场序列液晶显示装置及其驱动方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号(10)授权公告号CNCN102568405102568405B(45)授权公告日2014.10.08(21)申请号201010619935.XCN101324729A,2008.12.17,CN101344694A,2009.01.14,(22)申请日2010.12.31WO2008039009A1,2008.04.03,(73)专利权人上海天马微电子有限公司TW200830250A,2008.07.16,地址201201上海市浦东新区汇庆路889号CN101872582A,2010.10.27,(72)发明人罗熙曦马骏杨康审查员高芳(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人逯长明(51)Int.Cl.G09G3/36(2006.01)G02F1/133(2006.01)(56)对比文件CN101614919A,2009.12.30,CN101211040A,2008.07.02,CN101236343A,2008.08.06,权权利要求书2页利要求书2页说明书8页说明书8页附图5页附图5页(54)发明名称场序列液晶显示装置及其驱动方法(57)摘要本发明提供了一种场序列液晶显示装置及其驱动方法。该场序列液晶显示装置的像素结构包括：第一、第二、第三、第四薄膜晶体管、帧缓存电容、存储电容以及与存储电容并联的保持电容。其中，第一薄膜晶体管的栅极连接栅线、源极连接数据线、漏极连接第二薄膜晶体管的源极；第二薄膜晶体管的源极连接帧缓存电容的一端、漏极连接第三薄膜晶体管的漏极；帧缓存电容的另一端和第三薄膜晶体管的源极均连接第四薄膜晶体管的漏极，第四薄膜晶体管的源极接地；第二薄膜晶体管的漏极还连接存储电容的一端。本发明提供的场序列液晶显示装置能够解决图像残留问题，且通过改变施加的驱动信号，可实现普通模式显示和Fb模式显示之间的转换。CN102568405BCN1025684BCN102568405B权利要求书1/2页1.一种场序列液晶显示装置，其特征在于，该装置的像素结构包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、帧缓存电容、存储电容和保持电容；其中：所述第一薄膜晶体管的栅极连接栅线、源极连接数据线、漏极连接第二薄膜晶体管的源极；所述第二薄膜晶体管的源极连接帧缓存电容的一端、漏极连接第三薄膜晶体管的漏极；所述帧缓存电容的另一端和第三薄膜晶体管的源极均连接第四薄膜晶体管的漏极，所述第四薄膜晶体管的源极接地；所述第二薄膜晶体管的漏极还连接存储电容的一端，所述存储电容的另一端接地，所述存储电容与所述保持电容并联；其中，Fb模式下工作时，在对像素电极充电之前，所述第四薄膜晶体管处于导通状态；普通模式下工作时，所述第四薄膜晶体管处于截止状态。2.根据权利要求1所述的场序列液晶显示装置，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的栅极连接图像同步信号，所述第三薄膜晶体管的栅极连接清零信号，所述第四薄膜晶体管的栅极连接接地控制信号。3.根据权利要求2所述的场序列液晶显示装置，其特征在于，像素电极电压和输出电压的关系为：其中，V1′为像素电极电压，V2为输出电压，Cfb为帧缓存电容，Cst为存储电容，Clc为保持电容。4.根据权利要求1所述的场序列液晶显示装置，其特征在于，所述第二薄膜晶体管和第四薄膜晶体管均处于截止状态，所述第三薄膜晶体管的栅极连接栅线，并接收扫描信号。5.根据权利要求4所述的场序列液晶显示装置，其特征在于，像素电极电压和输出电压的关系为：其中，V1′为像素电极电压，V2为输出电压，Cfb为帧缓存电容，Cst为存储电容，Clc为保持电容。6.根据权利要求2所述的场序列液晶显示装置，其特征在于，所述接地控制信号为扫描信号与清零信号的或逻辑。7.一种如权利要求1所述的场序列液晶显示装置的驱动方法，其特征在于，包括：向第四薄膜晶体管的栅极提供接地控制信号；向第一薄膜晶体管的栅极提供扫描信号，向其源极提供数据信号，进行帧扫描；当一帧扫描完成后，向第三薄膜晶体管的栅极提供清零信号，以对像素电极电压进行清零；清零完成后，向第二薄膜晶体管的栅极提供图像同步信号，以进行图像显示。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述接地控制信号为扫描信号与清零信2CN102568405B权利要求书2/2页号的或逻辑。9.一种如权利要求1所述的场序列液晶显示装置的驱动方法，其特征在于，包括：向第一薄膜晶体管的栅极提供扫描信号，向其源极提供数据信号，同时，向第三薄膜晶体管的栅极提供扫描信号。3CN102568405B说明书1/8页场序列液晶显示装置及其驱动方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种场序列液晶显示装置及其驱动方法。背