FinFET器件及其制作方法.pdf

一种FinFET器件及其制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成鳍部；在衬底以及鳍部上覆盖牺牲层；图形化牺牲层以形成空隙，空隙用于暴露出用作沟道区的部分鳍部；去除暴露出的鳍部的材料，使暴露出的鳍部的截面呈上小下大的形状；在空隙中填充介质层材料；去除部分介质层材料，保留空隙的侧壁上的部分介质层材料以形成侧墙；在空隙中的侧墙之间填充并形成栅极。本发明具有以下优点：使鳍部的侧壁倾斜以便于在覆盖介质材料层后去除位于鳍部侧壁的介质材料层，仅保留位于牺牲层的空隙侧壁的部分作为栅极的侧墙；用牺牲层遮挡住部分鳍部，而仅露出

2023-11-22

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FinFET器件及其形成方法.pdf

本公开涉及一种FinFET器件及其形成方法。一种方法，包括：形成在衬底上方突出的鳍；在鳍上方形成栅极结构；沿着栅极结构的侧壁形成栅极间隔件，其中，栅极结构的上表面通过栅极间隔件被暴露；在栅极结构、栅极间隔件、和鳍上方沉积栅极膜；在沉积栅极膜之后执行一个或多个刻蚀工艺，其中，一个或多个刻蚀工艺从鳍的上表面移除栅极膜的第一部分并且在鳍中形成凹槽，其中，在一个或多个刻蚀工艺之后栅极膜的第二部分保留在栅极间隔件的侧壁上；以及在凹槽中形成外延源极/漏极区域。

2023-11-14

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FinFET器件及其形成方法.pdf

本发明提供一种FinFET器件的形成方法，包括：提供衬底、在衬底上形成鳍部以及栅极；在栅极的侧壁形成侧墙；在栅极之间的鳍部中形成沟槽；在衬底、鳍部、栅极、侧墙上覆盖层间介质层，并使层间介质层填充所述沟槽。本发明还提供一种FinFET器件，包括：衬底、鳍部，鳍部上形成有将所述鳍部分隔的沟槽，沟槽的横截面呈上大下小的梯形结构；侧壁形成有侧墙栅极以及层间介质层。本发明的技术方案具有以下优点：使所述沟槽内留有其它影响所述层间介质层填充的杂质的几率变得很小，所述层间介质层能够较好的填充于所述沟槽内。

2023-11-22

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具有嵌入气隙的FINFET器件及其制造方法.pdf

一种半导体器件，包括：设置在衬底上方的第一栅极结构。第一栅极结构沿第一方向延伸。第二栅极结构设置在衬底上方。第二栅极结构沿第一方向延伸。介电材料设置在第一栅极结构与第二栅极结构之间。气隙设置在介电材料内。本发明实施例涉及具有嵌入气隙的FINFET器件及其制造方法。

2023-06-01

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FinFET器件的制造方法.pdf

一种FinFET器件的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干鳍部；在衬底以及鳍部上覆盖材料层；使材料层的一部分转换为框形的介质材料层；所述框形的介质材料层横跨所述鳍部；去除部分牺牲层，以露出框形的介质材料层以及框内区域的材料层；去除露出的材料层，以露出部分鳍部之间的部分衬底；在所述露出的分鳍部以及衬底上形成栅极，并使所述栅极横跨所述鳍部，此时所述框形的介质材料层作为所述栅极的侧墙；去除剩余的牺牲层；去除剩余的材料层。本发明的技术方案具有以下优点：能够在形成栅极的侧墙的同时，避免在FinFET器件的其他

2023-11-22

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