用于磁共振成像系统的涡流补偿方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN104181479104181479A(43)申请公布日2014.12.03(21)申请号201310193344.4(22)申请日2013.05.23(71)申请人上海联影医疗科技有限公司地址201815上海市嘉定区嘉定工业区兴贤路1180号8幢(72)发明人蔡昆玉林时顷张强黄文慧贾二维(51)Int.Cl.G01R33/387(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书8页说明书8页附图5页附图5页(54)发明名称用于磁共振成像系统的涡流补偿方法(57)摘要本发明提供了一种用于磁共振成像系统的涡流补偿方法，包括以下步骤：建立涡流一阶残留场及高阶场模型；利用磁共振成像系统，对样品施加涡流测量序列以获得梯度磁场产生的第一涡流场，由所述第一涡流场对所述涡流一阶残留场及高阶场模型中的校正参数进行拟合，从而得到标定的涡流一阶残留场及高阶场模型；在实际测试时，利用标定的涡流一阶残留场及高阶场模型对重建的图像进行校正。该方法利用涡流一阶残留场及高阶场模型对重建的图像进行校正，提高了图像质量。CN104181479ACN104879ACN104181479A权利要求书1/2页1.一种用于磁共振成像系统的涡流补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：a.建立涡流一阶残留场及高阶场模型；b.利用磁共振成像系统，对样品施加涡流测量序列以获得梯度磁场产生的第一涡流场，由所述第一涡流场对所述涡流一阶残留场及高阶场模型中的校正参数进行拟合，从而得到标定的涡流一阶残留场及高阶场模型；c.在实际测试时，利用上述标定的涡流一阶残留场及高阶场模型对重建的图像进行校正。2.如权利要求1所述的用于磁共振成像系统的涡流补偿方法，其特征在于，步骤a中所述涡流一阶残留场及高阶场模型为：设梯度磁场为Gr(t)，该梯度磁场产生的涡流场为：其中，r可以表示二维空间的坐标(x，y)，也可以表示三维空间的坐标(x，y，z)，ail为幅度常数，τil为时间常数。3.如权利要求1所述的用于磁共振成像系统的涡流补偿方法，其特征在于，步骤b中所述利用磁共振成像系统，对样品施加涡流测量序列以获得梯度磁场产生的第一涡流场，包括以下步骤：b1.对所述样品施加第一涡流测量序列，所述第一涡流测量序列在相位编码方向先后施加第一梯度脉冲和第二梯度脉冲，采集所述样品产生的第一K空间数据，将所述第一K空间数据变换至图像域，以获得第一梯度脉冲和第二梯度脉冲产生的编码相位；b2.对所述样品施加第二涡流测量序列，所述第二涡流测量序列在相位编码方向施加第一梯度脉冲，采集所述样品产生的第二K空间数据，将所述第二K空间数据变换至图像域，以获得第一梯度脉冲产生的编码相位；b3.由所述第一梯度脉冲和第二梯度脉冲产生的编码相位与所述第一梯度脉冲产生的编码相位通过相位相减以获得所述第二梯度脉冲产生的编码相位；b4.将所述第二梯度脉冲产生的编码相位分解为第二梯度脉冲产生的理想编码相位和涡流场产生的编码相位，根据所述涡流场产生的编码相位获得所述第一涡流场。4.如权利要求3所述的用于磁共振成像系统的涡流补偿方法，其特征在于，步骤b1中所述第一梯度脉冲对应的K空间填充方式为Cartesian填充方式，所述第二梯度脉冲对应的K空间填充方式为Cartesian填充方式或Non-Cartesian填充方式。5.如权利要求3所述的用于磁共振成像系统的涡流补偿方法，其特征在于，步骤b1中，采集得到的所述第一K空间数据为经过涡流一阶项和交叉项补偿后的数据；步骤b2中采集得到的所述第二K空间数据为经过涡流一阶项和交叉项补偿后的数据。2CN104181479A权利要求书2/2页6.如权利要求3所述的用于磁共振成像系统的涡流补偿方法，其特征在于，步骤b1和步骤b2中所述变换为傅里叶变换。7.如权利要求3所述的用于磁共振成像系统的涡流补偿方法，其特征在于，步骤b4中所述第二梯度脉冲产生的理想编码相位根据第二梯度脉冲计算得到。8.如权利要求1所述的用于磁共振成像系统的涡流补偿方法，其特征在于，步骤b中，利用最小二乘法由所述第一涡流场对所述涡流一阶残留场及高阶场模型中的校正参数进行拟合，从而得到标定的涡流一阶残留场及高阶场模型。9.如权利要求1所述的用于磁共振成像系统的涡流补偿方法，其特征在于，步骤b中所述校正参数为幅度常数和时间常数。10.如权利要求1或3所述的用于磁共振成像系统的涡流补偿方法，其特征在于，所述步骤c包括以下步骤：c1在实际测试时，根据测试序列及步骤b中标定的涡流一阶残留场及高阶场模型计算梯度磁场产生的第二涡流场；c2将所述第二涡流场换算至逻辑坐标下，计算所述第二涡流场产生的编码相位；c3根据所述第二涡流场产生的编码相位，计算涡流一阶残