一种厚膜光刻胶清洗液.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102566330A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102566330A(43)申请公布日2012.07.11(21)申请号201010585371.2(22)申请日2010.12.10(71)申请人安集微电子(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室(72)发明人刘兵彭洪修孙广胜(74)专利代理机构上海翰鸿律师事务所31246代理人李佳铭(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书权利要求书11页页说明书说明书55页页(54)发明名称一种厚膜光刻胶清洗液(57)摘要本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有(a)氢氧化钾(b)溶剂(c)醇胺(d)有机酚(e)苯并三氮唑及其衍生物(f)聚羧酸类缓蚀剂。该光刻胶清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时对于铜、铝、锡、铅、银等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。CN102563ACN102566330A权利要求书1/1页1.一种厚膜光刻胶清洗液，含有：氢氧化钾、溶剂、醇胺、有机酚、苯并三氮唑及其衍生物和聚羧酸类缓蚀剂。2.如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述氢氧化钾的含量为0.1-6wt％；所述溶剂的含量为30-98wt％；所述醇胺的含量为1-55wt％；所述有机酚的含量为0.0001-5wt％；所述苯并三氮唑及其衍生物的含量为0.01-5wt％；所述聚羧酸类缓蚀剂的含量为0.0001-2wt％。3.如权利要求2所述清洗液，其特征在于，所述有机酚的含量为0.005-2wt％；所述苯并三氮唑及其衍生物的含量为0.1-2wt％；所述聚羧酸类缓蚀剂的含量为0.005-0.6wt％。4.如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述的溶剂选自亚砜、砜、吡咯烷酮、咪唑烷酮、咪唑啉酮、醇、醚、酰胺中的一种或多种。5.如权利要求4所述清洗液，其特征在于，所述的亚砜为二甲基亚砜；所述的砜为环丁砜；所述的吡咯烷酮为N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-羟乙基吡咯烷酮和/或N-环己基吡咯烷酮；所述的咪唑烷酮为1，3-二甲基-2-咪唑烷酮；所述的咪唑啉酮为1，3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的酰胺为二甲基甲酰胺和/或二甲基乙酰胺；所述的醇为丙二醇、二乙二醇和/或二丙二醇；所述的醚为丙二醇单甲醚和/或二丙二醇单甲醚；所述的醇胺为选自单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、异丙醇胺、2-(二乙氨基)乙醇、乙基二乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。6.如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述的有机酚为苯酚及其衍生物、间苯二酚及其衍生物和间苯三酚及其衍生物中的一种或多种。7.如权利要求6所述清洗液，其特征在于，所述的苯酚及其衍生物为苯酚、甲基苯酚、甲氧基苯酚和/或叔丁基苯酚；所述的间苯二酚及其衍生物为间苯二酚、5-甲基-间苯二酚、5-甲氧基-间苯二酚和/或5-叔丁基-间苯二酚；所述的间苯三酚及其衍生物为间苯三酚、甲基间苯三酚和/或丁基间苯三酚。8.如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述的苯并三氮唑及其衍生物为选自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、甲氧基苯并三氮唑、叔丁基苯并三氮唑、1-羟基苯并三氮唑和5-羧基苯并三氮唑中的一种或多种。9.如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述的聚羧酸类缓蚀剂为选自聚丙烯酸或其共聚物、聚甲基丙烯酸或其共聚物、聚丙烯酸醇胺盐、聚甲基丙烯酸醇胺盐、聚氧乙烯改性聚丙烯酸或其衍生物、聚氧乙烯改性聚甲基丙烯酸或其衍生物、聚环氧琥珀酸、聚天冬氨酸、含羧基的聚己内酯和含羧基的聚丙交酯中的一种或多种。10.如权利要求9所述清洗液，其特征在于，所述的聚羧酸类缓蚀剂为选自聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸醇胺盐、聚甲基丙烯酸醇胺盐、含羧基的聚己内酯和含羧基的聚丙交酯中的一种或多种。11.如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述的聚羧酸类缓蚀剂的分子量为500～20000。12.如权利要求11所述清洗液，其特征在于，所述的聚羧酸类缓蚀剂的分子量为1000～10000。2CN102566330A说明书1/5页一种厚膜光刻胶清洗液技术领域[0001]本发明涉及一种清洗液，尤其涉及一种用于厚膜光刻胶的清洗液。背景技术[0002]在通常的半导体制造工艺中，通过在二氧化硅、Cu(铜)等金属以及低k材料等表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后进行图形转移，在得到需要的电路图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去残留的光刻胶。例如，在晶圆微球植入工艺(bumpingtechnology)中，需要光刻胶形成掩膜，该掩膜在微球成功植入后同样需要去除，但由于该光刻胶较厚，完全去除常较为困难。改善去除