一种图形化蓝宝石衬底返工晶片的单片式清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105931949A(43)申请公布日2016.09.07(21)申请号201610445458.7(22)申请日2016.06.20(71)申请人浙江东晶博蓝特光电有限公司地址321000浙江省金华市婺城区宾虹西路555号(72)发明人褚君尉刘建哲彭艳亮杨新鹏张磊周雪明徐良(74)专利代理机构金华科源专利事务所有限公司33103代理人胡杰平吴佩(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/311(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图1页(54)发明名称一种图形化蓝宝石衬底返工晶片的单片式清洗方法(57)摘要本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底返工晶片的单片式清洗方法，解决因图形化蓝宝石晶片表面残留的光刻胶化学性质稳定，表面吸附能力强，不易被普通的酸和碱溶解而导致现有的多片同洗的清洗方法难以清除光刻胶的问题。本方法具体步骤如下：⑴选取一片图形化蓝宝石衬底返工晶片，采用高温除胶剂旋转清洗；⑵采用异丙醇旋转清洗晶片；⑶采用去离子水冲洗晶片；⑷刷洗晶片；⑸旋转干燥。所述的步骤⑴～⑸均在尘埃粒子含量达到百级的无尘室标准下进行。本发明避免使用了强酸和强碱等腐蚀性的化学物质，减少了对一线员工和设备管路的损坏，而且单片循环多次清洗，保证了每一片蓝宝石衬底晶片清洗质量。CN105931949ACN105931949A权利要求书1/2页1.一种图形化蓝宝石衬底晶片的单片式清洗方法，其特征在于该图形化蓝宝石衬底晶片的单片式清洗方法包括以下步骤：⑴选取一片图形化蓝宝石衬底返工晶片，采用高温除胶剂旋转清洗；⑵采用异丙醇旋转清洗晶片；⑶采用去离子水冲洗晶片；⑷刷洗晶片；⑸旋转干燥。2.根据权利要求1所述的一种图形化蓝宝石衬底晶片的单片式清洗方法，其特征在于所述的步骤⑴中采用除胶剂清洗包括：取出一片返工晶片，放置于与旋转电机相连的真空吸盘上，旋转晶片，将注液手臂从晶片手臂盒中移动至晶片的中心位置，开始滴注一定量的高温除胶剂，继续旋转晶片以甩出晶片表面上已溶解有紫外正向光刻材料的除胶剂和多余的除胶剂。3.根据权利要求2所述的一种图形化蓝宝石衬底晶片的单片式清洗方法，其特征在于所述步骤⑴的具体步骤为：取出一片返工晶片，放置于与旋转电机相连的真空吸盘上，以8000转/分钟的加速度使晶片的旋转速度达到3000转/分钟，保持3～4秒钟，将注液手臂从晶片手臂盒中移动至晶片的中心位置，开始滴注温度在75℃～85℃的高温除胶剂，以10000转/分钟的加速度使晶片的旋转速度由3000转/分钟达到3700转/分钟，滴注除胶剂的持续时间为2～4秒钟，胶量控制在10～15毫升，3700转/分钟的速度保持10～15秒钟，以甩出晶片表面上已溶解有紫外正向光刻材料的除胶剂和多余的除胶剂，随后旋转速度降至2000转/分钟。4.根据权利要求1或2所述的一种图形化蓝宝石衬底晶片的单片式清洗方法，其特征在于所述的步骤⑵中的采用异丙醇清洗晶片包括：旋转晶片，将注液手臂从晶片的中心位置开始滴注一定量的异丙醇，继续旋转晶片，以甩出晶片表面上已溶解有除胶剂的异丙醇和多余的异丙醇。5.根据权利要求4所述的一种图形化蓝宝石衬底晶片的单片式清洗方法，其特征在于所述步骤⑵中的采用异丙醇清洗具体步骤为：以8000转/分钟的加速度使晶片的旋转速度达到3000转/分钟，保持3～4秒钟，将注液手臂从晶片的中心位置开始滴注异丙醇，以10000转/分钟的加速度使晶片的旋转速度由3000转/分钟达到3500转/分钟，滴注异丙醇的持续时间为2～3秒钟，异丙醇控制在10～13毫升，3500转/分钟的速度保持10～12秒钟，以甩出晶片表面上已溶解有除胶剂的异丙醇和多余的异丙醇，随后旋转速度降至2300转/分钟。6.根据权利要求1或2所述的一种图形化蓝宝石衬底晶片的单片式清洗方法，其特征在于所述步骤⑶中采用去离子水清洗包括：旋转晶片，将注液手臂从晶片的中心位置开始滴注一定量的去离子水，继续旋转晶片，以甩出晶片表面上已溶解有异丙醇的去离子水和多余的去离子水。7.根据权利要求1或2所述的一种图形化蓝宝石衬底晶片的单片式清洗方法，其特征在于所述的步骤⑷中对晶片刷洗包括：旋转晶片，将刷洗手臂移动至晶片的中心位置开始刷洗，压力维持在0.5～0.7MPa，刷洗晶片；增加晶片旋转速度，将刷洗手臂从晶片的中心位置移动至晶片的边缘位置，压力维持在0.8～1.0MPa，继续刷洗晶片直至完成。8.根据权利要求7所述的一种图形化蓝宝石衬底晶片的单片式清洗方法，其特征在于2CN105931949A权利要求书2/2页所述的步骤⑷中对晶片刷洗的具体步骤为：以8000转/分钟的加速度使晶片的旋转速度达到3000转/分钟，保持5～6秒钟，将刷洗手臂移动至晶