半导体基板及半导体板制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107403778A(43)申请公布日2017.11.28(21)申请号201610335492.9(22)申请日2016.05.19(71)申请人胡川地址322000浙江省金华市义乌市稠江街道高新路10号义乌高层次人才创新园标准厂房一号(72)发明人胡川(74)专利代理机构广州番禺容大专利代理事务所(普通合伙)44326代理人刘新年(51)Int.Cl.H01L23/482(2006.01)H01L21/48(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图6页(54)发明名称半导体基板及半导体板制作方法(57)摘要本发明涉及提供一种半导体基板及芯片制作方法，其中半导体基板包括：用于制作电路的半导体层、隔离层、和预留被消减厚度的辅助层；半导体层、隔离层、辅助层依次层叠设置，辅助层的厚度大于半导体层的厚度。采用所述的半导体基板的芯片制作方法，包括：电路制作过程，在所述半导体基板的半导体层上制作电路；降低厚度过程，对辅助层进行磨削或者蚀刻，消减辅助层的厚度，使半导体基板整体的厚度减小而获得电路基板；封装过程，电路基板进行封装获得芯片。在半导体层上制作电路时，辅助层为半导体层提供辅助支撑，半导体层不易变形，可以保证半导体电路的性能；不再需要辅助层做辅助支撑时，消减辅助层的厚度，使电路基板的厚度大幅下降。CN107403778ACN107403778A权利要求书1/1页1.一种半导体基板，其特征在于，包括：半导体层、隔离层、和预留被消减厚度的辅助层；其中，所述半导体层、所述隔离层以及所述辅助层依次层叠设置，所述辅助层的厚度大于所述半导体层的厚度。2.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，所述隔离层的材料被四甲基氢氧化铵溶液或者氢氧化钾溶液蚀刻的速度小于同等条件下所述辅助层的材料被蚀刻的速度。3.根据权利要求3所述的半导体基板，其特征在于，所述辅助层为硅制成，所述隔离层为二氧化硅制成。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体基板，其特征在于，所述半导体层包括有半导体功能层，所述半导体功能层包括半导体三极管、金属互连线、以及绝缘层。5.一种采用权利要求1至4任一项所述的半导体基板的半导体板制作方法，其特征在于，包括：电路制作过程，在所述半导体基板的半导体层上制作电路；降低厚度过程，对所述半导体基板的辅助层进行磨削或者蚀刻，消减辅助层的厚度，而获得电路基板；或者，对所述半导体基板的辅助层、隔离层进行磨削或者蚀刻，除去辅助层并消减隔离层的部分厚度，而获得电路基板；封装过程，对所述电路基板进行封装获得半导体板。6.根据权利要求5所述的半导体板制作方法，其特征在于，在所述封装过程中，将至少两个所述电路基板层叠设置后进行封装获得半导体板。7.根据权利要求6所述的半导体板制作方法，其特征在于，至少两个所述电路基板层叠设置后，采用湿法蚀刻工艺制作芯片过孔，各层电路基板的电路通过芯片过孔相互电连接。8.根据权利要求5所述的半导体板制作方法，其特征在于，在所述封装过程中，在所述电路基板上部分或全部覆盖树脂材料制成柔性半导体板。9.根据权利要求5至8任一项所述的半导体板制作方法，其特征在于，在降低厚度过程中，采用四甲基氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液对所述辅助层进行蚀刻。10.根据权利要求5至8任一项所述的半导体板制作方法，其特征在于，经过所述电路制作过程后所述半导体层包括有半导体功能层，所述半导体功能层包括半导体三极管、金属互连线、以及绝缘层。2CN107403778A说明书1/7页半导体基板及半导体板制作方法技术领域[0001]本发明属于电子领域，具体涉及一种半导体基板及半导体板制作方法。背景技术[0002]目前，半导体电路通常用硅作为主要材料，硅的物理特性是质地较软易变性、高温易形变，常规方法是将硅的半导体层制成很厚，避免半导体层在制作电路、打孔等加工过程中变形，但是，厚的硅层一方面使整个半导体板的厚度很大，不利于打孔等工艺的进行，特别是制作成3D半导体板，更不利于打孔，另一方面，也使整个半导体板的厚度居高不下，不能制成超薄半导体板，比如可穿戴设备所需要的柔性半导体板。发明内容[0003]基于此，本发明在于克服现有技术的缺陷，提供一种半导体基板及半导体板制作方法，可以大幅降低半导体板的厚度，制成超薄半导体板。[0004]其技术方案如下：[0005]一种半导体基板，包括：半导体层、隔离层、和预留被消减厚度的辅助层；其中，所述半导体层、所述隔离层以及所述辅助层依次层叠设置，所述辅助层的厚度大于所述半导体层的厚度。[0006]优选地，所述隔离层的材料被四甲基氢氧化铵溶液或者氢氧化钾溶液蚀刻的速度小于同等条件下所述辅助层的材料被蚀刻的速度。[0007]优选地，所述辅助层为硅制成，所述隔