FET及形成FET的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106098555A(43)申请公布日2016.11.09(21)申请号201510770413.2(22)申请日2015.11.12(30)优先权数据14/700,1902015.04.30US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹(72)发明人江国诚刘继文王志豪(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409代理人章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L29/78(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图40页(54)发明名称FET及形成FET的方法(57)摘要实施例是一种方法，方法包括在衬底上形成第一鳍和第二鳍，第一鳍和第二鳍均包括位于衬底上的第一晶体半导体材料和位于第一晶体半导体材料之上的第二晶体半导体材料。将位于第二鳍中的第一晶体半导体材料转变为介电材料，其中在转变步骤之后，位于第一鳍中的第一晶体半导体材料的至少部分保留未转变的。在第一鳍和第二鳍上方形成栅极结构，以及在栅极结构的相对两侧上形成源极/漏极区。本发明实施例涉及FET及形成FET的方法。CN106098555ACN106098555A权利要求书1/2页1.一种方法，包括：在衬底上形成第一鳍和第二鳍，所述第一鳍和所述第二鳍均包括位于所述衬底上的第一晶体半导体材料和位于所述第一晶体半导体材料之上的第二晶体半导体材料；将位于所述第二鳍中的所述第一晶体半导体材料转变为介电材料，其中，在所述转变步骤之后，位于所述第一鳍中的所述第一晶体半导体材料的至少部分保留未被转变；在所述第一鳍和所述第二鳍上方形成栅极结构；以及在所述栅极结构的相对两侧上形成源极/漏极区。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述转变包括使用氧化工艺。3.根据权利要求1所述的方法，其中，位于所述第一鳍中的所述未转变的第一晶体半导体材料的剩余部分从所述衬底至位于所述第一鳍中的所述第二晶体半导体材料是连续的。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述转变步骤还包括：转变位于所述第一鳍中的所述第一晶体半导体材料的部分。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述转变步骤还包括：将位于所述第一鳍和所述第二鳍中的所述第二晶体半导体材料的外部转变成第二介电材料；以及去除所述第二介电材料。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述转变步骤之前，在所述第一鳍上方形成掩模；以及在所述转变步骤之后，从所述第一鳍去除所述掩模。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述转变步骤还包括：将位于所述第二鳍中的所述第二晶体半导体材料的外部转变成第二介电材料；以及去除所述第二介电材料。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一鳍是n型FinFET的部分以及所述第二鳍是p型FinFET的部分。9.一种方法，包括：在衬底上外延地生长第一晶体半导体材料；在所述第一晶体半导体材料之上外延地生长第二晶体半导体材料；图案化所述第一晶体半导体材料和所述第二晶体半导体材料以在所述衬底上形成第一鳍和第二鳍；氧化位于第一鳍中的所述第一晶体半导体材料的至少部分以及氧化位于所述第二鳍中的所述第一晶体半导体材料的全部以形成第一氧化物材料，以及氧化位于所述第一鳍和所述第二鳍中的所述第二晶体半导体材料的至少部分以形成第二氧化物材料，其中，在所述第一鳍和所述第二鳍的所述氧化之后，位于所述第一鳍中的所述第一晶体半导体材料的部分没有被氧化；去除所述第二氧化物材料的至少部分；在所述衬底上形成隔离区，以及所述隔离区围绕所述第一鳍的和所述第二鳍的至少下部；在所述第一鳍、所述第二鳍以及所述隔离区上方形成栅极结构；以及2CN106098555A权利要求书2/2页在所述栅极结构的相对两侧上形成源极/漏极区。10.一种结构，包括：位于衬底上的第一鳍，所述第一鳍包括：第一外延部分；和直接位于所述第一外延部分下面的第二外延部分，所述第二外延部分具有与所述第一外延部分不同的材料组成；位于所述衬底上的第二鳍，所述第二鳍包括：第三外延部分；和直接位于所述第三外延部分下面的第一介电区；以及隔离区，位于所述衬底中以及位于所述第一鳍和所述第二鳍的相对两侧上，至少所述第一鳍的所述第一外延部分和所述第二鳍的所述第三外延部分从所述隔离区之间突出，所述第一介电区具有与所述隔离区不同的材料组成；栅极结构，沿着所述第一鳍和所述第二鳍的侧壁并且位于所述第一鳍和所述第二鳍的上表面上方，所述栅极结构将沟道区限定在所述第一外延部分和所述第三外延部分中。3CN106098555A说明书1/12页FET及形成FET的方法技术领域[0001]本发明实施例涉及FET及形成FET的方法。背景技术[0002]在追求更高器件密度、更高性能以及更低成本中，随着半导体器件已经发展至纳米