一种小电极的正装LED芯片的导线焊接工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN104538512A(43)申请公布日2015.04.22(21)申请号201510010920.6(22)申请日2015.01.09(71)申请人木林森股份有限公司地址528415广东省中山市小榄镇木林森大道1号木林森股份有限公司(72)发明人刘天明叶才肖虎张沛涂梅仙(74)专利代理机构东莞市华南专利商标事务所有限公司44215代理人刘克宽(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)H01L33/62(2010.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称一种小电极的正装LED芯片的导线焊接工艺(57)摘要一种小电极的正装LED芯片的导线焊接工艺，涉及LED芯片技术领域，其步骤为：选用瓷嘴作为焊接头，瓷嘴包括通孔、下表面和侧面，通孔包括圆柱形通孔和圆台形通孔；电极的直径与圆台形通孔的直径比是1:1.4~1.6；导线穿过通孔；将导线烧熔成球；将超声波传输至瓷嘴；将瓷嘴按压于小电极，得到第一个焊接点，压力为15g~30g，按压时间为5ms~15ms；提起瓷嘴，将瓷嘴按压于另一小电极或者LED支架的金属片上，以使得烧熔成球的导线焊接于另一个小电极或者LED支架的金属片上，得到第二个焊接点，压力为15g~30g，按压时间为5ms~15ms；提起瓷嘴，留出一定长度的导线在瓷嘴的通孔外面用于下一次焊接。CN104538512ACN104538512A权利要求书1/1页1.一种小电极的正装LED芯片的导线焊接工艺，所述小电极指直径小于60μm的电极，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：选用瓷嘴作为焊接头，所述瓷嘴包括供导线穿过的通孔，以及用于将烧熔的导线按压于焊接面的下表面，以及侧面，所述通孔由上而下包括相互连通的圆柱形通孔和圆台形通孔；所述瓷嘴的下表面和侧面之间的连接处为弧面；所述瓷嘴的选用标准是：电极的直径与圆台形通孔的直径的比例关系是1:1.4~1.6；步骤二：选用合适的导线穿过所述瓷嘴的通孔；步骤三：将打火杆置于瓷嘴的两侧，启动换能器；步骤四：利用打火杆将穿过瓷嘴的导线烧熔成球；步骤五：将超声波传输至瓷嘴；步骤六：以一定压力将瓷嘴向下按压于小电极一定时间，使得烧熔成球的导线焊接于小电极，得到第一个焊接点，所述压力为15g~30g，按压时间为5ms~15ms；步骤七：提起瓷嘴，又以一定压力将瓷嘴向下按压于另一小电极或者LED支架的金属片上一定时间，以使得烧熔成球的导线焊接于另一个小电极，得到第二个焊接点的同时压断导线，所述压力为15g~30g，按压时间为5ms~15ms；步骤八：提起瓷嘴，留出一定长度的导线在瓷嘴的通孔外面用于下一次焊接。2.如权利要求1所述的一种小电极的正装LED芯片的导线焊接工艺，其特征在于：所述步骤二中，导线的选用标准是：电极的直径与所述导线的直径的比例关系是2.4~2.6:1。3.如权利要求2所述的一种小电极的正装LED芯片的导线焊接工艺，其特征在于：所述电极的直径与所述导线的直径的比例关系是2.5:1。4.如权利要求1所述的一种小电极的正装LED芯片的导线焊接工艺，其特征在于：所述电极的直径与圆台形通孔的直径的比例关系是1:1.5。5.如权利要求1所述的一种小电极的正装LED芯片的导线焊接工艺，其特征在于：所述步骤八中，留在所述瓷嘴的通孔外面的导线的长度为150~200μm。6.如权利要求1所述的一种小电极的正装LED芯片的导线焊接工艺，其特征在于：所述下表面为圆环状，所述下表面的内环和外环之间的距离为80~200μm。7.如权利要求1所述的一种小电极的正装LED芯片的导线焊接工艺，其特征在于：所述步骤四中，打火杆的打火电流调节为20~25A，打火杆的电压调节为4500~4800伏。8.如权利要求1所述的一种小电极的正装LED芯片的导线焊接工艺，其特征在于：所述步骤三中，同时控制支撑LED支架的工作台的温度为130~160摄氏度。9.如权利要求1所述的一种小电极的正装LED芯片的导线焊接工艺，其特征在于：所述步骤七中，提起瓷嘴的工具为换能器，所述瓷嘴设于所述换能器的端部，换能器的功率为45DAC~65DAC。10.如权利要求1所述的一种小电极的正装LED芯片的导线焊接工艺，其特征在于：所述步骤三和步骤四之间增加一个步骤如下：在瓷嘴的一侧放置吹气装置，启动吹气装置，吹送保护气体；所述保护气体的包括如下体积百分比的组分：氮气93%~97%，氢气3%~7%。2CN104538512A说明书1/5页一种小电极的正装LED芯片的导线焊接工艺技术领域[0001]本发明涉及LED芯片技术领域，特别是涉及一种小电极的正装LED芯片的导线焊接工艺。背景技术[0002]LED芯片的制作过程包括在LED支架上固定晶片，晶片上设有两