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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号CN105572981B(45)授权公告日2018.05.25(21)申请号201610098282.2(56)对比文件(22)申请日2016.02.23CN103296030A,2013.09.11,说明书[0001],[0124]-[0143]段、图5.(65)同一申请的已公布的文献号CN1996594A,2007.07.11,全文.申请公布号CN105572981ACN101109881A,2008.01.23,全文.(43)申请公布日2016.05.11CN102236222A,2011.11.09,全文.(73)专利权人武汉华星光电技术有限公司US2008/0246042A1,2008.10.09,全文.地址430070湖北省武汉市武汉东湖开发审查员魏会敏区高新大道666号生物城C5栋(72)发明人刘元甫(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人郝传鑫熊永强(51)Int.Cl.G02F1/1343(2006.01)G02F1/1362(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称阵列基板、显示面板以及液晶显示装置(57)摘要本发明公开了一种阵列基板,包括第一存储电容和第二存储电容,所述第一存储电容和所述第二存储电容并联形成所述阵列基板的总存储电容,从而增加了所述阵列基板的总存储电容,使所述阵列基板避免了因总存储电容过小而导致的交叉串扰、影像残留等问题,提高了所述阵列基板的品质。本发明还公开了一种应用所述阵列基板的显示面板以及一种应用所述阵列基板的液晶显示装置。CN105572981BCN105572981B权利要求书1/1页1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基板;形成在所述基板上的第一公共电极;覆盖所述第一公共电极的缓冲层;形成在所述缓冲层背离所述第一公共电极的表面上的有源层,所述有源层包括与所述第一公共电极相对设置的第一部分,所述第一公共电极、所述第一部分以及夹在所述第一公共电极及所述第一部分之间的所述缓冲层构成第一存储电容;覆盖所述有源层的栅极绝缘层;形成在所述栅极绝缘层背离所述有源层的表面上的介质层,所述介质层包括层叠设置的第一子介质层和第二子介质层,所述第一子介质层设置在所述栅极绝缘层与所述第二子介质层之间,所述第二子介质层的材料为氮化硅材料,所述第二子介质层用于提高有源层的电性能,所述栅极绝缘层与所述介质层上共同开设第一孔,所述第一孔用于显露部分所述第一部分;形成在所述介质层背离所述栅极绝缘层的表面上的漏区,所述漏区通过所述第一孔连接至所述第一部分;覆盖所述漏区的平坦层,所述平坦层开设用于暴露部分所述漏区的第二孔;以及依次层叠形成在所述平坦层上的第二公共电极、钝化层和像素电极,所述第二公共电极、所述像素电极以及夹在所述像素电极与所述第二公共电极之间的所述钝化层构成第二存储电容,所述像素电极通过所述第二孔连接至所述漏区。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层还包括与所述第一部分相连的第二部分,所述阵列基板包括栅区,所述栅区形成在所述栅极绝缘层与所述介质层之间,且所述栅区正对所述第二部分设置。3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括形成在所述基板上的遮光层,所述遮光层与所述第一公共电极同层且间隔设置,所述遮光层与所述栅区相对设置。4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括欧姆接触层,所述欧姆接触层设置在所述第一部分与所述漏区之间,用于降低所述第一部分与所述漏区之间的接触电阻。5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述欧姆接触层包括一轻掺杂区及一重掺杂区,所述轻掺杂区与所述第一部分接触,所述重掺杂区连接在所述轻掺杂区与所述漏区,所述轻掺杂区的掺杂浓度小于所述重掺杂区的掺杂浓度。6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层覆盖所述第二公共电极且通过所述第二孔连接至所述漏区,所述钝化层开设用于暴露部分所述漏区的第三孔。7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极的材质为透明导电薄膜层。8.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1~7任一项所述的阵列基板。9.一种液晶显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~7任意一项所述的阵列基板。2CN105572981B说明书1/6页阵列基板、显示面板以及液晶显示装置技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、一种应用所述阵列基板的显示面板以及一种应用所述阵列基板的液晶显示装置。背景技术[0002]随着TFT(ThinFilmTransistor,薄膜晶体管)液晶显示技术的不断发展,具备功耗低、分辨率高、反应速度快以及开口率高等特点的基于LTPS(LowT