固态储存装置及其数据储存方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102915207A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102915207A(43)申请公布日2013.02.06(21)申请号201110217300.1(22)申请日2011.08.01(71)申请人建兴电子科技股份有限公司地址中国台湾台北市(72)发明人黄志伟(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人史新宏(51)Int.Cl.G06F3/06(2006.01)G06F11/10(2006.01)权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书66页页附图附图1313页(54)发明名称固态储存装置及其数据储存方法(57)摘要本发明为固态储存装置及其数据储存方法。固态储存装置中包括多个晶粒，且这些晶粒中的一第一部分被划分为使用区域，且一第二部分被划分为保留区域，且固态储存装置连接至主机端。此数据储存方法包括下列步骤：于主机端产生多个写入数据至固态储存装置时，将写入数据储存于保留区域；于确认主机端与固态储存装置之间未进行数据存取操作时，判断保留区域中是否有写入数据；于确认保留区域中有写入数据时，将写入数据储存于使用区域中；以及，计算使用者区域中的写入数据并产生相对应的错误修正码并储存于保留区域。CN102957ACN102915207A权利要求书1/2页1.一种固态装置的数据储存方法，该固态储存装置中包括多个晶粒，且该多个晶粒中的一第一部分被划分为一使用区域，该多个晶粒中的一第二部分被划分为一保留区域，该固态储存装置连接至一主机端，该数据储存方法包括下列步骤：于该主机端产生多个写入数据至该固态储存装置时，将该多个写入数据储存于该保留区域；于确认该主机端与该固态储存装置之间未进行数据存取操作时，判断该保留区域中是否有该多个写入数据；于确认该保留区域中有该多个写入数据时，将该多个写入数据储存于该使用区域中；以及计算该使用者区域中的该多个写入数据并产生相对应的错误修正码并储存于该保留区域。2.根据权利要求1所述的固态装置的数据储存方法，还包括删除该保留区域中的该多个写入数据。3.一种固态装置的数据储存方法，该固态储存装置中包括多个晶粒，且该多个晶粒中的一第一部分被划分为一使用区域，该多个晶粒中的一第二部分被划分为一保留区域，该固态储存装置连接至一主机端，该数据储存方法包括下列步骤：于该主机端产生多个写入数据至该固态储存装置时，将该多个写入数据储存于该使用区域与该保留区域；于确认该主机端与该固态储存装置之间未进行数据存取操作时，判断该保留区域中是否有部分该多个写入数据；于确认该保留区域中有部分该多个写入数据时，将部分该多个写入数据储存于该使用区域中；以及计算该使用者区域中的该多个写入数据并产生相对应的错误修正码并储存于该保留区域。4.根据权利要求3所述的固态装置的数据储存方法，还包括删除该保留区域中的部分该多个写入数据。5.一种固态装置的数据储存方法，该固态储存装置中包括多个晶粒，且该多个晶粒中的一第一部分被划分为一使用区域，该多个晶粒中的一第二部分被划分为一保留区域，该固态储存装置连接至一主机端，该数据储存方法包括下列步骤：于该主机端产生多个写入数据至该固态储存装置时，将该多个写入数据储存于该使用区域；于确认该主机端与该固态储存装置之间未进行数据存取操作时，计算该使用者区域中的该多个写入数据并产生相对应的错误修正码并储存于该保留区域。6.一种固态装置，连接至一主机端，包括：一处理单元，利用一特定总线连接于该主机端，且该处理单元中包括一错误修正单元；多个晶粒，连接至该处理单元，其中，该多个晶粒中的一第一部分被该处理单元划分为一使用区域，该多个晶粒中的一第二部分被该处理单元划分为一保留区域；其中，于该主机端产生多个写入数据至该固态储存装置时，该处理单元将该多个写入2CN102915207A权利要求书2/2页数据储存于该使用区域或者该保留区域；以及，于确认该主机端与该固态储存装置之间未进行数据存取操作时，该处理单元计算该多个写入数据的错误修正码并储存于该保留区域。7.根据权利要求5所述的固态装置，其中该特定总线为一SATA总线或者一USB总线。3CN102915207A说明书1/6页固态储存装置及其数据储存方法技术领域[0001]本发明是有关于一种储存装置，且特别是有关于一种固态储存装置及其数据储存方法。背景技术[0002]固态储存装置(SolidStateDrive，SSD)中以使用与非门闪存(NANDflashmemory)为主要存储元件，而此类的闪存为一种非易失性(non-volatile)的存储器元件。也就是说，当数据写入闪存后，一旦系统电源关闭，而数据仍保存在闪存中。[0003]请参照图1，其所绘示为固态储存装置示意图。该固态储存装置100包括：多个晶粒(die)11～8