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NMOS晶体管的形成方法.pdf
2023-11-23
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一吃****仕龙
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NMOS晶体管的形成方法.pdf
一种NMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构、位于栅极结构两侧的半导体衬底中的源区和漏区；在半导体衬底上形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述栅极结构、源区和漏区；在所述缓冲层上形成张应力层，所述张应力层的材料为氮化硅，其中，所述缓冲层用于阻挡形成张应力层过程中的氢扩散进入源区和漏区；在形成所述张应力层后，对所述半导体衬底进行退火处理。所述缓冲层对氢向源区和漏区的扩散阻挡作用，确保源区、漏区中硼离子的稳定，并且张应力层的张应力可以适量、稳定保留在栅极、源区和漏区，尤其是栅极
2023-11-23
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NMOS晶体管的退火特性研究.pdf
第34卷第6期原子能科学技术Vol.34,No.62000年11月AtomicEnergyScienceandTechnologyNov.2000NMOS晶体管的退火特性研究姚育娟,张正选,彭宏论,何宝平,姜景和(西北核技术研究所,陕西西安710024)摘要:探讨了加固型CC4007经60Coγ射线辐照后NMOS晶体管的退火特性,研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系。经相同总剂量辐照的器件,高温100℃下的退火速度远大于室温25℃下的退火速度。25～250℃下的等时退火,其
2024-08-15
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晶体管的形成方法.pdf
本发明提供一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成至少一个伪栅结构，所述伪栅结构包括自下而上的栅极介质层、盖帽层和伪栅；在所述伪栅露出的衬底中形成源区和漏区;在所述伪栅上覆盖层间介质层；采用包括氧气的刻蚀剂去除所述伪栅，在伪栅原本所在位置处形成开口，在所述开口中形成金属栅极。去除所述伪栅时，刻蚀剂中氧气所占比例随时间下降，等离子体刻蚀的偏置电压随时间下降，使得在将伪栅去除干净的同时，对伪栅外侧的层间介质层、与所述伪栅相连的其他晶体管的伪栅影响较小，使去除伪栅后形成的开口形貌较好，并且使伪栅下
2023-07-17
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晶体管的形成方法.pdf
一种晶体管的形成方法，包括：在半导体衬底上形成栅介质层；对栅介质层进行杂质掺杂，用于调整晶体管的功函数；进行杂质掺杂后，在栅介质层上形成栅极。本发明对栅介质层进行杂质掺杂，可以在栅介质层中形成功函数调整区。而且，该杂质掺杂过程可以有效控制杂质掺杂的浓度、时间，可以形成均匀掺杂并避免掺杂杂质扩散进入衬底。而且，可以增大栅介质层的介电常数，进而减小晶体管的等效氧化层厚度。另外，对栅介质层进行杂质掺杂而不再形成功函数调整层，可以相应减小晶体管的厚度尺寸，有利于半导体技术向更小特征尺寸迈进，促进半导体工艺的进步。
2024-01-11
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晶体管的形成方法.pdf
一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底内具有应力层；在所述应力层内掺杂阻挡离子以形成阻挡层，所述阻挡层到应力层表面具有预设距离；采用自对准硅化工艺使位于所述阻挡层表面的部分应力层形成电接触层，所述电接触层的材料内包括第一金属元素，所述第一金属元素的电阻率低于镍元素或钴元素的电阻率，所述阻挡层能够阻止第一金属元素的原子向应力层底部扩散。所形成的晶体管的载流子迁移率得到的提高、漏电流减少、性能提高。
2023-08-09
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