光刻胶去除用剥离液组合物.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106997158A(43)申请公布日2017.08.01(21)申请号201710053375.8(22)申请日2017.01.22(30)优先权数据10-2016-00079112016.01.22KR(71)申请人易案爱富科技有限公司地址韩国京畿道(72)发明人金珉姬郑玄铁李相大(74)专利代理机构上海弼兴律师事务所31283代理人薛琦(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书1页说明书8页(54)发明名称光刻胶去除用剥离液组合物(57)摘要本发明的光刻胶去除用剥离液组合物具有如下的优点，即，即使未将对环境和人体有害的N-甲基甲酰胺(N-methylforamide，NMF)、N-甲基吡咯烷酮(N-methylpyrrolidone，NMP)作为主溶剂使用，也可在完成干式或湿式蚀刻后迅速剥离所改性的光刻胶，并且由于未在基板上残留异物及污痕，因此可明显提高工序上的效率。并且，还可使底膜的腐蚀最小化，从而具有可明显提高工序上的效率地优点。CN106997158ACN106997158A权利要求书1/1页1.一种光刻胶去除用剥离液组合物，其特征在于，包含10重量百分比至80重量百分比的N-乙基甲酰胺、1重量百分比至30重量百分比的胺化合物以及10重量百分比至80重量百分比的质子性极性溶剂。2.根据权利要求1所述的光刻胶去除用剥离液组合物，其特征在于，上述光刻胶去除用剥离液组合物还包含1～30重量百分比的超纯水或去离子水或者还包含0.01重量百分比至5重量百分比的添加剂，或者还包含1～30重量百分比的超纯水或去离子水以及0.01重量百分比至5重量百分比的添加剂。3.根据权利要求1所述的光刻胶去除用剥离液组合物，其特征在于，上述胺化合物为选自单乙醇胺、单异丙醇胺、咪唑烷乙醇、2-氨基-1-丙醇、氨基异丙醇、N-甲氨基乙醇、3-氨基-1-丙醇、4-氨基-1-丁醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、二乙醇胺、1-(2-羟乙基)哌嗪、三乙醇胺、1-哌啶乙醇胺、苄基哌嗪以及苄胺中的一种或两种以上的混合物。4.根据权利要求1所述的光刻胶去除用剥离液组合物，其特征在于，上述质子性极性溶剂为选自二甲二醇单乙醚、二甘醇单乙醚、二甘醇单丙醚、二甘醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、二丙二醇单丙醚、二丙二醇单丁醚、乙二醇丙醚、乙二醇单丁醚以及四乙基氢化糠醇中的一种或两种以上的混合物。5.根据权利要求2所述的光刻胶去除用剥离液组合物，其特征在于，上述添加剂为三唑化合物。2CN106997158A说明书1/8页光刻胶去除用剥离液组合物技术领域[0001]本发明涉及使用未包含对人体有害的毒性物质的胺化合物、极性溶剂类及非极性溶剂类的光刻胶去除用剥离液组合物。背景技术[0002]光刻工序为在形成有待加工的薄膜的基板上转印设计在掩模板(mask)的图案的一系列摄影工序。光刻工序利用于制作集成电路、高集成电路等的方面。[0003]在光刻工序中，在形成有薄膜的玻璃基板上涂敷(coating)作为感光性物质的光刻胶，在涂覆有上述光刻胶的基板上配置掩模板，并在进行曝光(exposure)后，对上述光刻胶进行显影(develop)来形成光刻胶图案。例如，上述薄膜可以为金属膜、绝缘膜等。可利用成掩模板对上述光刻胶图案进行湿式蚀刻或干式蚀刻来转印微电路图案，由此进行蚀刻。然后，进行利用作为光刻胶图案去除用组合物的剥离剂(stripper)去除无需的光刻胶图案的工序。[0004]其中，在形成显示器及半导体用电极电路的工序中利用的光刻胶去除用剥离液需要在低温中能够以较短的时间剥离光刻胶，在完成清洗(rinse)后，需要防止光刻胶残渣残留于基板，并且上述光刻胶去除用剥离液需要具有可对有机绝缘膜及金属配线无损的剥离的能力。上述光刻胶去除用剥离液基本上可包含胺化合物、亚烷基二醇烷基醚化合物、质子性极性溶剂及防腐剂等的有机化合物。在如上所述的多种剥离液组合物中，考虑到剥离性及腐蚀性，作为主溶剂主要使用了N-甲基甲酰胺(N-methylforamide，NMF)、N-甲基吡咯烷酮(N-methylpyrrolidone，NMP)等的非质子性溶剂(台湾授权专利第10-2011-0124955号、台湾授权专利第10-2014-0028962号、台湾授权专利第10-2015-0102354号、台湾公开专利第10-0655108号等)。虽然这种溶剂类具有卓越地剥离力，当具有对环境和人体有害的缺点，因此目前需要开发用于替换上述溶剂类的非质子性极性溶剂的替换溶剂。[0005]现有技术文献[0006]专利文献[0007]台湾授权专利第10-2011-0124955号[0008]台湾授权专利第10-20