳铭(51)Int.Cl.C09G1/02(2006.01)权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书44页页附图附图22页(54)发明名称一种化学机械抛光液(57)摘要本发明揭示了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液,它至少包含一种磨料粒子,一种金属螯合剂,一种二氧化硅抛光促进剂,组合金属防腐蚀剂,一种辅助清洗组分以及一种氧化剂。该抛光液在阻挡层的抛光中能有效去除晶片表面的。颗粒物残留和抛光垫上的金属化合物残留,且具有较好的稳定性。CN102453ACN102453440A权利要求书1/2页1.一种用于铜互连阻挡层化学机械抛光的抛光液,包括:一种磨料颗粒、一种金属螯合剂、一种二氧化硅抛光促进剂、组合金属防腐蚀剂、一种辅助清洗剂以及一种氧化剂。2.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述磨料颗粒是二氧化硅溶胶和/或发烟二氧化硅水分散体。3.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述磨料颗粒的粒径为20-250nm。4.如权利要求3所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述磨料颗粒的粒径为30-150nm。5.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述磨料颗粒的含量为2-30wt%。6.如权利要求5所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述磨料颗粒的含量为5-20wt%。7.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述金属螯合剂为有机羧酸和/或有机膦。8.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述金属螯合剂为选自:羟基亚乙基二膦酸、2-膦酸基丁烷-1,2,4-三羧酸、2-羟基膦酰基乙酸、草酸、丙二酸、丁二酸、柠檬酸和酒石酸中的一种或多种。9.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述金属螯合剂的浓度为0.01-1wt%。10.如权利要求9所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述金属螯合剂的浓度为0.1-0.5wt%。11.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述氧化剂为过氧化物和/或过硫化物。12.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述氧化剂的浓度为0.01-1wt%。13.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述组合金属防腐蚀剂包括:唑类化合物和水溶性聚合物。14.如权利要求13所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述唑类化合物为苯骈三氮唑或其衍生物;所述水溶性聚合物为聚丙烯酸及其盐或者丙烯酸共聚物。15.如权利要求13所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述唑类化合物的浓度为0.01-0.5wt%。16.如权利要求13所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述水溶性聚合物的浓度为0.05-0.5wt%。17.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述二氧化硅抛光促进剂为选自四甲基卤化铵,四乙基卤化铵,四丙基卤化铵,四丁基卤化铵,四甲基氢氧化铵,四乙基氢氧化铵,四丙基氢氧化铵和四丁基氢氧化铵中的一种或多种。18.如权利要求17所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述二氧化硅抛光促进剂为选自四丁基氟化氨,四丙基溴化铵和四丁基氢氧化铵中的一种或多种。19.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述二氧化硅抛光促进剂的浓2CN102453440A权利要求书2/2页度为质量百分比10ppm到0.5%。20.如权利要求19所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述二氧化硅抛光促进剂的浓度为质量百分比100ppm到0.2%。21.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述辅助清洗剂为:阴离子表面活性剂。22.如权利要求21所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述阴离子表面活性剂为选自烷基磷酸酯二乙醇胺盐,烷基磷酸酯三乙醇胺盐,磷酸烷基十二烷基磷酸酯铵盐,十二烷基磷酸酯钾盐,十四烷基磷酸酯钾盐和十六烷基磷酸酯钾盐中的一种或多种。23.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述的辅助清洗剂的含量为0.005-0.2wt%。24.如权利要求23所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述的辅助清洗剂的含量为0.01-0.1wt%。25.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述化学机械抛光液pH值为2-5。26.如权利要求25所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述化学机械抛光液pH值为2.5-3.5。3CN102453440