一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106648273A(43)申请公布日2017.05.10(21)申请号201611268298.X(22)申请日2016.12.31(71)申请人江西省平波电子有限公司地址343100江西省吉安市井冈山经济技术开发区(72)发明人贺代仕李林松叶亮陈玲张伟明官昭朋(74)专利代理机构东莞市华南专利商标事务所有限公司44215代理人刘克宽(51)Int.Cl.G06F3/044(2006.01)C08J7/06(2006.01)C08L67/02(2006.01)权利要求书2页说明书5页(54)发明名称一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法(57)摘要一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法，本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种抗刮抗指纹触摸屏及其制备方法。本发明为解决手机触摸屏易留下指纹的技术问题。它包括顶部面板、光学胶及底部SENSOR构成，制备：一、清洗顶部面板；二、沉积二氧化硅膜；三、沉积类钻石膜；四、真空蒸镀法沉积的二氧化硅膜；五、真空蒸镀法沉积抗指纹膜；所述顶部面板为触摸屏的面盖，用于使用者点触的接触面，光学胶黏接顶部面板和底部SENSOR，所述底部SENSOR用于布线路。本发明抗刮抗指纹触摸屏的制备方法制备过程简单，可制成抗刮性能良好的触摸屏。CN106648273ACN106648273A权利要求书1/2页1.一种抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于：包括顶部面板、光学胶及底部SENSOR构成，所述顶部面板为触摸屏的面盖，用于使用者点触的接触面，所述光学胶黏接顶部面板和底部SENSOR，所述底部SENSOR用于布线路；所述顶部面板上覆有真空溅镀的二氧化硅膜，所述真空溅镀的二氧化硅膜上覆有真空溅镀的类钻石膜；所述真空溅镀的类钻石膜上覆有真空蒸镀的二氧化硅膜；所述真空蒸镀的二氧化硅膜上覆有真空蒸镀的抗指纹膜。2.根据权利要求1所述一种抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于：所述顶部面板为PET面板。3.根据权利要求1所述一种抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于：所述底部SENSOR为PET或者GLASS基材的导线线路板。4.根据权利要求1所述一种抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于：所述真空溅镀的二氧化硅膜厚度为1-5nm。5.根据权利要求1所述一种抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于：所述真空溅镀的类钻石膜膜层厚度为1-15nm。6.根据权利要求1所述一种抗刮抗指纹触摸屏，其特征在于：所述真空蒸镀的抗指纹膜厚度小为1-5nm。7.权利要求1所述一种抗刮抗指纹触摸屏的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：清洗顶部面板；沉积二氧化硅膜：将顶部面板放置在真空溅射腔体内，该腔体装有平行于顶部面板的硅靶材，关闭镀膜腔体,抽真空到真空度为10-3Pa以下，停止抽真空；用离子束轰击顶部面板材料5～30分钟，然后打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0.5Pa～5Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压稳定后，在温度为25℃～200℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，转移顶部面板进入下一个镀膜腔体；沉积类钻石膜：将经过步骤二处理的顶部面板进入装有类钻石靶材的真空腔体，顶部面板与靶材平行放置，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内，氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压规显示气压稳定之后，再在温度为25℃～150℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始通电镀膜，氩气离子形成等离子，等离子中的正电子在电场力的作用下轰击DLC靶材，使碳原子脱离，脱离后的碳原子会附着在顶部面板材料上，形成DLC薄膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完类钻石膜后，通入空气，接着取出顶部面板；真空蒸镀法沉积的二氧化硅膜：将经过步骤三处理的顶部面板放置到真空蒸镀机内，该腔体有6个坩埚，分别往其中的两个坩埚加入二氧化硅膜料和抗指纹膜料，打开装有二氧化硅的坩埚，关闭其余坩埚；接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氧气和氩气，并保持真空腔体内氧气分压为0Pa～0.01Pa，氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压稳定之后，再在温度为25℃～100℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完二氧化硅膜后，关闭装有二氧化硅的坩埚；真空蒸镀法沉积抗指纹膜：打开装有抗指纹膜料的坩埚，接着打开氧气和氩气阀门，向真空腔体内通入氩气，并保持真空腔体内氩气的分压为0.1Pa～5Pa,待气压稳定之后，再在温度为25℃～100℃下加热顶部面板，待温度稳定之后，开始镀膜，保持薄膜沉积速率为0.1nm/s～5nm/s；镀完抗指纹膜后，通入空气，打开镀膜腔，取出顶部面板；所述顶部面板为触摸屏的