AMOLED像素驱动电路的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106229297A(43)申请公布日2016.12.14(21)申请号201610828093.6(22)申请日2016.09.18(71)申请人深圳市华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号(72)发明人迟世鹏吴元均(74)专利代理机构深圳市德力知识产权代理事务所44265代理人林才桂(51)Int.Cl.H01L21/77(2006.01)H01L51/56(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图5页(54)发明名称AMOLED像素驱动电路的制作方法(57)摘要本发明提供一种AMOLED像素驱动电路的制作方法，仅保留覆盖第二有源区(42)的第二绝缘层作为刻蚀阻挡层(5)，制作出了ES型的驱动薄膜晶体管(T2)、及BCE型的开关薄膜晶体管(T1)。BCE型的开关薄膜晶体管(T1)具有较小的寄生电容，可以减小RC效应，有利于交流数据信号的控制；ES型的驱动薄膜晶体管(T2)具有优良的器件特性，可以为OLED提供稳定的电流，确保OLED发光具有稳定性和均匀性。CN106229297ACN106229297A权利要求书1/2页1.一种AMOLED像素驱动电路的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上沉积并刻蚀第一金属层，形成图案化的第一栅极(21)、及第二栅极(22)；步骤2、在所述衬底基板(1)、第一栅极(21)、及第二栅极(22)上沉积覆盖栅极绝缘层(3)；步骤3、在所述栅极绝缘层(3)上沉积并刻蚀半导体层，分别于第一栅极(21)、第二栅极(22)上方形成图案化的第一有源区(41)、及第二有源区(42)；步骤4、在所述第一有源区(41)、第二有源区(42)、及栅极绝缘层(3)上沉积并刻蚀第二绝缘层，仅保留覆盖第二有源区(42)的第二绝缘层作为刻蚀阻挡层(5)，同时在刻蚀阻挡层(5)内刻蚀出第一接触孔(51)、及第二接触孔(52)，分别暴露出第二有源区(42)的两侧；步骤5、刻蚀栅极绝缘层(3)，形成第三接触孔(31)，暴露出第二栅极(22)靠近第一栅极(21)的一侧；步骤6、在所述第一有源区(41)、刻蚀阻挡层(5)、及栅极绝缘层(3)上沉积并刻蚀第二金属层，形成图案化的第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(63)、及第二漏极(64)；所述第一源极(61)直接接触第一有源区(41)靠近第二有源区(42)的一侧并通过所述第三接触孔(31)连接第二栅极(22)，所述第一漏极(62)直接接触第一有源区(41)的另一侧；所述第二源极(63)、第二漏极(64)分别通过第一接触孔(51)、第二接触孔(52)连接第二有源区(42)的两侧；所述第一源极(61)、第一漏极(62)、第一有源区(41)、栅极绝缘层(3)及第一栅极(21)构成开关薄膜晶体管(T1)，所述第二源极(63)、第二漏极(64)、刻蚀阻挡层(5)、第二有源区(42)、栅极绝缘层(3)及第二栅极(22)构成驱动薄膜晶体管(T2)。2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路的制作方法，其特征在于，还包括：步骤7、依次沉积覆盖钝化保护层(7)、及第一有机平坦层(8)，再进行刻蚀，形成贯通钝化保护层(7)与第一有机平坦层(8)的第四接触孔(87)，暴露出所述第二源极(63)的部分表面；步骤8、在第一有机平坦层(8)上沉积并刻蚀透明导电层，形成OLED阳极(9)，所述OLED阳极(9)通过第四接触孔(87)连接所述第二源极(63)；步骤9、在所述OLED阳极(9)及第一有机平坦层(8)上沉积并刻蚀第二有机平坦层(10)，形成第五接触孔(101)，暴露出OLED阳极(9)的部分表面；步骤10、在第五接触孔(101)内制备OLED发光层(11)；步骤11、在所述OLED发光层(11)与第二有机平坦层(10)上沉积覆盖OLED阴极(12)；步骤12、封装。3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路的制作方法，其特征在于，所述衬底基板(1)为玻璃基板。4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层(3)与刻蚀阻挡层(5)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。5.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路的制作方法，其特征在于，所述半导体层的材料为金属氧化物半导体、或非晶硅半导体。6.如权利要求5所述的AMOLED像素驱动电路的制作方法，其特征在于，所述半导体层的2CN106229297A权利要求书2/2页材料为铟镓锌氧化物。7.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路的制作方法，其特征在于，所述第一金属层与第二金属层的材料均为钼、钛、铝、